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SGT50T65FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 50A、650V绝缘栅双极型晶体管 描述 C 2 SGT50T65FD1PN/P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子最新的第 1 四代场截止（Field Stop IV）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗， G 该产品可应用于电焊机、UPS,SMPS 以及 PFC 等领域。 3 特点 E  50A，650V，VCE(sat)(典型值)=2.0V@IC=50A  低导通损耗  快开关速度  高输入阻抗 12 3 12 3 TO-3P TO-247-3L 命名规则 SGT 50 T 65 F D X 1 PN 士兰IGBT系列 封装形式,如 PN : TO-3P 电流规格,如: 70表示70A等 1,2,3… : 版本号 N : N沟平面栅 NE : N沟平面栅带ESD T : Field Stop 3和4 U : Field Stop 4+ V : Field Stop 5 W: Field Stop 6 X : Field Stop 7 空: 标准二极管（Standard M : 标准二极管、全电流规格（Standard Full R : 快速二极管（Rapid B : 快速二极管、全电流规格（Rapid Full S : 超软二极管、全电流规格（Soft Full D : 合封二极管 R : 集成二极管（RC IGBT） 电压规格 ，如: 65表示650V 120表示1200V等 L : 超低饱和压降，频率2KHz以下 Q : 低饱和压降，频率2~20KHz S : 标准器件，频率20~30KHz F : 高速器件，频率30~100KHz UF : 超高速器件，频率100KHz以上 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SGT50T65FD1PN TO-3P 50T65FD1 无铅 料管 SGT50T65FD1P7 TO-247-3L 50T65FD1 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共9页 第1页 SGT50T65FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 符 号 参数范围 单位 集电极-射极电压 VCE 650 V 栅极-射极电压 VGE ±20 V 瞬态栅极-射极电压 VGEM ±30 V TC=25C 集电极电流 TC=100C 集电极脉冲电流 100 IC 50 A ICM 150 A 二极管电流 IF 25 A 耗散功率（TC=25C） PD 235 W 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 参数范围 单位 热阻特性 参 数 符 号 芯片对管壳热阻（IGBT） RθJC 0.53 C/W 芯片对管壳热阻（FRD） RθJC 1.48 C/W 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共9页 第2页 SGT50T65FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 IGBT 电性参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 集射击穿电压 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVCE VGE=0V, IC=250uA 650 -- -- V 集射漏电流 ICES VCE=600V, VGE=0V -- -- 200 uA 栅射漏电流 IGES VGE=20V, VCE=0V -- -- ±400 nA 4.0 5.0 6.5 V IC=50A,VGE=15V，TC=25C -- 2 IC=50A,VGE=15V，TC=125C -- 2.2 -- 栅极开启电压 VGE(th) 饱和压降 VCE(sat) IC=250uA, VCE=VGE V 输入电容 Cies VCE=30V -- 4500 -- 输出电容 Coes VGE=0V -- 100 -- 反向传输电容 Cres f=1MHz -- 42 -- 开启延迟时间 Td(on) -- 45 -- 开启上升时间 Tr -- 145 --- VCE=400V 关断延迟时间 Td(off) IC=50A -- 125 关断下降时间 Tf Rg=10Ω -- 130 -- -- 2.8 -- -- 1.0 --- 导通损耗 关断损耗 Eon VGE=15V Eoff 感性负载 开关损耗 Est -- 3.8 栅电荷 Qg -- 148 -- 发射极栅电荷 Qge -- 46 -- 集电极栅电荷 Qgc -- 44 -- 最小值 典型值 最大值 IF=25A, TC=25C -- 1.95 -- IF=25A, TC=125C -- 1.7 -- VCE = 400V, IC=50A, VGE = 15V V pF ns mJ nC FRD 电性参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 二极管正向压降 符 号 VFM 测试条件 单位 V 二极管反向恢复时间 Trr IEC=25A, dIEC/dt=200A/μs -- 33 -- ns 二极管反向恢复电荷 Qrr IEC=25A, dIEC/dt=200A/μs -- 65 -- nC 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共9页 第3页 SGT50T65FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 典型特性曲线 图2. 典型输出特性 图1. 典型输出特性 100 100 共射极 TC=25°C VGE=9V VGE=11V VGE=13V VGE=15V VGE=17V 80 集电极电流– IC(A) 80 集电极电流 – IC(A) 共射极 TC=125°C VGE=9V VGE=11V VGE=13V VGE=15V VGE=17V 60 40 60 40 20 20 0 0 0 1.5 3.0 4.5 0 6.0 1.5 图3. 典型饱和电压特性 6.0 图4. 传输特性 50 100 共发射极 VGE=10V 共射极 VGE=15V 40 TC=25°C 集电极电流 – IC(A) 80 集电极电流 – IC(A) 4.5 集电极-发射极电压 – VCE(V) 集电极-发射极电压– VCE(V) TC=125°C 60 40 30 TC=125°C TC=25°C 20 10 20 0 0 0 1 2 3 4 5 0 6 集电极-发射极电压– VCE(V) 5 15 10 栅极-发射极电压 – VGE(V) 图5. 饱和电压 vs. VGE 图6. 