SVF10N80F

SVF10N80F/K 说明书 士兰微电子 10A、800V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF10N80F/K N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士 兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元 1 胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。 3 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高 1.栅极 2.漏极 3.源极 压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点  10A，800V，RDS(on)(典型值)=0.92@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 1 2 1 3 TO-220F-3L 2 3 TO-262-3L 命名规则 S V F X N E X X X 封装外形标识 例如： F:TO-220F 士兰F-Cell工艺 VDMOS产品标识 额定电流标识,采用1-2位数字； 例如:4 代表 4A,10 代表 10A, 08 代表 0.8A 额定耐压值，采用2位数字 例如：60表示600V，65表示650V 特殊功能、规格标识，通常省略 例如：E 表示内置了ESD保护结构 沟道极性标识，N代表N 沟道 产品规格分类 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF10N80F 产 品 名 称 TO-220F-3L SVF10N80F 无铅 料管 SVF10N80K TO-262-3L SVF10N80K 无卤 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.5 共8页 第1页 SVF10N80F/K 说明书 士兰微电子 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名称 符号 参数范围 SVF10N80F SVF10N80K 单位 漏源电压 VDS 800 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25C 漏极电流 TC=100C 漏极脉冲电流 10.0 ID IDM 耗散功率（TC=25C） - 大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 6.32 PD 40 A 62 230 W 0.50 1.84 W/C EAS 938 mJ 体二极管（注 2） dv/dt 4.5 V/ns MOS 管 dv/dt 耐用性（注 3） dv/dt 50 V/ns 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 热阻特性 参 数 名 称 符号 参数范围 SVF10N80F SVF10N80K 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 2.02 0.54 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.5 C/W 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.5 共8页 第2页 SVF10N80F/K 说明书 士兰微电子 电气参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称 漏源击穿电压 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 800 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=800V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=5.0A -- 0.92 1.15  栅极电阻 Rg 输入电容 Ciss 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss 开启延迟时间 td(on) 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf f=1.0MHz  16 VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz VDD=400V ， RG=25Ω ， ID =10.0V (注 4，5) -- 1626 -- -- 151 -- -- 6.5 -- -- 27 -- -- 40 -- -- 89 -- -- 43 -- 栅极电荷量 Qg VDD=640V ， ID=10.0A ， -- 33 -- 栅极-源极电荷量 Qgs VGS=10V -- 8.6 -- 栅极-漏极电荷量 Qgd -- 13 -- (注 4，5) pF ns nC 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的 -- -- 10.0 源极脉冲电流 ISM 反偏 P-N 结 -- -- 40.0 源-漏二极管压降 VSD IS=10.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=10.0A，VGS=0V， -- 611 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs -- 5.6 -- µC A (注 ) 注： 1. L=30mH，IAS=7.50A，VDD=100V，RG=25，开始温度TJ=25C; 2. VDS=0~400V，ISD