SVF12N65F

SVF12N65T/F 说明书 12A、650V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF12N65T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采 用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进 1 的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 3 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 1.栅极 2.漏极 3.源极 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 ∗ 12A，650V，RDS(on)（典型值）=0.68Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力 12 1 23 TO-220F-3L 3 TO-220-3L 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF12N65T TO-220-3L SVF12N65T 无铅 料管 SVF12N65F TO-220F-3L SVF12N65F 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：1.2 2011.12.27 共8页 第1页 SVF12N65T/F 说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 名 称 符号 参数范围 SVF12N65T 单位 SVF12N65F 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25°C 漏极电流 12 ID TC=100°C 漏极脉冲电流 IDM 耗散功率（TC=25°C） 48 PD - 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 9 A 225 51 W 1.8 0.41 W/°C EAS 786 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 °C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 °C 热阻特性 参 数 名 称 符 号 参数范围 SVF12N65T SVF12N65F 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 0.56 2.44 °C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 120 °C/W 电性参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 名 称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 650 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=650V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=6.0A -- 0.68 0.8 Ω 输入电容 Ciss -- 1476 -- 输出电容 Coss -- 152 -- 反向传输电容 Crss -- 4.5 -- 开启延迟时间 td(on) VDD=325V，ID=12A， -- 37.67 -- 开启上升时间 tr RG=25Ω -- 61.67 -- 关断延迟时间 td(off) -- 80.33 -- 关断下降时间 tf -- 46.67 -- 漏源击穿电压 B VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz (注 2，3) 栅极电荷量 Qg VDS=520V，ID=12A， -- 24.15 -- 栅极-源极电荷量 Qgs VGS=10V -- 7.86 -- 栅极-漏极电荷量 Qgd -- 7.47 -- 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn (注 2，3) 版本号：1.2 pF ns nC 2011.12.27 共8页 第2页 SVF12N65T/F 说明书 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的 -- -- 12 源极脉冲电流 ISM 反偏 P-N 结 -- -- 48 源-漏二极管压降 VSD IS=12A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=12A，VGS=0V， -- 450 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µS （注 2） -- 4.2 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=6.66A，VDD=140V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：1.2 2011.12.27 共8页 第3页 SVF12N65T/F 说明书 典型特性曲线 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：1.2 2011.12.27 共8页 第4页 SVF12N65T/F 说明书 典型特性曲线（续） 图8. 导通电阻vs.温度特性 漏源导通电阻（标准化） – RDS(ON)(Ω) 漏源击穿电压（标准化）– BVDSS(V) 图7. 击穿电压vs.温度特性 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 150 100 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 注： 1. VGS=10V 2. ID=6.0A 0.5 0.0 -100 200 结温 – TJ(°C) -50 0 50 150 100 结温 – TJ(°C) 图9-1. 最大安全工作区域(SVF12N65T) 图9-2. 最大安全工作区域(SVF12N65F) 102 102 100µs 101 10ms 漏电流 - ID(A) 漏电流 - ID(A) 100µs 1ms 101 DC 0 10 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 10-2 200 100 101 10ms 10 102 103 漏源电压 - VDS(V) DC 0 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 1ms 10-2 100 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 图10. 最大漏电流vs. 壳温 12 漏电流 - ID(A) 9 6 3 0 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：1.2 2011.12.27 共8页 第5页 SVF12N65T/F 说明书 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 VGS 与待测器件 参数一致 50KΩ VDS 200nF 12V Qg 10V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V tp ID(t) VDD VDS(t) VDD Time tp 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：1.2 2011.12.27 共8页 第6页 SVF12N65T/F 说明书 封装外形图 单位: mm TO-220-3L 单位: mm 4.72±0.30 10.03±0.30 Φ3.20±0.20 2.55±0.25 15.80±0.50 15.75±0.50 6.70±0.30 3.30±0.25 TO-220F-3L 2.80±0.30 9.80±0.50 1.47MAX 0.80±0.15 0.50±0.15 2.54 TYPE 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：1.2 2011.12.27 共8页 第7页 SVF12N65T/F 说明书 声明： • • • 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完 整和最新。 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统 设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情 况的发生！ 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 附： 修改记录： 日 期 版本号 描 2011.01.04 1.0 原版 2011.09.01 1.1 修改“封装外形图” 2011.12.27 1.2 修改“电性参数”、电容特性曲线 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 述 页码 版本号：1.2 2011.12.27 共8页 第8页