SVF4N60RD-TR

SVF4N60RD(M)说明书 4A、600V N沟道增强型场效应管 描述 SVF4N60RD(M) 用士兰微电子的 F-Cell N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采 TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工 艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高 的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高 压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点  4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF4N60CADTR TO-252-2L 4N60RD 无卤 编带 SVF4N60CAMN TO-251D-3L 4N60RD 无卤 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.0 共7页 第1页 SVF4N60RD(M)说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名称 参数范围 符号 单位 SVF4N60RD\M 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流 TC=25C TC=100C 漏极脉冲电流 4.0 ID A 2.5 16 A 77 W 0.62 W/C EAS 217 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 耗散功率（TC=25C） - 大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） IDM PD 热阻特性 参 数 名 称 参数范围 符号 单位 SVF4N60RD\M 芯片对管壳热阻 RθJC 1.61 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.0 C/W 电气参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称 漏源击穿电压 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 600 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=600V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V， ID=2.0A -- 2.0 2.4  输入电容 Ciss -- 450 -- -- 50 -- -- 4.0 -- VDD=300V，ID=4A， -- 10.53 -- RG=25 -- 26.36 -- -- 24.62 -- -- 25.36 -- 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss 开启延迟时间 td(on) 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz (注 2，3) 栅极电荷量 Qg VDS=480V，ID=4A， -- 12.8 -- 栅极-源极电荷量 Qgs VGS=10V -- 3.82 -- 栅极-漏极电荷量 Qgd -- 5.88 -- 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn (注 2，3) pF ns nC 版本号：1.0 共7页 第2页 SVF4N60RD(M)说明书 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 -- -- 4.0 源极脉冲电流 ISM P-N 结 -- -- 16 源-漏二极管压降 VSD IS=4.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=4.0A，VGS=0V， -- 486 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs (注 2) -- 1.75 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=3.75A，VDD=100V，RG=25，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 典型特性曲线 图1.输出特性 图2.传输特性 100 VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V VGS=8V VGS=10V VGS=15V 1 -55°C 25°C 150°C 漏极电流 – ID(A) 漏极电流 – ID(A) 10 0.1 10 1 注： 1.250µS 脉冲测试 2.TC=25°C 0.01 0.1 1 10 注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 0.1 100 0 1 2 漏源电压 – VDS(V) 图3. 导通电阻vs.漏极电流和栅极电压 5 6 7 8 9 10 图4. 体二极管正向压降vs.源极电流、温度 100 2.8 VGS=10V VGS=20V 2.6 反向漏极电流 – IDR(A) 漏源导通电阻 – RDSON)(Ω) 4 栅源电压– VGS(V) 3.0 2.4 2.2 2.0 1.8 1.6 1.4 3 -55°C 25°C 150°C 10 注： 1.250µS脉冲测试 2.VGS=0V 1 注：TJ=25°C 0 1 2 3 漏极电流 – ID(A) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 4 5 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 源漏电压 – VSD(V) 版本号：1.0 共7页 第3页 SVF4N60RD(M)说明书 典型特性曲线（续） 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.0 共7页 第4页 SVF4N60RD(M)说明书 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：1.0 共7页 第5页 SVF4N60RD(M)说明书 封装外形图（续） 单位：毫米 L4 TO-252-2L TO-251D-3L 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 单位：毫米 版本号：1.0 共7页 第6页 SVF4N60RD(M)说明书 声明： 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最  新。 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整  机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！ 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！  产品名称： SVF4N60RD(M) 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 1.0 修改记录： 1. 正式版本发布 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.0 共7页 第7页