SVD540T

SVD540T/D/K 说明书 SVD540 33A、100V N沟道增强型场效应管 描述 SVD540T/D/K N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士 兰微电子新型平面低压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原 胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于电子镇流器，低功率开关电源。 特点  33A，100V，RDS(on)（典型值）=34mΩ@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包 装 SVD540T TO-220-3L SVD540T 无铅 料管 SVD540D TO-252-2L SVD540D 无卤 料管 SVD540DTR TO-252-2L SVD540D 无卤 编带 SVD540K TO-262-3L SVD540K 无卤 料管 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参数名称 符号 参数范围 SVD540T SVD540D SVD540K 单位 漏源电压 VDS 100 V 栅源电压 VGS ±20 V TC=25°C 漏极电流 TC=100°C 漏极脉冲电流 耗散功率（TC=25°C） - 大于 25°C 每摄氏度减少 33 ID A 23 IDM PD 110 A 130 98 120 W 1.04 0.78 0.96 W/°C 单脉冲雪崩能量（注 1） EAS 695.22 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 °C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 °C 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.7 共8页 第1页 SVD540T/D/K 说明书 士兰微电子 热阻特性 参 数 名 称 参数范围 符号 SVD540T SVD540D SVD540K 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 0.96 1.28 1.04 °C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.0 62.5 °C/W 关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 漏源击穿电压 符 号 BVDSS 测 试 条 件 VGS=0V，ID=250µA VDS=Rated BVDSS，VGS=0V 漏源漏电流 IDSS VDS=0.8 x Rated BVDSS, VGS=0V，TC=125°C 栅源漏电流 IGSS VGS=±20V 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS，ID=250µA 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=16A 输入电容 Ciss 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss 开启延迟时间 td(on) 开启上升时间 tr VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz VDD=50V，ID=16A， RGS=5.1Ω，VGS=10V 最小值 典型值 最大值 单位 100 -- -- V -- -- 25 -- -- 250 -- -- ±100 nA 2.0 -- 4.0 V -- 34 44 mΩ -- 1239.00 -- -- 247.30 -- -- 43.70 -- -- 10.40 -- -- 44.00 -- µA ns 关断延迟时间 td(off) -- 45.80 -- 关断下降时间 tf -- 12.67 -- -- 37.01 -- -- 6.00 -- -- 16.55 -- 栅极电荷量 Qg 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 Qgs Qgd VDS=80V，ID=16A， VGS=10V pF nC 源-漏二极管特性参数 参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N -- -- 33 源极脉冲电流 ISM 结 -- -- 110 源-漏二极管压降 VSD IS=16A，VGS=0V -- -- 1.2 V 反向恢复时间 Trr IS=16A，VGS=0V -- 98.2 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs（注 2） -- 0.37 -- nC A 注： 1. L=1.5mH，IAS=22.5A，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.7 共8页 第2页 SVD540T/D/K 说明书 士兰微电子 典型特性曲线 图1. 输出特性(25°C) 图2. 输出特性(175°C) 1000 变量 变量 VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V VGS=8V VGS=10V VGS=15V 10 漏极电流 – ID(A) 漏极电流 – ID(A) 100 VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V VGS=8V 100 10 注： 1.250µS 脉冲测试 2.TC=25°C 1 0.1 1 注： 1.250µS 脉冲测试 2.TC=175°C 10 1 0.1 100 1 漏源电压 – VDS(V) 图3. 传输特性 图4. 源漏二极管正向压降vs. 源极电流、温度 1000 反向漏极电流 – IDR(A) 25°C 175°C 10 25°C 175°C 100 10 1 注： 1.250µS脉冲测试 2.VGS=0V 注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=30V 1 0.1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 10 0.2 图5. 