SFH409-1

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 0.7 0.4 0.6 0.4 5.2 4.5 2.54 mm spacing 0.8 0.4 4.1 3.9 4.0 3.6 Approx. weight 0.3 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487 Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High pulse handling capability q Available in groups q Same package as SFH 309, SFH 487 Applications q Photointerrupters q IR remote control of various equipment Wechsellichtbetrieb q IR Fernsteuerungen Typ Type SFH 409 SFH 409-1 1) Bestellnummer Ordering Code Q62702-P860 Q62702-P1001 Q62702-P1002 Gehäuse Package 3-mm-LED-Gehäuse (T 1), grau eingefärbt, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: short lead SFH 409-2 1) 1) Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request. Semiconductor Group 1 1997-11-01 fex06250 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487) ø3.1 ø2.9 (3.5) Chip position 0.6 0.4 GEX06250 SFH 409 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 100 5 100 3 165 450 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top Kapazität, VR = 0 V Capacitance Symbol Symbol λpeak Wert Value 950 Einheit Unit nm ∆λ 55 nm ϕ ± 20 0.09 0.3 × 0.3 2.6 25 Grad deg. mm2 mm mm pF A L×B L×W H Co Semiconductor Group 2 1997-11-01 SFH 409 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value 1 Einheit Unit µs tr, tf VF VF IR 1.30 (≤ 1.5) 1.9 (≤ 2.5) 0.01 (≤ 1) V V µA Φe 15 mW TCI – 0.55 %/K IF = 100 mA TCV TCλ – 1.5 + 0.3 mV/K nm/K Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs 1) 1) Symbol SFH 409 Werte Values SFH 409-11) SFH 409-2 Einheit Unit Ie Ie typ. ≥ 6.3 – 6.3 ... 12.5 75 > 10 120 mW/sr mW/sr Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request. Semiconductor Group 3 1997-11-01 SFH 409 Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 % OHR01938 Radiant intensity Ie = f (IF) Ie 100 mA OHR00864 Single pulse, tp = 20 µs Ιe Ι e (100 mA) 10 1 Max. permissible forward current IF = f (TA) 120 OHR00883 Ι F mA 100 Ι rel 80 80 60 R thjA = 450 K/W 60 40 10 0 40 20 20 0 880 920 960 1000 nm λ 1060 10 -1 10 -2 10 -1 10 0 A ΙF 10 1 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 10 1 A OHR01041 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter 10 4 OHR00865 ΙF Ι F mA 5 D = 0.005 typ. max. D= τ T τ ΙF T 10 0 0.01 0.02 10 3 0.05 0.1 0.2 10 -1 5 0.5 DC 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 τ 0 1.0 10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5 VF 20 10 Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 OHR01887 ϕ 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 4 1997-11-01