SD8666QSTR

SD8666QS 说明书 士兰微电子 内置高压功率MOSFET的多重模式开关电源控制器 描述 SD8666QS 是用于开关电源的内置高压功率 MOSFET、外置采样电阻 的准谐振电流模式 PWM+PFM 控制器。 SD8666QS 具有多重模式控制：在重载下，高压时工作在 QR 模式， 可以减小开关损耗，低压时工作固定频率（65KHz）的 CCM 模式。在中载 和轻载下，工作在 QR+PFM 模式，可以提高转换效率。在空载下，进入打 嗝模式，有效地降低电路的待机功耗。 SD8666QS 具有抖频功能，以降低 EMI。具有峰值电流补偿功能，在 EHSOP-5-325-1.7 不同的 AC 输入电压下能保持极限输出功率一致。还有软启动功能，在上电 过程中减小器件应力。 SD8666QS 内部集成了各种异常状态的保护功能，包括 VCC 过压保护， 输出过载保护，输出过压保护，前沿消隐，逐周期峰值限流，输出二极管短 路保护，AC 输入电压欠压和过温保护等。 主要特点 应用  QR 模式改善 EMI 和减小开关损耗  开放式电源  轻载下的 PFM 模式提高效率  适配器  空载时进入打嗝模式  机顶盒电源  低压重载升频提高极限输出功率  抖频改善 EMI  峰值电流补偿  软启动  VCC 过压保护  输出过载保护  前沿消隐  逐周期峰值限流  输出二极管短路保护  AC 输入电压欠压保护  外部可设的输出过压保护  过温保护 产品规格分类 封装类型 打印名称 环保等级 包装方式 SD8666QS EHSOP-5-325-1.7 SD8666QS 无卤 料管 SD8666QSTR EHSOP-5-325-1.7 SD8666QS 无卤 编带 产品名称 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.3 共 10 页 第 1 页 SD8666QS 说明书 士兰微电子 典型输出功率能力 85~265V 产品名称 SD8666QS 适配器 开放式 36W 48W 内部框图 3 DRAIN VCC 6 过温保护 + 26V - 0.15V DEM 4 - 谷底锁定 2.5V - 110uA 95uA + - AVDD - VCC 开启/关断 - FB valley - - Q valley 输出 过压保护 AC输入 欠压保护 输出 过载保护 MOSFET 栅极驱动 逻辑控制 抗干扰 检测 + R 5V 检测延时 - + 峰值电流 补偿 - 软启动 + 斜坡补偿 Q VCC锁定 S 峰值限流 比较器 CS 前沿消隐 1 锁定控制 抖频 打嗝模式 + 2V 1.3V R 重启控制 S + 1.1V 1V Q S 谷底检测 + 4.2V AVDD R + 输入电压 检测 5 16V 8V + 内部低压 电源 + VCC 过压保护 振荡器 脉宽调制 比较器 GND - 2 降频模式 检测延时 + 输出二极管 短路保护 - 1V 极限参数（除非特殊说明，Tamb=25C） 参数 符号 参数范围 单位 漏栅电压（RGS=1M） VDGR 650 V 栅源（地）电压 VGS ±30 V ID 7 A VCC端供电电压 VCCMAX 28 V FB端输入电压 VFB -0.3~5 V CS端输入电压 VCS -0.3~5 V BO端输入电压 VBO -0.3~5 V TJ 150 C 工作温度范围 Tamb -25~85 C 贮存温度范围 TSTG -55~150 C 漏端连续电流(Tamb=25C) 工作结温 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.3 共 10 页 第 2 页 SD8666QS 说明书 士兰微电子 电气参数(内置功率 MOSFET 部分，除非特殊说明，Tamb=25C) 参数 漏源击穿电压 零栅压漏端电流 静态漏源导通电阻 符号 BVDSS IDSS RDS(ON) 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 650 -- 760 V VDS=650V，VGS=0V 0 -- 1 µA VDS=480V，VGS=0V，Tamb=125C 0 -- 10 µA VGS=10V，ID=5A -- 0.55 --  最小值 典型值 最大值 单位 VGS=0V，ID=50µA 电气参数(除非特殊说明，VCC=18V，Tamb=25C) 