电容特性 1.0 1.2 1.4 1.6 35 40 12 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd Ciss Coss Crss 1000 注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz 500 VDS=80V VDS=50V VDS=20V 10 栅源电压 – VGS(V) 2500 1500 0.8 图6. 电荷量特性 3000 2000 0.6 0.4 源漏电压 – VSD(V) 栅源电压-VGS(V) 电容(pF) 100 漏源电压 – VDS(V) 100 漏极电流 – ID(A) 10 8 6 4 2 注：ID=16A 0 0.1 0 1 10 漏源电压 – VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 100 0 5 10 15 20 25 30 总栅极电荷 – Qg(nC) 版本号：1.7 共8页 第3页 SVD540T/D/K 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图8-1. 最大安全工作区域(SVD540T) 103 此区域工作受限于RDS(ON) 2.5 102 漏极电流 - ID(A) 漏源导通电阻（标准化） – RDS(ON) 图7. 导通电阻vs.温度特性 3.0 2.0 1.5 1.0 100µs 1ms 10ms 101 DC 100 注： 1. VGS=10V 2. ID=33A 0.5 10-1 100 0.0 0 50 150 100 200 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 结温 – TJ(°C) 图8-3. 最大安全工作区域(SVD540K) 图8-2. 最大安全工作区域(SVD540D) 103 103 此区域工作受限于RDS(ON) 此区域工作受限于RDS(ON) 102 102 100µs 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 1ms 10ms 101 DC 100 10-1 100 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 101 102 103 100µs 1ms 10ms 101 DC 100 10-1 100 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 漏源电压 - VDS(V) 图9. 最大漏极电流vs. 壳温 40 漏极电流 - ID(A) 30 20 10 0 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.7 共8页 第4页 SVD540T/D/K 说明书 士兰微电子 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：1.7 共8页 第5页 SVD540T/D/K 说明书 士兰微电子 封装外形图 单位: mm TO-220-3L 4.30 1.00 1.80 0.60 1.00 4.70 1.50 2.80 4.50 1.30 2.40 0.80 1.00 1.60 0.30 15.10 15.70 0.70 16.10 8.10 9.60 9.20 9.90 10.40 10.00 2.54BSC 6.10 6.50 12.60 13.08 3.40 2.60 3.70 7.00 13.60 3.95 3.90 3.20 单位: mm TO-252-2L MIN NOM MAX A 2.10 2.30 2.50 SYMBOL A1 0 --- 0.127 b 0.66 0.76 0.89 b3 5.10 5.33 5.46 c 0.45 --- 0.65 c2 0.45 --- 0.65 D E 5.80 6.30 6.10 6.60 6.40 6.90 e Eject pin（note1） 2.30TYP H 9.60 10.10 10.60 L 1.40 1.50 1.70 L1 2.90REF 0.60 0.80 1.00 L4 L4 NOTE1：There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin. 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.7 共8页 第6页 SVD540T/D/K 说明书 士兰微电子 封装外形图 单位: mm TO-262-3L 4.4~4.7 9.15±0.10 1.22~1.32 3.3±0.20 13.25~14.00 2.0REF 1.17~1.40 10.16±0.2 2.69±0.10 13.20±0.30 1.23~1.36 0.77~0.89 0.34~0.47 2.54TYP 5.08TYP 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.7 共8页 第7页 SVD540T/D/K 说明书 士兰微电子 产品名称： SVD540T/D/K 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 1.7 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 张科锋 作 者： 张科锋 修改记录： 1. 修改 TO-252-2L 封装信息 2. 修改 TO-220-3L 封装信息 版 本： 1.6 修改记录： 1. 版 修改曲线坐标 本： 1.5 修改记录： 1. 版 修改曲线 本： 1.4 修改记录： 1. 版 修改热阻特性 本： 1.3 修改记录： 1. 版 增加 TO-262-3L 封装 本： 1.2 修改记录： 1. 版 增加 TO-252-2L 封装 本： 1.1 修改记录： 1. 版 修改 MOS 管符号的示意图 本： 1.0 修改记录： 1. 正式发布版本 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.7 共8页 第8页