SFH484-2

GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 Area not flat 0.6 0.4 2.54 mm spacing 0.8 0.5 9.0 8.2 7.8 7.5 Cathode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 Chip position GEX06271 Approx. weight 0.5 g Area not flat 0.6 0.4 2.54 mm spacing 0.8 0.5 9.0 8.2 7.8 7.5 Cathode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 1.5 29 27 4.8 4.2 Chip position 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Gute spektrale Anpassung an Features q q q q q Si-Fotoempfänger q SFH 484: Gehäusegleich mit LD 274 q SFH 485: Gehäusegleich mit SFH 300, Fabricated in a liquid phase epitaxy process High reliability Spectral match with silicon photodetectors SFH 484: Same package as LD 274 SFH 485: Same package as SFH 300, SFH 203 SFH 203 Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern q Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb tape recorders, dimmers q Remote control for steady and varying intensity Semiconductor Group 1 1997-11-01 fex06305 GEX06305 fex06271 1.8 1.2 29 27 5.7 5.1 0.6 0.4 SFH 484 SFH 485 Typ Type SFH 484 SFH 484-1 SFH 484-2 SFH 485 SFH 485-2 Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1092 Q62703-Q1755 Q62703-Q1756 Q62703-Q1093 Q62703-Q1547 Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), klares violettes EpoxyGießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichung: kürzerer Anschluß 5 mm LED package (T 1 3/4), violet-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. 10 mm Thermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. 10 mm Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 100 5 100 2.5 200 375 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA Semiconductor Group 2 1997-11-01 SFH 484 SFH 485 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % von Irel Spectral bandwidth at 50 % of Irel IF = 100 m A Abstrahlwinkel Half angle SFH 484 SFH 485 Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 484 SFH 485 Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Symbol Symbol λpeak Wert Value 880 Einheit Unit nm ∆λ 80 nm ϕ ϕ ±8 ± 20 0.16 0.4 × 0.4 Grad deg. mm2 mm A L×B L×W H H tr, tf 5.1 ... 5.7 4.2 ... 4.8 0.6/0.5 mm mm µs Co 25 pF VF VF IR 1.50 (≤ 1.8) 3.00 (≤ 3.8) 0.01 (≤ 1) V V µA Φe 25 mW Semiconductor Group 3 1997-11-01 SFH 484 SFH 485 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value – 0.5 Einheit Unit %/K TCI TCV TCλ –2 0.25 mV/K nm/K Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr bei SFH 484 bzw. Ω = 0.01 sr bei SFH 485 Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.001 sr at SFH 484 or Ω = 0.01 sr at SFH 485 Bezeichnung Description Symbol SFH 484 Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Ie min Ie max 50 160 SFH 484-1 50 100 Wert Value SFH 484-2 > 80 – SFH 485 16 80 SFH 485-2 > 25 – mW/sr mW/sr Einheit Unit Ie typ. 800 700 900 300 340 mW/sr Radiation characteristics, SFH 484 Irel = f (ϕ) 40 30 20 ϕ 10 0 1.0 OHR01891 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 4 1997-11-01 SFH 484 SFH 485 Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 Ι rel % 80 OHR00877 Ie = f (IF) Ie 100 mA Single pulse, tp = 20 µs Radiant intensity 10 2 Ιe Ι e (100mA) 10 1 OHR00878 Max. permissible forward current IF = f (TA) 125 OHR00880 Ι F mA 100 60 10 0 75 40 10 -1 50 20 10 -2 25 0 750 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 λ 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 ΙF 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 10 1 OHR00881 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter 10 4 mA OHR00886 Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board IF = f (I), TA = 25 °C 120 mA OHR00949 ΙF A ΙF 10 0 10 3 0.1 0.2 D = 0.005 0.01 0.02 0.05 Ι F 100 80 10 -1 0.5 10 2 DC 60 40 10 -2 D= 10 -3 tp T tp ΙF 20 0 1 2 3 4 5 6 V VF 8 T 10 1 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 0 10 1 s 10 2 tp 0 5 10 15 20 25 mm 30 Radiation characteristics, SFH 485 Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 1.0 OHR01892 ϕ 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 5 1997-11-01