SBD10L45BT3

SBD10L45BT3/T 说明书 10A、45V肖特基整流管 描述 SBD10L45BT3/T 硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管，广泛应 用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。 特点  具有过压保护的保护环结构  高电流冲击能力  低功耗，高效率  正向压降低 产品规格分类 产品名称 SBD10L45BT3TR SBD10L45BT 封装形式 打印名称 材料 包装 TO-277 10L45B 无铅 编带 TO-220HW-3L SBD10L45BT 无铅 料管 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 符 号 额定值 单 位 最大反向峰值电压 VRRM 45 V 正向平均整流电流 IFAV 10 A 正向峰值浪涌电流@8.3ms IFSM 200 A TJ 125 °C TSTG -55~125 °C 符号 额定值 单位 RΘjc 86.6 °C/W 工作结温范围 芯片存储温度范围 热阻特性 参数名称 芯片对管壳热阻（TO-277） 电参数规格(单管脚) 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 IF=5A 正向压降 IF=10A VF IF=5A IF=10A 反向漏电流 IR 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn TA=25°C TA=125°C 最小值 典型值 最大值 单位 -- 0.38 -- V -- 0.42 0.47 V -- 0.28 -- V -- 0.35 0.41 V VR=45V TA=25°C -- 45 200 μA VR=45V TA=125°C -- 18 40 mA 版本号：1.0 共4页 第1页 SBD10L45BT3/T 说明书 士兰微电子 典型特性曲线 图2、典型反向特性 图1、典型正向特性 100000 100 150°C 25°C 50°C 125°C 10 10000 瞬态反向电流（μA） 瞬态正向电流（A） 75°C 100°C 125°C 150°C 1 0.1 100°C 75°C 1000 50°C 100 25°C 10 1 0.01 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0 10 瞬态正向压降 （V） 图3、电容和反向电压的关系 50 图4、正向电流降额曲线 12 f=1MHz 5000 10 4000 正向电流（A） 结电容（pF） 40 30 瞬态反向压降 （V） 6000 3000 2000 1000 0 20 8 6 4 2 0 5 10 15 20 25 30 反向电压（V） 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 35 40 45 0 0 20 40 60 80 100 120 140 环境温度（℃） 版本号：1.0 共4页 第2页 SBD10L45BT3/T 说明书 士兰微电子 封装外形图 TO-277 单位: mm 3.90~4.05 1.1±0.1 3.054TYP 0.30~0.45 0.8±0.1 1.70~1.90 3.549TYP Pin 1 0.6±0.1 1.84TYP 1.10~1.45 5.30~5.45 6.5±0.2 Pin 2 Pin 3 0.30~0.45 0.9±0.1 TO-220HW-3L 单位: mm 4.30 1.25 1.80 0.70 1.26 4.50 1.27 2.50 0.80 4.70 1.40 2.80 0.95 1.50 0.33 15.10 1.42 0.38 15.70 0.40 16.10 8.80 9.60 9.15 10.20 10.40 9.40 2.54 6.10 6.50 7.00 12.60 13.10 13.60 3.50 2.70 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 2.90 版本号：1.0 共4页 第3页 SBD10L45BT3/T 说明书 士兰微电子 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 产品名称： SBD10L45BT3/T 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 1.0 作 者： 殷资 修改记录： 1. 正式发布版本 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.0 共4页 第4页