SVF1N60B

SVF1N60M/MJ/N/B/D 说明书 士兰微电子 1A、600V N沟道增强型场效应管 描述 2 1 SVF1N60M/MJ/N/B/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管 采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的 3 TO-252-2L 1 工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及 1 3 2 3 1.栅极 2.漏极 3.源极 TO-251-3L 很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高 压 H 桥 PWM 马达驱动。 1 12 3 特点 2 TO-251D-3L  1A，600V，RDS(on)(典型值)=8.2Ω@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 1 23 3 12 TO-251J-3L 3 TO-126-3L 1 23 TO-92-3L 命名规则 S V F X N E X X X 士兰F-Cell工艺 VDMOS产品标识 额定电流标识,采用1-2位数字； 例如:4 代表 4A,10 代表 10A, 08 代表 0.8A 封装外形标识 例如：M:TO-251,TO-251D; MJ:TO-251J; N:TO-126; B:TO-92; D:TO-252 额定耐压值，采用2位数字 例如：60表示600V,65表示650V 特殊功能、规格标识，通常省略 例如：E 表示内置了ESD保护结构 沟道极性标识，N代表N 沟道 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF1N60M TO-251-3L SVF1N60M 无铅 料管 SVF1N60M TO-251D-3L SVF1N60M 无卤 料管 SVF1N60MJ TO-251J-3L SVF1N60MJ 无卤 料管 SVF1N60N TO-126-3L SVF1N60N 无铅 料管 SVF1N60N TO-126-3L SVF1N60N 无铅 袋装 SVF1N60B TO-92-3L F1N60 无铅 袋装 SVF1N60BTR TO-92-3L F1N60 无铅 编带 SVF1N60D TO-252-2L SVF1N60D 无卤 料管 SVF1N60DTR TO-252-2L SVF1N60D 无卤 编带 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 12 页 第 1 页 SVF1N60M/MJ/N/B/D 说明书 士兰微电子 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 参数范围 符 号 SVF1N60B SVF1N60M/D SVF1N60MJ SVF1N60N 单位 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25°C 漏极电流 1.0 ID TC=100°C 漏极脉冲电流 IDM 1.5 耗散功率（TC=25°C） PD 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 0.63 4.0 A 9 28 29 25 W 0.07 0.22 0.23 0.20 W/°C EAS 52 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 °C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 °C 热阻特性 参 数 名 称 符 号 参数范围 SVF1N60B SVF1N60M/D SVF1N60MJ SVF1N60N 单 位 芯片对管壳热阻 RθJC 13.89 4.46 4.31 5 °C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 120 62.0 62.0 62.5 °C/W 电性参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 漏源击穿电压 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 600 -- -- V IDSS VDS=600V，VGS=0V -- -- 1.0 µA IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=0.5A -- 8.2 11 Ω 输入电容 Ciss -- 120.3 -- 输出电容 Coss -- 19.0 -- 反向传输电容 Crss -- 0.8 -- 开启延迟时间 td(on) -- 6.47 -- 开启上升时间 tr VDD=300V，ID=1.0A，RG=25Ω -- 13.27 -- (注 2，3) -- 7.73 -- -- 15.87 -- -- 3.45 -- -- 1.10 -- -- 1.39 -- 漏源漏电流 栅源漏电流 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 Qg Qgs Qgd 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn VDS=25V，VGS=0V，f=1.0MHz VDS=480V，ID=1.0A，VGS=10V (注 2，3) pF ns nC 版本号：2.6 共 12 页 第 2 页 SVF1N60M/MJ/N/B/D 说明书 士兰微电子 源-漏二极管特性参数 参 数 最大值 符号 测试条件 最小值 典型值 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成 -- -- 源极脉冲电流 ISM 的反偏 P-N 结 -- -- 源-漏二极管压降 VSD IS=1.0A，VGS=0V -- -- 1.5 V 反向恢复时间 Trr IS=1.0A，VGS=0V， -- 246.08 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs（注 2） -- 0.53 -- µC SVF1N60B 单位 其他 1.0 1.5 A 4.0 注： 1. L=30mH， IAS=1.74，VDD=85V，RG=25Ω，开始温度TJ=25°C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响； 典型特性曲线 图1. 