饱和电压 vs. VGE 15 15 共射极 TC=25°C 集电极-发射极电压 – VCE(V) 集电极-发射极电压 – VCE(V) 3.0 10 50A 100A IC=25A 5 0 共射极 TC=125°C 10 50A 100A IC=25A 5 0 4 8 12 16 栅极-发射极电压 – VGE(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 20 4 8 12 16 20 栅极-发射极电压 – VGE(V) 版本号：1.2 共9页 第4页 SGT50T65FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图7. 饱和压降 vs. 温度 图8. 电容特性 6000 共射极 VGE=15V 3.5 5000 IC=100A 3.0 IC=50A 2.5 2.0 Cies 3000 2000 IC=25A 1.5 1000 1.0 25 Coes Cres 0 50 100 75 125 1 壳温 – TC(°C) 100 图10. 导通特性 vs. 栅极电阻 图9. 栅极电荷特性 1000 共射极 VCC=400V, VGE=15V, IC=50A，TC=25°C 共射极 TC=25°C 12 开关时间 [ns] 栅极-发射极电压 - VGE(V) 10 集电极-发射极电压 – VCE(V) 15 9 6 3 tr 100 td(on) VCC=100V VCC=200V VCC=300V 0 10 0 100 50 150 0 10 20 30 40 50 栅极电阻 - RG(Ω) 栅极电荷量 – QG(nC) 图12. 开关损耗 vs. 栅极电阻 图11. 关断特性 vs. 栅极电阻 10000 10000 共射极 VCC=400V, VGE=15V, IC=50A，TC=25°C 共射极 VCC=400V, VGE=15V IC=50A,TC=25°C 开关损耗 [mJ] 开关时间 [ns] 共射极 VGE=0V f=1MHz TC=25°C 4000 电容 (pF) 集电极-发射极电压 - VCE(V) 4.0 1000 td(off) tf 100 Eon Eoff 1000 10 0 10 20 30 栅极电阻 - RG(Ω) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 40 50 0 10 20 30 40 50 栅极电阻 - RG(Ω) 版本号：1.2 共9页 第5页 SGT50T65FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图13. 导通特性 vs. 集电极电流 图14. 关断特性 vs. 集电极电流 1000 1000 共射极 VCC=400V, VGE=15V, RG=10Ω，TC=25°C 开关时间 [ns] tr 100 开关时间 [ns] 共射极 VCC=400V, VGE=15V, RG=10Ω，TC=25°C td(on) td(off) 100 tf 10 10 1 20 0 40 60 20 0 80 集电极电流 - IC(A) 40 60 80 集电极电流 - IC(A) 图15. 开关损耗 vs. 集电极电流 图16. 正向特性 10000 100 共射极 VCC=400V, VGE=15V, RG=10Ω，TC=25°C 正向电流- IFM(A) 开关损耗 [µJ] Eon 1000 Eoff 100 TC=125°C TC=25°C 10 1 20 0 40 60 80 0 集电极电流 - IC(A) 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 正向电压 - VFM(V) 图 17. 反向恢复时间VS.正向电流 图 18. 反向恢复电荷VS.正向电流 40 70 di/dt=100A/us 反向恢复电荷 - Qrr(nC) 反向恢复时间 - Trr(ns) 0.5 35 di/dt=200A/us 30 25 60 di/dt=200A/us 50 40 di/dt=100A/us 30 20 0 20 40 正向电流 - IF(A) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 60 0 20 40 60 正向电流 - IF(A) 版本号：1.2 共9页 第6页 SGT50T65FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图18. 最大安全工作区域 集电极电流 - ID(A) 102 100µs 101 1ms 10ms DC 100 注： 1.最大结温值：150°C 2.参考温度最大值：25°C 10-1 100 101 102 103 集电极-发射极电压 – VCE(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共9页 第7页 SGT50T65FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 封装外形图 TO-3P 单位：mm D A c1 L L1 L2 F2 A1 b1 b b2 4.4 \ 5.2 C1 1.2 \ 1.8 A1 1.2 \ 2 b b1 0.7 1.3 2.7 1 3 b2 1.7 2.3 D 15 2 15.5 C 0.4 0.6 0.8 F2 8.5 \ 10 16 5.45typ e e 3.3 L1 22.6 \ 23.6 L 39 \ 41.5 L2 19.5 \ 21 c TO-247-3L 单位：mm Q E A A2 L1 D E2 E3 SYMBOL A A1 A2 b b2 b4 c D E E2 E3 e L L1 NOM MAX 4.80 5.00 5.20 2.21 2.41 2.59 1.85 1.11 2.00 2.15 1.36 2.21 3.21 1.91 2.91 0.51 0.75 20.80 21.00 21.30 15.50 15.80 16.10 4.40 5.00 5.20 2.30 2.50 2.70 5.44 BSC 19.72 19.92 5.60 5.80 20.22 4.30 6.00 L Q MIN b2 b b4 e 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn C A1 版本号：1.2 共9页 第8页 士兰微电子 SGT50T65FD1PN/P7 说明书 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 产品名称： SGT50T65FD1PN/P7 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 1.2 修改记录： 1. 增加 TO-247-3L 2. 二极管电流改为 25A 版 本： 1.1 修改记录： 1. 增加 Transient 2. 更新封装外形图 版 本： 1.0 修改记录： 1. 正式版本发布 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共9页 第9页