SGM100HF12A1TFD

SGM100HF12A1TFD 说明书 士兰微电子 100A, 1200V IGBT模块 0B 描述 SGM100HF12A1TFD 模块性能优良，适用于不间断电源，交流变频 驱动器、电焊机等。 1B 主要特点  100A，1200V，VCE(sat)(典型值) =2.1V@IC=100A  VCE(sat) 带正温度系数  高抗短路能力  低开关损耗  采用铜底板，绝缘 DBC 技术 A1 命名规则 SGM100HF12A1TFD 特征及产品等级： TF 表示短开关时间 ，D 表示工业级 IGBT模块系列 额定电流：如 100=100A 封装形式： 铜底板, DBC, 94mm×34mm×30mm 电路配置: 半桥 电压：如 12=1200V 产品规格分类 产品名称 SGM100HF12A1TFD 封装形式 打印名称 包装 A1 SGM100HF12A1TFD 纸箱 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 符号 参 数 范 围 单位 集电极-发射极电压 VCE 1200 V 栅极-发射极电压 VGE ±20 V 集电极电流 TC=80°C IC 100 A 集电极重复脉冲电流 TC=80°C ICRM 200 A 工作结温范围 TJ -40~+125 °C 储存温度范围 Tstg -40~+125 °C 隔离电压 Viso 2500 V 散热器 M6 Ms 3~5 Nm 接线端 M5 Mt 2.5~5 Nm 重量 W 160 g 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.5 共7页 第1页 SGM100HF12A1TFD 说明书 士兰微电子 热阻特性 参数 符号 参数范围 单位 结-壳热阻 (单个IGBT) RθJC 0.26 °C/W 结-壳热阻 (单个FRD) RθJC 0.40 °C/W 壳-散热器热阻 RθCS 0.03 °C/W IGBT 电气特性参数 (除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 集电极-发射极击穿电压 符号 BVCE 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 1200 -- -- V VCE=1200V，VGE=0V，TC=25°C -- -- 1 mA VCE=1200V，VGE=0V，TC=125°C -- -- 1 mA VGE=0V，IC=1mA 集电极-发射极漏电流 ICES 栅极-发射极漏电流 IGES VGE=±20V，VCE=0V 500 -- 500 nA 栅极阈值电压 VGE(th) IC=250μA，VCE=VGE 5.0 5.6 8 V 集电极-发射极饱和电压 VCE(sat) IC=100A，VGE=15V，TC=25°C -- 2.2 2.8 V IC=100A，VGE=15V，TC=125°C -- 2.6 -- V 输入电容 Cies VCE=25V -- 7880 -- 输出电容 Coes VGE=0V -- 1835 -- 反向传输电容 Cres f=1MHz -- 1072 -- 内置栅极电阻 Rg -- 4.4 -- 导通延迟时间 Td(on) -- 210 -- VCE=600V -- 186 -- Td(off) IC=100A -- 916 -- 下降时间 Tf Rg=35Ω -- 161 -- 导通损耗 Eon VGE=15V -- 24.00 -- 关断损耗 Eoff 感性负载 -- 7.60 -- 总开关损耗 Est -- 31.6 -- 栅极电荷 Qg -- 743 -- -- 381 -- -- 220 -- -- 576 -- A -- -- 10 μs 最小值 典型值 最大值 单位 IF=100A，TC=25°C -- 2.1 -- IF=100A，TC=125°C -- 1.87 -- -- 152 -- ns -- 56 -- A -- 4.7 -- μC 上升时间 Tr 关断延迟时间 栅极-发射极电荷 Qge 栅极-集电极电荷 Qgc SC 数据 Isc SC 数据 Tsc VCE = 200V，IC=100A, VGE = -8~15V VCC = 600V，VGE=15V pF Ω ns mJ nC FRD 电气特性参数 (除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 符号 二极管正向电压 VF 二极管反向恢复时间 Trr 二极管反向恢复电流 Irm 二极管反向恢复电荷 Qrr 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 测试条件 If =100A，di/dt=680A/μs V 版本号：1.5 共7页 第2页 SGM100HF12A1TFD 说明书 士兰微电子 典型特性曲线 图1. 典型输出特性 (25°C) 图2. 典型输出特性 (125°C) 120 120 15V 13V 17V 15V 13V 17V 11V 100 11V 集电极电流 – IC(A) 集电极电流 – IC(A) 100 80 60 40 VGE=9V 20 80 60 VGE=9V 40 20 0 0 1 2 3 4 5 0 0 6 集电极-发射极电压 – VCE(V) 1 4 3 5 6 集电极-发射极电压 – VCE(V) 图 3. 传输特性 图 4. 电容特性 30000 100 95 90 85 80 75 70 65 60 55 50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 25000 电容 - C(pF) 集电极电流 – IC(A) 2 T=125°C 20000 15000 Cies 10000 Coes 5000 T=25°C Cres 2 0 4 6 8 10 0 0.00 5.00 10.0015.0020.0025.0030.0035.0040.00 12 集电极-发射极电压 – VCE(V) 栅极-发射极电压 – VGE(V) 图 6. 