物料型号：
- 型号为3VD395600YL。
器件简介：
- 3VD395600YL是一款采用先进硅外延平面技术的高压N沟道增强型功率MOSFET芯片。
- 该芯片具有增强的电压阻断能力，并且规定了雪崩能量。
- 芯片的源-漏二极管恢复时间与离散快速恢复二极管相当。
- 芯片可封装在TO-220类型中，典型等效产品为7N60。
引脚分配：
- 1-Gate PAD（栅极）
- 3-Source PAD（源极）
参数特性：
- 漏-源电压（VDS）：600V
- 栅-源电压（VGS）：±30V
- 漏电流（ID）：7.0A
- TO-220封装的功率耗散（PD）：147W
- 工作结温（TJ）：-55~+150°C
- 存储温度（Tstg）：-55~+150°C
功能详解：
- 该芯片广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
- 芯片尺寸为4.04mm3.88mm，厚度为300±20μm。
- 顶层金属为Al（铝），背面金属为Ag（银）。
应用信息：
- 广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
封装信息：
- 芯片可封装在TO-220类型中。
