SVF2N60RMJ

SVF2N60RD/M/MJ 说明书 士兰微电子 2A、600V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF2N60RD/M/MJ N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采 用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工 1 艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很 1 3 高的雪崩击穿耐量。 3 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高 TO-252-2L 1.栅极 2.漏极 3.源极 压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点  2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 1 2 1 2 3 3 TO-251J-3L TO-251D-3L 命名规则 S V F X N X X R X 封装外形标识 例如：FJH:TO-220FJH; F:TO-220F 士兰F-Cell工艺VDMOS产品 标识 版本 额定电流标识,采用1-2位数字； 例如:4代表 4A 额定耐压值，采用2位数字 例如：60表示600V 沟道极性标识，N代表N 沟道 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装形式 TO-252-2L 2N60RD 无卤 编带 SVF2N60RM TO-251D-3L 2N60RM 无卤 料管 SVF2N60RMJ TO-251J-3L 2N60RMJ 无卤 料管 SVF2N60RDTR 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共8页 第1页 SVF2N60RD/M/MJ 说明书 士兰微电子 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称 参数范围 符号 单位 SVF2N60RM/D/MJ 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25C 漏极电流 TC=100C 漏极脉冲电流 2.0 ID A 1.3 IDM 8.0 A 34 W 0.27 W/C EAS 115 mJ 体二极管（注 2） dv/dt 4.5 V/ns MOS 管 dv/dt 耐用性（注 3） dv/dt 50 V/ns 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 耗散功率(TC=25C) PD 大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量(注 1) 热阻特性 参 数 名 称 符 参数范围 号 单位 SVF2N60RM/D/MJ 芯片对管壳热阻 RθJC 3.7 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.0 C/W 电气参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 漏源击穿电压 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 600 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=600V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=1.0A -- 3.7 4.2  栅极电阻 Rg f=1.0MHz -- 3.1 --  输入电容 Ciss -- 250 -- 输出电容 Coss -- 30 -- 反向传输电容 Crss -- 2.7 -- 开启延迟时间 td(on) -- 8.04 -- -- 22.7 -- -- 17.1 -- -- 23.6 -- -- 8.92 -- -- 2.48 -- -- 4.42 -- 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 Qg Qgs Qgd 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn VDS=25V，VGS=0V，f=1.0MHz VDD=300V，ID=2.0A，RG=25 (注 4，5) VDS=480V，ID=2.0A，VGS=10V (注 4，5) pF ns nC 版本号：1.2 共8页 第2页 SVF2N60RD/M/MJ 说明书 士兰微电子 源-漏二极管特性参数 参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 -- -- 2.0 源极脉冲电流 ISM P-N 结 -- -- 8.0 源-漏二极管压降 VSD IS=2.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=2.0A，VGS=0V， -- 330 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µS -- 0.87 -- µC (注 4) 单位 A 注： 1. L=30mH，IAS=6.6A，VDD=100V，RG=25，开始温度TJ=25C; 2. VDS=0~400V，ISD