SFH482-1

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480 SFH 481 SFH 482 2.54mm spacing ø0.45 ø4.8 ø4.6 1 0.9 .1 Chip position (2.7) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400) Radiant Sensitive area ø5.6 ø5.3 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g GEO06314 ø0.45 (2.7) Chip position Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 0 2.54 mm spacing welded 14.5 12.5 Approx. weight 0.35 g Chip position (2.7) ø0.45 5.5 5.0 14.5 12.5 5.3 5.0 ø5.6 ø5.3 GET06013 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 1 1998-04-16 fet06092 Cathode (SFH 402, BPX 65) Anode (SFH 482) 2.54 spacing ø4.8 ø4.6 Radiant sensitive area 1.1 .9 0 1.1 0.9 fet06091 5.3 5.0 6.4 5.6 ø4.8 ø4.6 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 GET06091 glass lens fet06090 1.1 .9 0 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Wesentliche Merkmale q Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren q Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden q Hohe Zuverlässigkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger q Hermetisch dichtes Metallgehäuse q SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216 q SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43, BPY 63 q SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38, BPX 65 Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q IR-Gerätefernsteuerungen Features q GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q Anode is electrically connected to the case q High reliability q Matches all Si-Photodetectors q Hermetically sealed package q SFH 480: Same package as SFH 216 q SFH 481: Same package as BPX 43, BPY 63 q SFH 482: Same package as BPX 38, BPX 65 Applications q Photointerrupters q IR remote control of various equipmet Typ Type SFH 480-2 SFH 480-3 SFH 481 SFH 481-1 SFH 481-2 SFH 482 SFH 482-1 SFH 482-2 SFH 482-3 Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1088 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665 Q62703-Q1089 Q62703-Q1667 Q62703-Q1668 Q62703-Q1669 Gehäuse Package 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mmRaster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden 18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: projection at package SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186 Semiconductor Group 2 1998-04-16 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Grenzwerte (TC = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description SFH 481: Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range SFH 480, SFH 482: Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 mA Abstrahlwinkel Half angle SFH 480 SFH 481 SFH 482 Aktive Chipfläche Active chip area Symbol Symbol λpeak Wert Value 880 Einheit Unit nm Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 Einheit Unit °C Top; Tstg Top; Tstg – 55 ... + 125 °C Tj VR IF IFSM Ptot RthJA RthJC 100 5 200 2.5 470 450 160 °C V mA A mW K/W K/W ∆λ 80 nm ϕ ϕ ϕ ±6 ± 15 ± 30 0.16 Grad deg. mm2 A Semiconductor Group 3 1998-04-16 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 480 SFH 481 SFH 482 Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, Symbol Symbol Wert Value 0.4 × 0.4 Einheit Unit mm L×B L×W H H H tr, tf 4.0 ... 4.8 2.8 ... 3.7 2.1 ... 2.7 0.6/0.5 mm mm mm µs Co 25 pF VF VF IR 1.50 (≤ 1.8) 3.00 (≤ 3.8) 0.01 (≤ 1) V V µA Φe 12 mW TCI – 0.5 %/K IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCV TCλ –2 + 0.25 mV/K nm/K Semiconductor Group 4 1998-04-16 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Symbol SFH 480-2 Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min Ie max Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Bezeichnung Description SFH 480-3 Wert Value SFH 481 SFH 481-1 SFH 481-2 Einheit Unit 40 – 63 – 10 – 10 20 16 – mW/sr mW/sr Ie typ. Symbol Symbol 540 630 220 Wert Value 130 220 mW/sr Einheit Unit SFH 482 Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min Ie max Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs 1) SFH 482-1 SFH 482-2 SFH 482-3 SFH 482-M E 78001) 3.15 – 3.15 6.3 5 10 8 – 1.6 ... 3.2 – mW/sr mW/sr Ie typ. – 40 65 80 – mW/sr 1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, daβ bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation. Semiconductor Group 5 1998-04-16 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Radiation characteristics, SFH 480 Irel = f (ϕ) 40 30 20 ϕ 10 0 1.0 OHR01888 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Radiation characteristics, SFH 481 Irel = f (ϕ) 40 30 20 ϕ 10 0 1.0 OHR01889 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Radiation characteristics, SFH 482 Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 1.0 OHR01890 ϕ 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 6 1998-04-16 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 Ι rel % 80 OHR00877 Radiant intensity Ie = f (IF) Ie 100 mA OHR00878 Single pulse, tp = 20 µs 10 2 Ιe Ι e (100mA) 10 1 Max. permissible forward current SFH 481, IF = f (TA, TC) 240 OHR00946 Ι F mA 200 160 60 10 0 R thJC = 160 K/W 120 40 10 -1 80 20 10 -2 R thJA = 450 K/W 40 0 750 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 λ 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 ΙF 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T A,T C Forward current, IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 µs 10 1 OHR00881 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TC = 25 °C, duty cycle D = parameter 10 4 OHR00948 Max. permissible forward current SFH 480, SFH 482, IF = f (TA, TC) 240 OHR00396 ΙF A Ι F mA 5 tp tp D= T D = 0.005 0.01 0.02 0.05 ΙF T Ι F mA 200 10 0 160 R thJC = 160 K/W 10 -1 10 3 0.1 0.2 120 5 10 -2 80 R thJA = 450 K/W 0.5 40 DC 10 -3 0 1 2 3 4 5 6 V VF 8 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 s 10 0 tp 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 130 T A,T C Semiconductor Group 7 1998-04-16