GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters
SFH 415 SFH 416
Cathode 29 27 9.0 8.2
spacing 2.54mm
0.4 0.8
1.8 1.2
7.8 7.5
5.9 5.5
0.4 0.6
Area not flat Chip position Approx. weight 0.2 g
GEO06645
0.6 0.4
2.54 mm spacing
0.8 0.4
Area not flat 6.9 6.1 5.7 5.5
5.9 5.5
ø5.1 ø4.8
Approx. weight 0.4 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt q q q q q
Features
q GaAs infrared emitting diodes, fabricated in q q q q q
im Schmelzepitaxieverfahren Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen Sehr hoher Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203
a liquid phase epitaxy process Good linearity (Ie = f [IF]) at high currents High efficiency High reliability High pulse handling capability SFH 415: Same package as SFH 300, SFH 203
Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern q Gerätefernsteuerungen
Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers q Remote control of various equipment
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06630
1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode) Collector (Transistor)
4.0 3.4 Chip position
0.6 0.4
GEX06630
fexf6626
4.8 4.2
ø4.8 ø5.1
0.6 0.4
SFH 415 SFH 416
Typ Type SFH 415 SFH 415-T SFH 415-U SFH 416-R
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P296 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139
Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse (T 13/4), schwarz eingefärbt, Anschluß im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 5 mm LED package (T 13/4), black-colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: short lead
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 100 5 100 3 165 450 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W
Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 415 SFH 416
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A Abstrahlwinkel Half angle SFH 415 SFH 416 Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 415 SFH 416 Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Symbol Symbol λpeak Wert Value 950 Einheit Unit nm
∆λ
55
nm
ϕ ϕ
± 17 ± 28 0.09 0.3 × 0.3
Grad deg. mm2 mm
A L×B L×W
H H tr, tf
4.2 ... 4.8 3.4 ... 4.0 0.5
mm mm µs
Co
25
pF
VF VF IR
1.3 (≤ 1.5) 2.3 (≤ 2.8) 0.01 (≤ 1)
V V µA
Φe
22
mW
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 415 SFH 416
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value – 0.5 Einheit Unit %/K
TCI
TCV TCλ
–2 + 0.3
mV/K nm/K
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Symbol SFH 415 Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs SFH 415-T Werte Values SFH 415-U SFH 416-R Einheit Unit
Ie min Ie max
≥ 25 –
25 50
> 40 –
> 10 –
mW/sr mW/sr
Ie typ.
–
380
600
150
mW/sr
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 415 SFH 416
Relative spectral emission Irel = f (λ)
100 %
OHRD1938
Radiant intensity
Ie = f (IF) Ie 100 mA
OHR01551
Single pulse, tp = 20 µs
Ιe Ι e 100 mA 10 2 A
Max. permissible forward current IF = f (TA)
120
OHR00883
Ι F mA
100
Ι rel
80
10
1
80
60
R thjA = 450 K/W
10 0
60
40
40
10 -1
20
20
0 880
920
960
1000
λ
nm
1060
10 -2 10 -3
10 -2
10 -1
10 0 A ΙF
10 1
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120 TA
Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs
10 1 A
OHR01554
Radiation characteristics SFH 415 Irel = f (ϕ)
40 30 20 10 ϕ 0 1.0
OHR01552
ΙF
10
0
50 0.8 60
0.6
10 -1
70 0.4
80
0.2
10 -2
90
10 -3 1 2 3 4 V 5
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
VF
Radiation characteristics SFH 416 Irel = f (ϕ)
40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ 1.0
OHR01553
Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TC = 25 °C, duty cycle D = parameter
10 4
OHR00860
ϕ
50˚
Ι F mA 5
D = 0.005
0.01
tp D= tp T T
ΙF
0.8 60˚
0.6
0.02 10 3 0.1 0.2 0.05
70˚
0.4
80˚ 90˚
0.2 0
5
0.5
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
DC 10 2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp
Semiconductor Group
5
1997-11-01
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