输出特性 1 图2. 传输特性 10 变量 VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V 漏极电流 – ID(A) 漏极电流 – ID(A) 10 VGS=8V VGS=10V VGS=15V 0.1 1 10 1 注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 注： 1.250µS 脉冲测试 2.TC=25°C 0.01 0.1 -55°C 25°C 150°C 0.1 100 0 1 2 漏源电压 – VDS(V) 图3. 导通电阻vs.漏极电流 5 6 7 8 9 10 图4. 体二极管正向压降vs.漏极电流、温度 10 VGS=10V VGS=20V 16 反向漏极电流 – IDR(A) 漏源导通电阻 – RDS(on)(Ω) 4 栅源电压 – VGS(V) 18 14 12 10 8 6 3 -55°C 25°C 150°C 1 注： 1.250µS脉冲测试 2.VGS=0V 注：TJ=25°C 0 0.5 1.0 1.5 漏极电流 – ID(A) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 2.0 2.5 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 源漏电压 – VSD(V) 版本号：2.6 共 12 页 第 3 页 SVF1N60M/MJ/N/B/D 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图6. 电荷量特性 图5. 电容特性 12 300 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 200 150 Ciss Coss Crss 100 注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz 50 VDS=480V VDS=300V VDS=120V 10 栅源电压 – VGS(V) 电容（pF） 250 8 6 4 2 注：ID=1.0A 0 0.1 1 0 100 10 1 0 漏源电压 – VDS(V) 图8. 导通电阻vs.温度特性 漏源导通电阻（标准化） – RDS(on)(Ω) 漏源击穿电压（标准化）– BVDSS(V) 图7. 击穿电压vs.温度特性 1.1 1.0 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 100 4 3 总栅极电荷 – Qg(nC) 1.2 0.9 2 150 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 注： 1. VGS=10V 2. ID=0.5A 0.5 0.0 -100 200 结温 – TJ(°C) -50 0 50 100 150 200 结温 – TJ(°C) 图9-2. 最大安全工作区域(SVF1N60M/D) 图9-1. 最大安全工作区域(SVF1N60B) 101 101 此区域工作受限于RDS(ON) 此区域工作受限于RDS(ON) 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 100µs 100 100µs 1ms 10ms DC 10 -1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-2 100 10 1 10 2 漏源电压 - VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 10 3 1ms 100 10ms DC 10 -1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-2 100 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 版本号：2.6 共 12 页 第 4 页 SVF1N60M/MJ/N/B/D 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图9-4. 最大安全工作区域(SVF1N60N) 图9-3. 最大安全工作区域(SVF1N60MJ) 10 1 10 Operation in This Area is Limited by RDS(ON) 1 此区域工作受限于RDS(ON) 100µs 10 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 100µs 1ms 0 10ms DC 10-1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-2 100 101 102 103 1ms 100 10ms DC 10 -1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-2 100 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 漏源电压 - VDS(V) 图 10. 最大漏极电流vs. 