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SD6835

SD6835

  • 厂商:

    SILAN(士兰)

  • 封装:

    DIP8_9.4X6.35MM

  • 描述:

    内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM控制器系列

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  • 价格&库存
SD6835 数据手册
士兰微电子 SD6835 说明书 内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM控制器系列 描述 SD6835是用于开关电源的内置高压MOSFET外置采样电阻 的电流模式PWM+PFM控制器系列产品。 该电路待机功耗低,启动电流低。在待机模式下,电路进入 打嗝模式,从而有效地降低电路的待机功耗。 电路的开关中心频率为25~67KHz,随负载而定。抖动的开 关频率,可以获得较低的EMI。 内置峰值电流补偿电路,可以使不同交流电压输入时极限峰 值电流一致。内置极限输出功率补偿电路,可以使不同交流电压 输入时极限输出功率平衡。内置斜坡补偿电路,以适应更宽变压 器应用。上电时,峰值电流补偿最大,然后逐渐达到平衡,可以 减小在上电过程中变压器的应力,防止变压器饱和。还可以通过 CS端电阻调节极限峰值电流。 电路内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁定,过 压保护,过载保护,脉冲前沿消隐和温度保护功能。在电路发生 保护以后,电路可以不断自动重启,直到系统正常为止。 应用 ∗ 开关电源 主要特点 ∗ 能源之星2.0标准 ∗ 低启动电流 ∗ 随负载而变的开关频率可以提高效率 ∗ 抖动的开关频率可以降低EMI ∗ 过压、过载、过温保护 ∗ 外置峰值电流采样电阻 ∗ 极限输出功率补偿 ∗ 斜坡补偿 ∗ 欠压锁定 ∗ 内部集成高压MOSFET ∗ 自动重启 ∗ 峰值电流补偿电路 ∗ 初始化峰值电流最大补偿,实现软启动功能 ∗ 打嗝模式 ∗ 逐周期限流 产品规格分类 产品名称 封装类型 打印名称 材料 包装 SD6835 DIP-8-300-2.54 SD6835 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号:0.6 2012.12.27 共8页 第1页 士兰微电子 SD6835 说明书 典型输出功率能力 190~265V 产品 SD6835 85~265V 适配器 开放式 适配器 开放式 22W 26W 20W 24W 内部框图 FB VCC 极限输出功率 补偿电路 振荡器 - 频率抖动 6 Drain 7 S Q 8 R 内部偏置 控制 驱动 - 16.5V 8.5V GND 1 CS 斜坡电压 + 3 降频模式 控制电路 电平线性转换 + 比较器 前沿 消隐 过压、过流、 过载、过温保护 打嗝模式控制 斜坡补偿 电路 峰值电流补偿电路 斜坡电压 FB 2 4 CS 极限参数 参 数 符 号 参 数 范 围 单 位 漏栅电压(RGS=1MΩ) VDGR 650 V 栅源(地)电压 VGS ±30 V IDM 20 A ID 7.0 A EAS 350 mJ VCC,MAX 28 V 反馈输入端电压 VFB -0.3~7 V 峰值电流采样端电压 VCS -0.3~2 V 容许功耗 PD 6.3 W 环境热阻 θja 77 °C/W 表面热阻 θjc 20 °C/W 工作结温 TJ +150 °C 工作温度范围 TORG -25~+85 °C 贮存温度范围 TSTG -55~+150 °C 注1 漏端电流脉冲 漏端连续电流(Tamb=25°C) 注2 信号脉冲雪崩能量 供电电压 注:1. 脉冲宽度由最大结温决定; 2. L=51mH, TJ=25°C(起始)。 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号:0.6 2012.12.27 共8页 第2页 士兰微电子 SD6835 说明书 电气参数(感应 MOSFET 部分,除非特殊说明, Tamb=25°C) 参 数 漏源击穿电压 符 号 BVDSS 零栅压漏端电流 IDSS 静态漏源导通电阻 RDS(ON) 测试条件 VGS=0V,ID=50µA 最小值 典型值 最大值 单位 650 -- -- V VDS=650V,VGS=0V -- -- 50 µA VDS=480V,VGS=0V Tamb=125°C -- -- 200 µA VGS=10V,ID=3A 1.1 1.6 2.1 Ω 输入电容 CISS VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz 520 700 950 pF 输出电容 COSS VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz 50 86 120 pF 反向传输电容 CRSS VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz 1.8 3.5 6.5 pF 导通延迟时间 TD(ON) VDD=0.5BVDSS ,ID=25mA 13 20 26 ns TR VDD=0.5BVDSS ,ID=25mA 37 51 68 ns TD(OFF) VDD=0.5BVDSS ,ID=25mA 26 37 50 ns TF VDD=0.5BVDSS ,ID=25mA 21 32 44 ns 最大值 单位 上升时间 关断延迟时间 下降时间 电气参数(除非特殊说明,VCC=12V,Tamb=25°C) 参 数 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 欠压部分 上电启动电压 VSTART 15 16.5 17.5 V 关断电压 VSTOP 7.5 8.5 9.5 V 振荡部分 振荡频率最大值 fOSCMAX VFB=3V 61 67 73 KHz 振荡频率最小值 fOSCMIN VBURL
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