SVF13N50F

SVF13N50T/F/PN 说明书 13A、500V N沟道增强型场效应管 描述 SVF13N50T/F/PN 用士兰微电子的 F-Cell TM N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺 及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性 能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点  13A，500V，RDS(on)(典型值)=0.44Ω@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF13N50T TO-220-3L SVF13N50T 无铅 料管 SVF13N50F TO-220F-3L SVF13N50F 无铅 料管 SVF13N50PN TO-3P 13N50 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.7 共9页 第1页 SVF13N50T/F/PN 说明书 士兰微电子 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 名 称 符号 参数范围 SVF13N50T SVF13N50F SVF13N50PN 单位 漏源电压 VDS 500 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25°C 漏极电流 TC=100°C 漏极冲击电流 13 ID IDM 耗散功率（TC=25°C） - 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 10 52 PD A 190 51 218 W 1.52 0.41 1.74 W/°C EAS 823.75 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 °C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 °C 热阻特性 参 数 名 称 符 号 参数范围 SVF13N50T SVF13N50F SVF13N50PN 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 0.66 2.45 0.57 °C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.5 50 °C/W 电气参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 名 称 漏源击穿电压 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V， ID=250µA 500 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=500V，VGS=0V -- -- 1 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=6.5A -- 0.44 0.52 Ω 输入电容 Ciss -- 1436 -- 输出电容 Coss -- 183 -- -- 4.76 -- -- 37.33 -- -- 76.67 -- -- 79.67 -- -- 54.00 -- -- 23.83 -- -- 7.79 -- -- 7.86 -- 反向传输电容 开启延迟时间 Crss td(on) 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 Qg Qgs Qgd 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn VDS=25V，VGS=0V，f=1.0MHZ VDD=250V，ID=13A， RG=4.7Ω，VGS=10V (注 2，3) VDS=400V，ID=13A， VGS=10V (注 2，3) pF ns nC 版本号：1.7 共9页 第2页 SVF13N50T/F/PN 说明书 士兰微电子 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 -- -- 13 源极脉冲电流 ISM P-N 结 -- -- 52 源-漏二极管压降 VSD IS=13A，VGS=0V -- -- 1.3 V 反向恢复时间 Trr IS=13A，VGS=0V， -- 537.44 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs -- 5.22 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=6.66A，VDD=140V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.7 共9页 第3页 SVF13N50T/F/PN 说明书 士兰微电子 典型特性曲线 图1. 输出特性 10 图2. 传输特性 100 变量 VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V VGS=8V VGS=10V VGS=15V -55°C 25°C 150°C 漏电流 – ID(A) 漏电流 – ID(A) 100 1 1 10 1 注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 注： 1.250µS 脉冲测试 2.TC=25°C 0.1 0.1 10 0.1 0 100 1 2 漏源电压 – VDS(V) 图3. 导通电阻vs.漏电流 5 6 7 8 9 10 图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度 100 VGS=10V VGS=20V 反向漏电流 – IDR(A) 漏源导通电阻 – RDS(ON)(Ω) 4 栅源电压 – VGS(V) 0.52 0.50 3 0.48 0.46 -55°C 25°C 150°C 10 注： 1.250µS脉冲测试 2.VGS=0V 1 0.44 注：TJ=25°C 0.42 0 0.1 8 4 12 16 20 0 0.2 图5. 电容特性 1.0 1.2 图6. 电荷量特性 3000 12 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 2000 1500 Ciss Coss Crss 注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz 500 VDS=400V VDS=250V VDS=100V 10 栅源电压 – VGS(V) 2500 电容(pF) 0.8 0.6 源漏电压 – VSD(V) 漏电流 – ID(A) 1000 0.4 8 6 4 2 注：ID=13A 0 0.1 0 1 10 漏源电压 – VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 100 0 5 10 15 20 25 总栅极电荷 – Qg(nC) 版本号：1.7 共9页 第4页 SVF13N50T/F/PN 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图8. 导通电阻vs.温度特性 漏源导通电阻（标准化） – RDS(ON) 漏源击穿电压（标准化）– BVDSS 图7. 击穿电压vs.温度特性 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 150 100 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 注： 1. VGS=10V 2. ID=6.5A 0.5 0.0 -100 200 -50 结温 – TJ(°C) 0 50 100 150 结温 – TJ(°C) 图9-1. 最大安全工作区域(SVF13N50T) 图9-2. 最大安全工作区域(SVF13N50F) 102 102 100µs 101 1ms 10ms 漏电流 - ID(A) 漏电流 - ID(A) 100µs 1ms 101 DC 100 此区域工作受限于RDS(ON) 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-1 10-2 100 101 10ms 100 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-1 102 10-2 103 100 101 图10. 最大漏电流vs. 壳温 12 100µs 1ms 101 10 漏电流 - ID(A) 10ms DC 10 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 10-2 103 14 2 0 102 漏源电压 - VDS(V) 图9-3. 最大安全工作区域(SVF13N50PN) 10 DC 此区域工作受限于RDS(ON) 漏源电压 - VDS(V) 漏电流 - ID(A) 200 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 8 6 4 2 0 100 101 102 漏源电压 - VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 103 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 版本号：1.7 共9页 第5页 SVF13N50T/F/PN 说明书 士兰微电子 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：1.7 共9页 第6页 SVF13N50T/F/PN 说明书 士兰微电子 封装外形图 TO-220-3L 单位：毫米 4.30 1.00 1.80 0.60 1.00 4.50 1.30 2.40 0.80 4.70 1.50 2.80 1.00 1.60 0.30 15.10 15.70 0.70 16.10 8.10 9.60 9.20 9.90 10.40 10.00 2.54BSC 6.10 6.50 12.60 13.08 3.40 2.60 3.70 7.00 13.60 3.95 3.90 3.20 TO-220F-3L 单位：毫米 1 4.42 4.70 5.02 2.30 2.54 2.80 2.50 2.76 3.10 0.70 0.80 0.90 0.35 0.50 0.65 15.25 15.87 16.25 15.30 15.75 16.30 9.30 9.80 10.30 9.73 10.16 10.36 1 1.47 2.54BCS 6.40 6.68 7.00 12.48 12.98 13.48 / / 3.50 3.00 3.18 3.40 3.05 3.30 3.55 3 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.7 共9页 第7页 SVF13N50T/F/PN 说明书 士兰微电子 封装外形图（续） TO-3P 单位：毫米 15.5±0.50 1.2～1.80 8.5～10.0 2.6～3.8 39.0～41.5 19.5～21.0 Φ 3.0～3.7 2.0±0.3 1.2～2.0 19.5～20.0 3.0±0.3 1.0±0.3 0.6±0.2 4.4～5.2 5.45TYP 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.7 共9页 第8页 士兰微电子 SVF13N50T/F/PN 说明书 产品名称： SVF13N50T/F/PN 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 1.7 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 张科锋 作 者： 张科锋 作 者： 张科锋 作 者： 张科锋 作 者： 张科锋 修改记录： 1. 修改 TO-220F-3L 封装信息 2. 修改 TO-220-3L 封装信息 版 本： 1.6 修改记录： 1. 版 修改热阻特性 本： 1.5 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 1.4 修改记录： 1. 版 修改 MOS 管符号的示意图 本： 1.3 修改记录： 1. 版 修改 Trr 和 Qrr 的值 本： 1.2 修改记录： 1. 版 增加 SVF13N50F 的无卤信息 本： 1.1 修改记录： 1. 版 修改“封装外形图” 本： 1.0 修改记录： 1. 原版 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.7 共9页 第9页