SFH4591

Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4591 SFH 4592 Area not flat 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 2.54 mm spacing 0.8 0.4 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 Anode 1.8 1.2 29.5 27.5 Chip position GEX06626 SFH 4591 Area not flat 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 2.54 mm spacing 0.8 0.4 5.9 5.5 Anode SFH 4592 Approx. weight 0.2 g GEX06984 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Hohe Pulsleistung sowie hoher Gesamtstrahlungsfluß Φe q Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns) q Geringe Vorwärtsspannung und Leistungsaufnahme q Sehr hohe Langzeitstabilität q Gegurtet lieferbar Anwendungen q Schnelle Datenübertragung mit Übertragungsraten bis 100 Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) q Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalübertragung q Batteriebetriebene Geräte (geringe Stromaufnahme) q Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsansprüchen bzw. erhöhten Anforderungen q Alarm- und Sicherungssysteme q IR Freiraumübertragung Semiconductor Group 1 Features q High pulse power and high radiant flux Φe q Very short switching times (10 ns) q Low forward voltage and power dissipation q Very high long-time stability q Available on tape and reel Applications q High data transmission rate up to 100 Mbaud (IR keyboard, Joystick, Multimedia) q Analog and digital Hi-Fi audio and video signal transmission q Low power consumption (battery) equipment q Suitable for professional and high-reliability applications q Alarm and safety equipment q IR free air transmission 1998-09-08 fex06626 1.8 1.2 29 27 ø5.1 ø4.8 4.8 4.2 Chip position 0.6 0.4 fex06260 5.7 5.1 0.6 0.4 SFH 4591 SFH 4592 Typ Type SFH 4591 SFH 4592 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P5059 Q62702-P5060 Gehäuse Package 5 mm-LED-Gehäuse (T1 3/4), klar, Anschlüsse im 2,54-mm Raster, Anodenkennzeichnung: kurzer Anschluß 5-mm-LED package (T1 3/4), clear, solder tabs 2.54-mm (1/10”), anode marking: short lead Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaβstrom Forward current Stoβstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, freie Beinchenlänge max. 10 mm Thermal resistance junction - ambient, lead length between package bottom and PCB max. 10 mm Symbol Symbol Top; Tstg VR IF (DC) IFSM Ptot RthJA Wert Value – 40 ... + 100 3 100 2 200 375 Einheit Unit °C V mA A mW K/W Semiconductor Group 2 1998-09-08 SFH 4591 SFH 4592 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength of peak emission IF = 100 mA, tP = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tP = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle SFH 4591 SFH 4592 Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Symbol Symbol λpeak Wert Value 880 Einheit Unit nm ∆λ 25 nm ϕ ±7 ± 18 A L×B L×W 0.09 0.3 × 0.3 10 Grad deg. mm2 mm ns Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von tr, tf 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, tP = 20 ms, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 100 mA, tP = 20 ms, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 3 V Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Co 35 pF VF VF IR 1.5 (≤ 2.0) 3.0 (≤ 3.8) 0.01 (≤ 10) V V µA Φe 25 mW TCI – 0.44 %/K Semiconductor Group 3 1998-09-08 SFH 4591 SFH 4592 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Lötbedingungen Soldering Conditions Tauch-, Schwall- und Schlepplötung Dip, wave and drag soldering Lötbadtemperatur Maximal zulässige Lötzeit Max. perm. soldering time 10 s Abstand Lötstelle – Gehäuse Distance between solder joint and case Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze) Iron soldering (with 1.5-mm-bit) Temperatur des Kolbens Maximale zulässige Lötzeit Abstand Lötstelle – Gehäuse Distance between solder joint and case Symbol SFH 4591 Ie min Ie typ Ie typ 40 80 600 Werte Values SFH 4592 25 40 300 mW/sr Einheit Unit Symbol Symbol TCV TCλ Wert Value –2 + 0.13 Einheit Unit mV/K nm/K mW/sr Temperature of the soldering bath 260 °C Temperature Max. permissiof the solder- ble soldering ing iron time 300 °C 3s ≥ 1.5 mm ≥ 1.5 mm Semiconductor Group 4 1998-09-08 SFH 4591 SFH 4592 I Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 % Ι rel 90 80 OHF00366 Radiant intensity e ---------------- = f (I F) - Single pulse, tp = 20 µs Ι e (100 mA) 1 I e 100mA Max. permissible forward current IF = f (TA) 120 OHF00359 Ιe 10 2 OHF00363 Ι F mA 100 10 70 60 50 40 30 20 10 0 700 750 800 850 900 nm λ 1000 80 R thjA = 375 K/W 10 0 60 40 10 -1 20 10 -2 -2 10 10 -1 10 0 ΙF A 10 1 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA Forward current IF = f (VF) single pulse, tp = 20 µs 10 1 OHF00362 Radiation characteristics Irel = f (ϕ), SFH 4591 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ 1.0 OHF00365 ΙF A ϕ 50˚ 0.8 10 0 60˚ 0.6 70˚ 10 -1 0.4 80˚ 90˚ 0.2 0 10 -2 0 0.5 1 1.5 2 2.5 V 3 VF 100˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ Permissible pulse power Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C 10 1 OHF00361 Radiation characteristics Irel = f (ϕ), SFH 4592 40˚ 30˚ 20˚ ϕ 10˚ 0˚ 1.0 OHR00397 ΙF A 5 tp D= tp T T D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 ΙF 50˚ 0.8 60˚ 0.6 10 0 70˚ 0.4 5 80˚ 90˚ 0.2 0 10 -1 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp 100˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ Semiconductor Group 5 1998-09-08