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Q62703-Q3389

Q62703-Q3389

  • 厂商:

    SIEMENS

  • 封装:

  • 描述:

    Q62703-Q3389 - Mini TOPLED - Siemens Semiconductor Group

  • 数据手册
  • 价格&库存
Q62703-Q3389 数据手册
Mini TOPLED® LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Besondere Merkmale q q q q q q Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet gegurtet (8-mm-Filmgurt) Störimpulsfest nach DIN 40839 VPL06927 Features q q q q q q color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 1998-11-12 LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Typ Emissionsfarbe Color of Emission Type Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area colorless clear Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) 2.5 … 12.5 4.0 … 8.0 6.3 … 12.5 4.0 … 32.0 2.5 … 12.5 4.0 … 8.0 6.3 … 12.5 4.0 … 32.0 2.5 … 12.5 4.0 … 8.0 6.3 … 12.5 4.0 … 32.0 2.5 … 12.5 4.0 … 8.0 6.3 … 12.5 4.0 … 32.0 1.0 … 8.0 1.6 … 3.2 2.5 … 5.0 1.6 … 12.5 Luminous Flux IF = 10 mA ΦV (mlm) 18 (typ.) 30 (typ.) 18 (typ.) 30 (typ.) 18 (typ.) 30 (typ.) 18 (typ.) 30 (typ.) 8 (typ.) 12 (typ.) - Ordering Code LS M670-HK LS M670-J LS M670-K LS M670-JM LO M670-HK LO M670-J LO M670-K LO M670-JM LY M670-HK LY M670-J LY M670-K LY M670-JM LG M670-HK LG M670-J LG M670-K LG M670-JM LP M670-FJ LP M670-G LP M670-H LP M670-GK super-red Q62703-Q3380 Q62703-Q3381 Q62703-Q3382 Q62703-Q3383 Q62703-Q3384 Q62703-Q3385 Q62703-Q3386 Q62703-Q3387 Q62703-Q3388 Q62703-Q3389 Q62703-Q3390 Q62703-Q3391 Q62703-Q3392 Q62703-Q3393 Q62703-Q3394 Q62703-Q3395 Q62703-Q3396 Q62703-Q3397 Q62703-Q3398 Q62703-Q3399 orange colorless clear yellow colorless clear green colorless clear pure green colorless clear Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 1998-11-12 LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 Sperrspanung Reverse voltage Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) *) PC-board: FR4 1) vorläufig/preliminary Symbol Symbol Werte Values – 55 ... + 100 – 55 ... + 100 + 100 30 0.5 Einheit Unit ˚C ˚C ˚C mA A Top Tstg Tj IF IFM VR Ptot Rth JA 5 80 4801) V mW K/W Semiconductor Group 3 1998-11-12 LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 10 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 10 mA Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % Iv Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω (typ.) (max.) (typ.) (max.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) Symbol Symbol LS LO 610 Werte Values LY 586 LG 565 LP 557 nm 635 Einheit Unit λpeak λdom 628 605 590 570 560 nm ∆λ 45 40 45 25 22 nm 2ϕ 120 2.0 2.6 120 2.0 2.6 120 2.0 2.6 120 2.0 2.6 120 2.0 2.6 Grad deg. V V VF VF IR IR C0 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA 10 10 10 10 10 µA 12 8 10 15 15 pF (typ.) (typ.) tr tf 300 150 300 150 300 150 450 200 450 200 ns ns Semiconductor Group 4 1998-11-12 LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve 100 % Ι rel 80 OHL01698 Vλ 60 red pure-green green orange 20 0 400 blue 450 500 550 yellow 40 600 super-red 650 hyper-red nm 700 λ Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ OHL01660 ϕ 1.0 50˚ 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 90˚ 100˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 0 Semiconductor Group 5 1998-11-12 LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C 10 2 OHL02145 Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C 10 1 ΙV Ι V (10 mA) 10 0 OHL02146 Ι F mA 10 1 5 5 10 -1 5 pure-green 10 0 5 super-red orange/yellow green 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 V 3.4 10 -2 5 green red yellow super-red orange pure-green -1 10 -1 1.0 10 -3 10 5 10 0 5 10 1 mA 10 2 VF ΙF Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C 10 3 OHL01686 Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) 35 OHL00231 ΙF mA tP D= tP T T ΙF Ι F mA 30 25 20 D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 10 2 0.2 15 5 0.5 10 DC 5 10 1 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s 10 1 tp 0 0 20 40 60 80 C 100 TA Semiconductor Group 6 1998-11-12 LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 10 mA 690 OHL02104 Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 10 mA 690 OHL02105 λ peak nm 650 super-red 630 orange 610 590 570 550 yellow λ dom nm 650 630 610 590 570 550 super-red orange yellow green pure-green 0 20 40 60 80 ˚C 100 green pure-green 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA TA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA 2.4 OHL02106 Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C ) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA 2.0 ΙV Ι V (25 ˚C) 1.6 OHL02150 VF V 2.2 2.0 green super-red orange yellow 1.2 yellow green 1.8 0.8 pure-green orange super-red pure-green 1.6 0.4 1.4 0 20 40 60 80 ˚C 100 0.0 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA TA Semiconductor Group 7 1998-11-12 LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 1.0 0.8 0.15 0.05 1.4 1.2 Cathode marking 1.5 1.3 Cathode marking GPL06928 Kathodenkennung: Cathode mark: abgeschrägte Ecke bevelled edge Semiconductor Group 8 typ. 1.5 x 1.0 2.3 2.1 2.1 1.9 0.5 0.3 1998-11-12
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