壳温 1.0 漏极电流 - ID(A) 0.8 0.6 0.4 0.2 0 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 12 页 第 5 页 SVF1N60M/MJ/N/B/D 说明书 士兰微电子 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgd Qgs VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：2.6 共 12 页 第 6 页 SVF1N60M/MJ/N/B/D 说明书 士兰微电子 封装外形图 TO-252-2L 单位：毫米 SYMBOL MIN NOM MAX A 2.10 2.30 2.50 A1 0 --- 0.127 b 0.66 0.76 0.89 b3 5.10 5.33 5.46 c 0.45 --- 0.65 c2 0.45 --- 0.65 D E 5.80 6.30 6.10 6.60 6.40 6.90 e Eject pin（note1） 2.30TYP H 9.60 10.10 10.60 L 1.40 1.50 1.70 L1 2.90REF 0.60 0.80 1.00 L4 L4 NOTE1：There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin. TO-251-3L 单位：毫米 6.5±0.3 2.4±0.2 5.3±0.2 7.1～7.9 14.2～15.3 5.4±0.3 0.5±0.2 0.8±0.2 2.30TYP 0.5±0.2 0.5±0.2 1.4～2.0 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 12 页 第 7 页 SVF1N60M/MJ/N/B/D 说明书 士兰微电子 封装外形图 TO-251D-3L 单位：毫米 E MIN NOM MAX A 2.20 2.40 b 0.66 2.30 --- b2 0.72 --- SYMBOL 0.86 0.90 5.46 b3 5.10 c2 0.46 --- 0.60 D 6.00 6.10 6.20 E 6.50 6.60 6.70 e 2.186 2.286 2.386 H 10.40 10.70 11.00 5.33 L1 3.50 REF L2 0.508 BSC TO-251J-3L 6.35～6.73 2.18～2.39 0.46～0.89 8.89～9.65 5.97～6.22 4.95～5.46 0.89～1.27 单位：毫米 2.29TYP 0.56～0.89 0.46～0.61 0.89～1.14 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 12 页 第 8 页 SVF1N60M/MJ/N/B/D 说明书 士兰微电子 封装外形图 TO-126-3L 单位：毫米 A E A1 2.48 2.70 1.00 D P 1.50 0.66 0.76 0.86 1.17 1.37 1.45 0.40 10.60 L1 2.90 0.60 11.00 7.40 11.40 8.20 2.29TYP 15.80 14.50 2.10 b1 P 2.35 3.10 3.30 L 2.90 b e c e TO-92-3L(1) 3.43min 3.50±0.30 4.6±0.3 4.55±0.30 0.45±0.20 1.30±0.25 单位：毫米 14.3±0.50 0.46±0.20 1.27TYP 2.54±0.30 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 12 页 第 9 页 SVF1N60M/MJ/N/B/D 说明书 士兰微电子 封装外形图 TO-92-3L(2) 4.0±0.5 3.50±0.30 4.6±0.3 4.55±0.30 3.43min 0.45±0.20 1.30±0.25 单位：毫米 0.46±0.20 14.3±0.5 14.0±0.5 1.27TYP 2.50±0.40 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 新。 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 12 页 第 10 页 士兰微电子 产品名称： 版 权： SVF1N60M/MJ/N/B/D 杭州士兰微电子股份有限公司 版 本： 2.6 修改记录： 1. 修改产品规格分类 版 本： 2.5 修改记录： 1. 修改 TO-126-3L 和 TO-251D-3L 封装外形图 版 本： 2.4 修改记录： 1. 修改封装信息，TO-251-3L 材料 版 本： 2.3 修改记录： 1. 修改 TO-252-2L 封装信息 2.2 版 本： 修改记录： 1. 修改 TO-251J-3L 材料 版 本： 2.1 修改记录： 1. 修改热参数 版 本： 2.0 修改记录： 1. 修改产品规格分类 版 本： 1.9 修改记录： 1. 修改 TO-251J-3L 尺寸图 版 本： 1.8 修改记录： 1. 修改产品规格分类 版 本： 1.7 修改记录： 1. 更新 TO-126-3L 尺寸图 版 本： 1.6 修改记录： 1. 修改 TO-251D-3L 尺寸图 1.5 版 本： 修改记录： 1. 更新 TO-92-3L(2)尺寸图 版 本： 1.4 修改记录： 1. 修改 Trr 的值；更新 TO-251D-3L 尺寸图 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn SVF1N60M/MJ/N/B/D 说明书 文档类型： 公司主页： 说明书 http: //www.silan.com.cn 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 版本号：2.6 共 12 页 第 11 页 士兰微电子 产品名称： 版 权： SVF1N60M/MJ/N/B/D 杭州士兰微电子股份有限公司 SVF1N60M/MJ/N/B/D 说明书 文档类型： 公司主页： 说明书 http: //www.silan.com.cn 版 本： 2.6 作 修改记录： 1. 修改产品规格分类 版 本： 1.3 作 修改记录： 1. 修改“电性参数” 、电容特性曲线；修改 SVF1N60B 的 IDM 值 版 本： 1.2 作 修改记录： 1. 修改“封装外形图” 版 本： 1.1 作 修改记录： 1. 增加 TO-251D-3L、TO-251J-3L 和 TO-126-3L 封装 1.0 作 版 本： 修改记录： 1. 正式发布版本 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 者： 殷资 者： 殷资 者： 殷资 者： 殷资 者： 殷资 版本号：2.6 共 12 页 第 12 页