SFH4595

Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4590 SFH 4595 2.7 2.3 2.05 R 1.95 2.7 2.4 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 (3.2) (R 2.8) (3.2) 5.8 5.4 GEO06968 14.7 13.1 2.54 mm spacing 0...0.1 3.7 3.3 Cathode 4.5 3.9 7.7 7.1 Chip position 8.0 7.4 15.5 14.7 2.54 mm spacing 2.05 R 1.95 2.7 2.4 4.5 3.9 4.8 4.4 SFH 4590 (3.2) (R 2.8) (3.2) 5.8 5.4 GEO06969 Cathode 4.5 3.9 7.7 7.1 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 4.8 4.4 SFH 4595 1 1998-09-09 SFH 4590 SFH 4595 Wesentliche Merkmale q Hohe Pulsleistung sowie hoher Gesamtstrahlungsfluß Φe q Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns) q Geringe Vorwärtsspannung und Leistungsaufnahme q Sehr hohe Langzeitstabilität q Hohe Zuverlässigkeit q Gegurtet lieferbar q Geeignet für Oberflächenmontage (SMT) q Gleiches Gehäuse wie Photodiode SFH 2500/ SFH 2505 und Phototransistor SFH 3500/ SFH 3505 q Spektrale Anpassung an Si-Photodetektoren Anwendungen q Schnelle Datenübertragung mit Features q High pulse power and high radiant flux Φe q Very short switching times (10 ns) q Low forward voltage and power dissipation q Very high long-time stability q High reliability q Available on tape and reel q Suitable for surface mounting (SMT) q Same package as photodiode SFH 2500/ SFH 2505 and phototransistor SFH 3500/ SFH 3505 q Spectral match with silicon photodetectors Applications q High data transmission rate up to 100 Mbaud q q q q q Übertragungsraten bis zu 100 Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalübertragung Batteriebetriebene Geräte (geringe Stromaufnahme) Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsansprüchen bzw. erhöhten Ansprüchen Alarm- und Sicherungssysteme IR Freiraumübertragung (IR keyboard, Joystick, Multimedia) q Analog and digital Hi-Fi audio and video signal transmission q Low power consumption (battery) equipment q Suitable for professional and high-reliability applications q Alarm and safety equipment q IR free air transmission Typ Type SFH 4590 SFH 4595 Bestellnummer Ordering Code on request on request Gehäuse Package 5 mm-LED-Gehäuse (T1 3/4), klar, Anschlüsse im 2,54-mm Raster, Anodenkennzeichnung: kurzer Anschluß 5-mm-LED package (T1 3/4), clear, solder tabs 2.54-mm (1/10”), anode marking: short lead Semiconductor Group 2 1998-09-09 SFH 4590 SFH 4595 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaβstrom Forward current Stoβstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, freie Beinchenlänge max. 10 mm Thermal resistance junction - ambient, lead length between package bottom and PCB max. 10 mm Symbol Symbol Top; Tstg VR IF (DC) IFSM Ptot RthJA Wert Value – 40 ... + 100 3 100 2 200 375 Einheit Unit °C V mA A mW K/W Semiconductor Group 3 1998-09-09 SFH 4590 SFH 4595 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength of peak emission IF = 100 mA, tP = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tP = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Symbol Symbol λpeak Wert Value 880 Einheit Unit nm ∆λ 25 nm ϕ A L×B L×W ± 14 0.09 0.3 × 0.3 10 Grad deg. mm2 mm ns Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von tr, tf 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, tP = 20 ms, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 100 mA, tP = 20 ms, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 3 V Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Co 35 pF VF VF IR 1.5 (≤ 2.0) 3.0 (≤ 3.8) 0.01 (≤ 10) V V µA Φe 25 mW TCI – 0.44 %/K Semiconductor Group 4 1998-09-09 SFH 4590 SFH 4595 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Lötbedingungen Soldering Conditions Tauch-, Schwall- und Schlepplötung Dip, wave and drag soldering Lötbadtemperatur Maximal zulässige Lötzeit Max. perm. soldering time 10 s Abstand Lötstelle – Gehäuse Distance between solder joint and case Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze) Iron soldering (with 1.5-mm-bit) Temperatur des Kolbens Maximale zulässige Lötzeit Abstand Lötstelle – Gehäuse Distance between solder joint and case Symbol Ie min Ie typ Ie typ Werte Values 25 60 350 Einheit Unit mW/sr Symbol Symbol TCV TCλ Wert Value –2 + 0.13 Einheit Unit mV/K nm/K mW/sr Temperature of the soldering bath 260 °C Temperature Max. permissiof the solder- ble soldering ing iron time 300 °C 3s ≥ 1.5 mm ≥ 1.5 mm Semiconductor Group 5 1998-09-09 SFH 4590 SFH 4595 I Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 % Ι rel 90 80 OHF00366 Radiant intensity e ---------------- = f (I F) - Single pulse, tp = 20 µs Ι e (100 mA) 1 I e 100mA Max. permissible forward current IF = f (TA) 120 OHF00359 Ιe 10 2 OHF00363 Ι F mA 100 10 70 60 50 40 30 20 10 0 700 750 800 850 900 nm λ 1000 80 R thjA = 375 K/W 10 0 60 40 10 -1 20 10 -2 -2 10 10 -1 10 0 ΙF A 10 1 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA Forward current IF = f (VF) single pulse, tp = 20 µs 10 1 OHF00362 Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 1.0 50 0.8 OHF00265 ΙF A 10 0 60 0.6 70 10 -1 0.4 80 90 0.2 0 10 -2 0 0.5 1 1.5 2 2.5 V 3 VF 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Permissible pulse power Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C 10 1 OHF00361 ΙF A 5 tp D= tp T T D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 ΙF 10 0 5 10 -1 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp Semiconductor Group 6 1998-09-09