SVF23N50PN

SVF23N50PN 说明书 23A、500V N沟道增强型场效应管 描述 SVF23N50PN 是 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管，采 用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工 艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开 关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高 压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点  23A，500V，RDS(on)（典型值）=0.21@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产品名称 SVF23N50PN 封装形式 打印名称 材料 包装 TO-3P 23N50 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.0 共7页 第1页 SVF23N50PN 说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称 符号 参数范围 单位 漏源电压 VDS 500 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25°C 漏极电流 TC=100°C 漏极脉冲电流 23.0 ID A 14.55 IDM 92.0 A 280 W 2.24 W/C EAS 2044 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 符号 参数范围 单 位 芯片对管壳热阻 RθJC 0.45 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 50 C/W 耗散功率（TC=25C） PD - 大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） 热阻特性 参 数 名 称 电性参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 漏源击穿电压 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 500 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=500V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 µA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=11.5A -- 0.21 0.27  输入电容 Ciss -- 2595.8 -- 输出电容 Coss -- 343.8 -- 反向传输电容 Crss -- 10.1 -- 开启延迟时间 td(on) -- 42.2 -- -- 79.0 -- -- 125.7 -- -- 71.2 -- 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz VDD=250V， RG=10，ID=23.0A (注 2，3) 栅极电荷量 Qg VDD=400V，VGS=10V， -- 42.51 -- 栅极-源极电荷量 Qgs ID=23.0A -- 12.9 -- 栅极-漏极电荷量 Qgd -- 14.34 -- 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn (注 2，3) pF ns nC 版本号：1.0 共7页 第2页 SVF23N50PN 说明书 源-漏二极管特性参数 参 数 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 -- -- 23.0 源极脉冲电流 ISM P-N 结 -- -- 92.0 源-漏二极管压降 VSD IS=23.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=23.0A，VGS=0V， -- 578.21 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µS (注 2) -- 7.89 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=10.65A，VDD=100V，RG=25，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 典型特性曲线 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.0 共7页 第3页 SVF23N50PN 说明书 典型特性曲线 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.0 共7页 第4页 SVF23N50PN 说明书 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS 12V Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V tr ton td(on) td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG VDD 10V ID(t) 待测器件 VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：1.0 共7页 第5页 SVF23N50PN 说明书 封装外形图 单位: mm TO-3P 15.5±0.50 1.2～1.80 8.5～10.0 2.6～3.8 39.0～41.5 19.5～21.0 Φ 3.0～3.7 2.0±0.3 1.2～2.0 19.5～20.0 3.0±0.3 1.0±0.3 0.6±0.2 4.4～5.2 5.45TYP 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.0 共7页 第6页 SVF23N50PN 说明书 产品名称： SVF23N50PN 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 1.0 作 者： 殷资 修改记录： 1. 正式发布版本 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.0 共7页 第7页