开启特性 vs. 栅极电阻 图 5. 栅极电荷特性 300 20 250 16 14 开关时间 - T(ns) 栅极-发射极电压 - VGE(V) 18 12 10 8 6 4 Tr 200 Td(on) 150 100 50 2 0 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 0 10 20 30 40 50 栅极电阻 - Rg(Ω) 栅极电荷 – Q(nC) 200 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.5 共7页 第3页 SGM100HF12A1TFD 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图7. 关断特性 vs. 栅极电阻 图8. 开关损耗 vs. 栅极电阻 1200 30.00 1000 25.00 开关损耗 - E(mJ) 开关时间 - T(ns) Eon Td(off) 800 600 400 200 20.00 15.00 10.00 Eoff 5.00 Tf 0 0.00 0 10 30 20 40 50 0 20 10 栅极电阻 - Rg(Ω) 图9. 开启特性 vs. 集电极电流 图10. 关断特性 vs. 集电极电流 1000 900 Td(on) 200 Td(off) 800 150 开关时间 - T(ns) 开关时间 - T(ns) 50 栅极电阻 - Rg(Ω) 250 Tr 100 50 700 600 500 400 300 200 100 0 Tf 0 60 40 100 80 120 60 40 集电极电流 - IC(A) 图 11. 开关损耗 vs. 集电极电流 图 12. 二极管正向特性 200 正向电流 - IF(A) Eon 20.00 15.00 10.00 150 T=125°C 100 T=25°C 50 5.00 Eoff 0 60 80 100 集电极电流- IC(A) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 120 250 25.00 0.00 40 100 80 集电极电流 - IC(A) 30.00 开关损耗 - E(mJ) 40 30 120 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 正向电压 - VF(V) 版本号：1.5 共7页 第4页 SGM100HF12A1TFD 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图 14. 瞬态热阻抗-脉冲宽度 (IGBT) 图 13. 瞬态热阻抗-脉冲宽度 (FRD) 101 101 70% 热阻抗（标准化） 热阻抗（标准化） 100 50% 30% 10-1 10% 5% 2% 10-2 1% 0.5% 100 70% 50% 30% 10-1 10% 5% 2% 10-2 1% 0.5% 0.2% 0.2% 10-3 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 10 0 10 1 10 2 10-3 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 脉冲宽度(S) 脉冲宽度(S) 图15. 最大安全工作区域 集电极电流 - ID(A) 103 0.1ms 102 1ms 10ms 100ms 101 100 DC 最大结温值：150°C 最大参考温度值： 25°C 直流热阻：0.260°C/W 最大电压值：1200V 最大电流值：200A 10-1 100 101 102 103 104 集电极-发射极电压 - VCE(V) 电路图 6 7 1 3 5 2 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 4 版本号：1.5 共7页 第5页 SGM100HF12A1TFD 说明书 士兰微电子 封装外形图 单位: mm A1 M5 10.0 33.0 30.5 29.5 5.5 22.0 5.0 2.8 34.0 5 4 8 9 16.2 6.4 3 2 1 17.0 26.0 34.0 11 10 6 7 13.0 23.0 23.0 80.0 94.0 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.5 共7页 第6页 士兰微电子 SGM100HF12A1TFD 说明书 产品名称： SGM100HF12A1TFD 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 1.5 作 者： 罗凯 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 谷永利 作 者： 谷永利 作 者： 殷资 修改记录： 1. 版 更新命名规则，的最大值和极限参数表中 TC 改为 80°C 本： 1.4 修改记录： 1. 版 更新电参数和曲线 本： 1.3 修改记录： 2. 版 更新电参数 本： 1.2 修改记录： 1. 版 更新电参数 本： 1.1 修改记录： 1. 修改 FRD 电气特性参数 2. 修改 IGBT 电气特性参数 3. 修改产品规格分类 版 本： 1.0 修改记录： 1. 正式发布版本 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.5 共7页 第7页