SVF20N50F

SVF20N50F/PN 说明书 士兰微电子 20A、500V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF20N50F/PN 是 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管， 采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的 1 工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开 3 关性能及很高的雪崩击穿耐量。 1.栅极 2.漏极 3.源极 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高 压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点  20A，500V，RDS(on)(典型值)=0.20@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 12 3 12 TO-220F-3L 3 TO-3P 产品规格分类 产 品 名 称 SVF20N50F SVF20N50PN 封装形式 打印名称 材料 包装 TO-220F-3L SVF20N50F 无铅 料管 TO-3P 20N50 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.6 共8页 第1页 SVF20N50F/PN 说明书 士兰微电子 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名称 符号 参数范围 SVF20N50F 单位 SVF20N50PN 漏源电压 VDS 500 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流 TC=25C 20.0 ID TC=100C 漏极脉冲电流 IDM 耗散功率（TC=25C） 80.0 PD - 大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 12.6 A 72 252 W 0.58 2.02 W/C EAS 1596 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 热阻特性 参 数 名 称 符号 参数范围 SVF20N50F SVF20N50PN 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 1.74 0.50 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 50 C/W 电气参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称 漏源击穿电压 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 500 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=500V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=10.0A -- 0.20 0.27  输入电容 Ciss -- 2687.7 -- -- 355.0 -- 输出电容 Coss VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz 反向传输电容 Crss -- 10.3 -- 开启延迟时间 td(on) -- 27.2 -- 开启上升时间 tr -- 47.5 -- 关断延迟时间 td(off) -- 78.7 -- 关断下降时间 tf -- 41.1 -- -- 49.50 -- -- 14.28 -- -- 16.95 -- 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 Qg Qgs Qgd 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn VDD=250V，RG=10Ω，ID =20.0A (注 2，3) VDD=400V，ID=20.0A， VGS=10V (注 2，3) pF ns nC 版本号：1.6 共8页 第2页 SVF20N50F/PN 说明书 士兰微电子 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 -- -- 20.0 源极脉冲电流 ISM P-N 结 -- -- 80.0 源-漏二极管压降 VSD IS=20.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=20.0A，VGS=0V， -- 570.3 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs (注 2) -- 7.35 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=9.9A，VDD=50V，RG=25，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.6 共8页 第3页 SVF20N50F/PN 说明书 士兰微电子 典型特性曲线 图1. 输出特性 图2. 传输特性 100 变量 VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V 10 -55°C 25°C 150°C 漏极电流 – ID(A) 漏极电流 – ID(A) 100 VGS=8V VGS=10V VGS=15V 1 1 10 1 注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 注： 1.250µS 脉冲测试 2.TC=25°C 0.1 0.1 10 0.1 100 0 1 2 漏源电压 – VDS(V) 图3. 导通电阻vs.漏极电流、栅极电压 5 VGS=10V VGS=20V 0.22 0.21 8 4 12 16 注： 1.250µS脉冲测试 2.VGS=0V 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 源漏电压 – VSD(V) 图5. 电容特性 图6. 电荷量特性 12 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 4000 3000 Ciss Coss Crss 注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz 1000 VDS=400V VDS=250V VDS=100V 10 栅源电压 – VGS(V) 5000 电容(pF) 10 1 0.1 0.2 20 6000 8 6 4 注：ID=20.0A 2 0 1 10 漏源电压 – VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 9 10 漏极电流 – ID(A) 0 0.1 8 -55°C 25°C 150°C 注：TJ=25°C 2000 7 图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度 0.23 0.20 0 6 100 反向漏极电流 – IDR(A) 漏源导通电阻 – RDS(ON)(Ω) 4 栅源电压 – VGS(V) 0.25 0.24 3 100 0 10 20 30 40 50 60 总栅极电荷 – Qg(nC) 版本号：1.6 共8页 第4页 SVF20N50F/PN 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图8. 导通电阻vs.温度特性 漏源导通电阻（标准化） – RDS(ON) 漏源击穿电压（标准化）– BVDSS 图7. 击穿电压vs.温度特性 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 100 150 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 注： 1. VGS=10V 2. ID=10.0A 0.5 0.0 -100 200 结温 – TJ(°C) 0 50 100 10 2 100µs 100µs 1ms 1ms 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) DC 此区域工作受限于RDS(ON) 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-1 10-2 101 10ms 100 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 10ms DC 100 10-1 10-2 100 200 图9-2. 最大安全工作区域(SVF20N50PN) 2 101 150 结温 – TJ(°C) 图9-1. 最大安全工作区域(SVF20N50F) 10 -50 100 此区域工作受限于RDS(ON) 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 图10. 最大漏极电流vs. 壳温 20 漏极电流 - ID(A) 16 12 8 4 0 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.6 共8页 第5页 SVF20N50F/PN 说明书 士兰微电子 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS 12V Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V tr ton td(on) td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG VDD 10V ID(t) 待测器件 VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：1.6 共8页 第6页 SVF20N50F/PN 说明书 士兰微电子 封装外形图 TO-220F-3L 单位：毫米 A A1 E MILLIMETER SYMBOL P Q H1 MIN NOM MAX A 4.42 4.70 5.02 A1 2.30 2.54 2.80 A3 2.50 2.76 3.10 b 0.70 0.80 0.90 b2 D D1 L1 1.47 c 0.35 0.50 0.65 D 15.25 15.87 16.25 D1 15.30 15.75 16.30 D2 9.30 9.80 10.30 E 9.73 10.16 10.36 e b2 L D2 2.54BSC H1 6.40 6.68 7.00 L 12.48 12.98 13.48 L1 P e c A3 Q b 3.50 3.00 3.18 3.40 3.05 3.30 3.55 TO-3P 单位：毫米 D A c1 F2 SYMBOL A L2 L L1 C1 A1 b1 b2 b MILLIMETER MIN 4.4 1.2 http: //www.silan.com.cn 1.8 b 0.7 1 1.3 b1 2.7 3 3.3 b2 1.7 2 2.3 D 15 15.5 16 C 0.4 0.8 F2 8.5 0.6 __ L 杭州士兰微电子股份有限公司 __ 5.2 1.2 L1 c __ MAX A1 e e NOM __ L2 22.6 39 19.5 5.45typ __ __ __ 2 10 23.6 41.5 21 版本号：1.6 共8页 第7页 SVF20N50F/PN 说明书 士兰微电子 重要注意事项：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新 和完整。  我司产品属于消费类和/或民用类电子产品。  在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有 一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并 采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。  购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。  转售、应用、出口时请遵守中国、美国、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！  我司网站 http: //www.silan.com.cn 产品名称： SVF20N50F/PN 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 1.6 修改记录： 1. 版 删除命名规则 本： 1.5 修改记录： 1. 版 修改 TO-220F-3L 封装信息 本： 1.4 修改记录： 1. 版 修改热阻特性 本： 1.3 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 1.2 修改记录： 1. 版 修改 MOS 管符号的示意图 本： 1.1 修改记录： 1. 增加 TO-3PN 封装 2. 修改“电性参数”和“典型特性曲线” 版 本： 1.0 修改记录： 1. 原版 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.6 共8页 第8页