SVF18N65F

SVF18N65F/T/PN 说明书 18A、650V N沟道增强型场效应管 描述 SVF18N65F/T/PN N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用 TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及 士兰微电子的 F-Cell 原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪 崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点  18A，650V，RDS(on)(典型值)=0.48@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装形式 SVF18N65F TO-220F-3L SVF18N65F 无铅 料管 SVF18N65T TO-220-3L SVF18N65T 无铅 料管 TO-3P 18N65 无铅 料管 SVF18N65PN 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.4 共9页 第1页 SVF18N65F/T/PN 说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参数名称 参数范围 符号 SVF18N65F 单位 SVF18N65T SVF18N65PN 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25°C 漏极电流 TC=100°C 漏极脉冲电流 18 ID IDM 耗散功率（TC=25C） - 大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 11.4 72 PD A 54 228 235 0.43 1.82 1.88 W EAS 1008 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 热阻特性 参 数 名 称 符 参数范围 号 单 位 SVF18N65F SVF18N65T SVF18N65PN 芯片对管壳热阻 RθJC 2.31 0.55 0.53 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.5 50.0 C/W 电性参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称 漏源击穿电压 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V, ID=250µA 650 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=650V, VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V, VDS=0V -- -- ±100 µA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS, ID=250µA 3.0 -- 5.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=9.0A -- 0.48 0.55  输入电容 Ciss -- 2706.3 -- 输出电容 Coss -- 233.3 -- -- 1.8 -- VDD=325V, RG=25Ω, -- 58.07 -- ID=18A -- 90.87 -- -- 58.13 -- 反向传输电容 Crss 开启延迟时间 td(on) 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHZ (注 2,3) -- 51.20 -- Qg VDS=520V, ID=18A, -- 37.08 -- 栅极-源极电荷量 Qgs VGS=10V -- 17.66 -- 栅极-漏极电荷量 Qgd -- 8.81 -- 栅极电荷量 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn (注 2,3) pF ns nC 版本号：1.4 共9页 第2页 SVF18N65F/T/PN 说明书 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、 漏极构成的反偏 P-N -- -- 18 源极脉冲电流 ISM 结 -- -- 72 源-漏二极管压降 VSD IS=18.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=18.0A，VGS=0V， -- 632.36 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µS (Note 2) -- 8.26 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=8.2A，VDD=100V，RG=25，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.4 共9页 第3页 SVF18N65F/T/PN 说明书 典型特性曲线 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.4 共9页 第4页 SVF18N65F/T/PN 说明书 典型特性曲线 图8. 导通电阻vs.温度特性 漏源导通电阻 – RDS(ON)（标准化） 漏源击穿电压– BVDSS（标准化） 图7. 击穿电压vs.温度特性 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 150 100 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 注： 1. VGS=10V 2. ID=9.0A 0.5 0.0 -100 200 -50 0 结温 – TJ(°C) 50 100 150 200 结温 – TJ(°C) 图9-1. 最大安全工作区域(SVF18N65F) 图9-2. 最大安全工作区域(SVF18N65T) 102 102 100µs 100µs 1ms 1ms 101 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 101 10ms DC 100 此区域工作受限于RDS(ON) 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-1 10-2 100 101 102 此区域工作受限于RDS(ON) 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-1 10-2 100 10ms DC 103 100 101 漏源电压 - VDS(V) 图9-3. 最大安全工作区域(SVF18N65PN) 图10. 最大漏电流vs. 壳温 18 100µs 16 1ms 14 10ms 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 101 DC 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 10-2 103 漏源电压 - VDS(V) 102 100 102 100 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 101 杭州士兰微电子股份有限公司 10 8 6 4 2 102 漏源电压 - VDS(V) http: //www.silan.com.cn 12 103 0 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 版本号：1.4 共9页 第5页 SVF18N65F/T/PN 说明书 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：1.4 共9页 第6页 SVF18N65F/T/PN 说明书 封装外形图 TO-220F-3L 单位: mm TO-220-3L 单位: mm 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.4 共9页 第7页 SVF18N65F/T/PN 说明书 封装外形图 单位: mm TO-3P 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.4 共9页 第8页 SVF18N65F/T/PN 说明书 产品名称： SVF18N65F/T/PN 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 1.4 修改记录： 1. 版 增加 TO-220-3L 封装南通和集佳外形信息 本： 1.3 修改记录： 1. 修改 TO-220F-3L 封装信息 2. 修改 TO-220-3L 封装信息 3. 增加 TO-3P 封装 版 本： 1.2 修改记录： 1. 版 增加 TO-220-3L 封装 本： 1.1 修改记录： 1. 版 修改热阻特性 本： 1.0 修改记录： 1. 正式发布版本 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.4 共9页 第9页