SVF12N60F

SVF12N60T/F/S/K 说明书 12A、600V N沟道增强型场效应管 描述 SVF12N60T/F/S/K 用士兰微电子 F-Cell TM N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及 原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪 崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点  12A，600V， RDS(on)（典型值）=0.58@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF12N60T TO-220-3L SVF12N60T 无铅 料管 SVF12N60F TO-220F-3L SVF12N60F 无铅 料管 SVF12N60S TO-263-2L SVF12N60S 无卤 料管 SVF12N60STR TO-263-2L SVF12N60S 无卤 编带 SVF12N60K TO-262-3L SVF12N60K 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.2 共 10 页 第 1 页 SVF12N60T/F/S/K 说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 参数范围 符 号 SVF12N60T SVF12N60F 单位 SVF12N60S SVF12N60K 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25°C 漏极电流 TC=100°C 漏极脉冲电流 12 ID IDM 耗散功率（TC=25C） PD - 大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 7.6 A 48 225 51 180 213 W 1.8 0.41 1.44 1.7 W/C EAS 798 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 参数范围 单位 热阻特性 参 数 符 号 SVF12N60T SVF12N60F SVF12N60S SVF12N60K 芯片对管壳热阻 RθJC 0.56 2.44 0.69 0.59 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.5 62.5 62.5 C/W 电气参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 600 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=600V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=6.0A -- 0.58 0.75  输入电容 Ciss -- 1367 -- -- 152 -- -- 14.0 -- 漏源击穿电压 VDS=25V，VGS=0V， 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss 开启延迟时间 td(on) VDD=300V，ID=12A， -- 24.33 -- 开启上升时间 tr VGS=10V ，RG=24 -- 51.93 -- 关断延迟时间 td(off) -- 87.93 -- 关断下降时间 tf -- 47.73 -- f=1.0MHz (注 2，3) 栅极电荷量 Qg VDS=480V，ID=12A， -- 33.5 -- 栅极-源极电荷量 Qgs VGS=10V -- 7.57 -- 栅极-漏极电荷量 Qgd -- 15.2 -- 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn (注 2，3) pF ns nC 版本号：2.2 共 10 页 第 2 页 SVF12N60T/F/S/K 说明书 源-漏二极管特性参数 参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 -- -- 12 源极脉冲电流 ISM P-N 结 -- -- 48 源-漏二极管压降 VSD IS=12A，VGS=0V -- -- 1.3 V 反向恢复时间 Trr IS=12A，VGS=0V， -- 530 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µS -- 4.8 -- µC （注 2） 单位 A 注： 1. L=30mH，IAS=6.66A，VDD=100V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 典型特性曲线 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.2 共 10 页 第 3 页 SVF12N60T/F/S/K 说明书 典型特性曲线（续） 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.2 共 10 页 第 4 页 SVF12N60T/F/S/K 说明书 典型特性曲线（续） 图9-4. 最大安全工作区域(SVF12N60K) 图9-3. 最大安全工作区域(SVF12N60S) 102 102 100µs 100µs 1ms 10ms DC 100 此区域工作受限于RDS(ON) 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-1 10-2 10ms DC 100 10-1 10-2 100 101 102 1ms 101 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 101 103 100 此区域工作受限于RDS(ON) 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 漏源电压 - VDS(V) 图10. 最大漏极电流vs. 壳温 14 漏极电流 - ID(A) 12 10 8 6 4 2 0 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.2 共 10 页 第 5 页 SVF12N60T/F/S/K 说明书 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：2.2 共 10 页 第 6 页 SVF12N60T/F/S/K 说明书 封装外形图 单位：毫米 TO-263-2L 10.15±0.30 4.57±0.10 1.5±0.20 5.28±0.20 1.27±0.10 0～0.15 0.81±0.10 0.30～0.55 2.54±0.20 15.25±0.25 8.70±0.20 1.27±0.10 2.54TYP 4.98～5.18 TO-262-3L 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 单位：毫米 版本号：2.2 共 10 页 第 7 页 SVF12N60T/F/S/K 说明书 封装外形图(续) TO-220F-3L 单位：毫米 TO-220-3L 单位：毫米 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.2 共 10 页 第 8 页 SVF12N60T/F/S/K 说明书 声明： 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最  新。 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整  机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！ 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！  产品名称： SVF12N60T/F/S/K 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 2.2 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 林莹 作 者： 林莹 作 者： 林莹 作 者： 林莹 作 者： 林莹 修改记录： 1. 版 修改电气参数 本： 2.1 修改记录： 1. 修改产品规格分类 2. 修改 TO-220-3L 封装信息 版 本： 2.0 修改记录： 1. 版 修改封装信息 本： 1.9 修改记录： 1. 版 修改热阻特性 本： 1.8 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 1.7 修改记录： 1. 版 修改 MOS 管符号的示意图 本： 1.6 修改记录： 1. 版 修改“封装外形图” 本： 1.5 修改记录： 1. 版 增加 TO-262-3L 封装 本： 1.4 修改记录： 1. 版 修改 RDS(on)典型值 本： 1.3 修改记录： 1. 修改 Trr 和 Qrr 的值 2. 修改“电容值” 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.2 共 10 页 第 9 页 文档类型：说明书 3. 版 修改图 5 本： 1.2 作 者： 林莹 作 者： 林莹 作 者： 林莹 修改记录： 1. 版 增加 SVF12N60F 无卤信息 本： 1.1 修改记录： 1. 版 修改“封装外形图” 本： 1.0 修改记录： 1. 原版 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共 10 页 第 10 页