参数 符号 测试条件 开启关断 VCC开启电压 VCCSTART -- 15 16 17 V VCC关断电压 VCCSTOP -- 7 8 9 V VCC静态电流 ICC0 VFB=0V 0.5 0.65 0.8 mA VCC工作电流 ICC VFB=3V 1.2 1.5 1.8 mA -- 24.5 26 27.5 V VFB=3V 60 65 70 kHz -- 73 80 87 kHz VFB =3V，VCS=0V 75 80 85 % -- -6 -- 6 % VFB=1.3V 20 23 26 kHz 25C≤Tamb≤85C 0 1 5 % -- 36 45 54 kΩ VCC过压保护点 VCCOVP 振荡频率 正常工作时的振荡频率 QR模式频率最大值 最大占空比 抖频范围 降频后的振荡频率 振荡频率随温度的变化率 fOSC1 fOSCMAX_QR DMAX ΔfOSC_JITTER fOSC2 -- 反馈检测 FB输入阻抗 ZFBIN FB短路电流 IFBSHORT VFB=0V 110 140 170 µA FB开环电压 VFBOPEN FB端悬空 5.0 5.5 6.0 V 输出过载保护点 VFBOLP -- 4.0 4.4 4.8 V 输出过载保护检测延迟 TDFBOLP -- 60 75 90 ms FB降频起始点 VFBFD_START -- 2.2 2.3 2.4 V FB降频结束点 VFBFD_STOP -- 1.6 1.7 1.8 V FB打嗝模式进入点 VFBBURH -- 1.2 1.3 1.4 V FB打嗝模式退出点 VFBBURL -- 1.1 1.2 1.3 V PWM增益 AV_FBCS ΔVFB /ΔVCS -- 3.5 -- V/V 采样检测 LEB时间 TLEB -- 360 400 440 ns 软启动时间 TSS -- 3.5 4 4.5 ms VCSSHORT -- 0.9 1 1.1 V VCS_OC -- 0.65 0.7 0.75 V CS输出二极管短路保护检测点 过流检测阈值 DEM检测 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.3 共 10 页 第 3 页 SD8666QS 说明书 士兰微电子 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BO开启电流 IBOUVPH -- 105 113 120 µA BO关断电流 IBOUVPL -- 90 98 105 µA BO关断抗干扰检测时间 TDBOUVP -- 70 90 110 ms 输出过压保护电压 VTH_OVP -- 2.3 2.5 2.7 V 退磁检测阈值电压 VTH_DEM -- 130 150 170 mV Tsupp -- 2 2.5 3 µS TOTP -- 145 -- 150 C TOTPHYS -- 20 -- 25 C 谐振抑制时间 过温保护 过温保护点 过温保护迟滞 管脚排列图 DRAIN 6 1 2 6 3 4 5 CS GND VCC DEM FB 管脚说明 管脚号 管脚名称 I/O 1 CS I 电流采样端 2 GND -- 地 3 VCC -- 电源输入端 4 DEM I/O 5 FB I 反馈输入端 6 DRAIN O 功率MOSFET漏端 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 功能描述 磁芯退磁检测脚，用于QR模式检测。峰值电流补偿、检测输入电压及输出过压保护 版本号：1.3 共 10 页 第 4 页 SD8666QS 说明书 士兰微电子 功能描述 SD8666QS 是用于开关电源的内置高压功率 MOSFET、外置采样电阻的准谐振电流模式 PWM+PFM 控制器。有多 重模式控制，具有抖频、峰值电流补偿、软启动功能，还集成各种异常状态的保护功能。SD8666QS 可减少外围元件， 增加效率和系统的可靠性，适用于反激式变换器。 多种控制模式 SD8666QS 具有多重模式控制。在重载条件下（VFB>2.3V），系统会有两种工作状态，当输入电压低时，工作在 CCM 模式，此时为 PWM 控制，固定频率 65KHz，当输入电压高时，工作在 DCM 模式，此时工作在 QR 模式，可以减 小开关损耗，最大频率限制在 80KHz。随着负载降低，在中载和轻载条件下（1.7V