SVF4N65CAF

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 说明书 4A、650V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 应晶体管采用士兰微电子的 F-Cell TM N 沟道增强型高压功率 MOS 场效 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。 1 先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性 3 能及很高的雪崩击穿耐量。 1.栅极 2.漏极 3.源极 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高 压 H 桥 PWM 马达驱动。 1 特点 1 2 3 3 TO-251D-3L TO-252-2L  4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 1 2 1 3 TO-251J-3L 1 2 1 3 TO-262-3L 23 TO-251N-3L 23 TO-220F-3L 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF4N65CAF TO-220F-3L SVF4N65CAF 无卤 料管 SVF4N65CAD TO-252-2L 4N65CAD 无卤 料管 SVF4N65CADTR TO-252-2L 4N65CAD 无卤 编带 SVF4N65CAM TO-251D-3L 4N65CAM 无卤 料管 SVF4N65CAMJ TO-251J-3L 4N65CAMJ 无卤 料管 SVF4N65CAMN TO-251N-3L 4N65CAMN 无卤 料管 TO-262-3L 4N65CAK 无卤 料管 SVF4N65CAK 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 12 页 第 1 页 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参数范围 参 数 名称 符号 SVF4N65 SVF4N65 SVF4N65 SVF4N65 CAF CAM/D CAMJ/MN CAK 单位 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流 TC=25C TC=100C 漏极脉冲电流 耗散功率（TC=25C） - 大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） 4.0 ID IDM PD A 2.5 16 A 30 77 79 90 W 0.24 0.62 0.63 0.72 W/C EAS 215 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 热阻特性 参数范围 参 数 名 称 符号 SVF4N65 SVF4N65 SVF4N65 SVF4N65 CAF CAM/D CAMJ/MN CAK 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 4.17 1.62 1.58 1.39 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.0 62.0 62.5 C/W 关键特性参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 650 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=650V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=2.0A -- 2.3 2.7  输入电容 Ciss -- 430 -- -- 55 -- -- 4.1 -- -- 9.93 -- -- 25.6 -- -- 27.6 -- -- 25.6 -- -- 12.5 -- -- 2.74 -- -- 6.31 -- 漏源击穿电压 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss 开启延迟时间 td(on) 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Qg Qgs Qgd VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz VDD=325V，VGS=10V， RG=25Ω，ID=4A (注 2，3) VDD=520V，VGS=10V，ID=4A (注 2，3) pF ns nC 版本号：2.1 共 12 页 第 2 页 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 说明书 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的 -- -- 4.0 源极脉冲电流 ISM 反偏 P-N 结 -- -- 16 源-漏二极管压降 VSD IS=4.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=4.0A，VGS=0V， -- 450 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs (注 2) -- 1.87 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=3.6A，VDD=100V，RG=25，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 12 页 第 3 页 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 说明书 典型特性曲线 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 12 页 第 4 页 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 说明书 典型特性曲线（续） 图7. 击穿电压vs.温度特性 图8. 导通电阻vs.温度特性 3.0 1.2 2.5 1.1 2.0 1.5 1.0 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 150 100 注： 1. VGS=10V 2. ID=2.0A 0.5 200 0.0 -100 结温 – TJ(°C) -50 0 50 150 100 200 结温 – TJ(°C) 图9-1. 最大安全工作区域(SVF4N65CAF) 102 图9-2. 最大安全工作区域(SVF4N65CAM/D) 102 此区域工作受限于RDS(ON) 此区域工作受限于RDS(ON) 101 101 100µs 100µs 1ms 1ms 10ms 10ms 100 100 DC DC 10-1 10-1 注：TC=25°C 注：TC=25°C 10-2 0 101 10 102 103 10-2 0 10 漏源电压 - VDS(V) 102 101 102 漏源电压 - VDS(V) 图9-3. 最大安全工作区域 (SVF4N65CAMJ/MN) 图9-4. 最大安全工作区域(SVF4N65CAK) 102 此区域工作受限于RDS(ON) 此区域工作受限于RDS(ON) 101 100µs 101 100µs 1ms 1ms 10ms 100 10ms 100 DC 10-1 DC 10-1 注：TC=25°C 10-2 100 注：TC=25°C 10-2 101 102 漏源电压 - VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 103 103 100 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 版本号：2.1 共 12 页 第 5 页 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 说明书 典型特性曲线（续） 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 12 页 第 6 页 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 说明书 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：2.1 共 12 页 第 7 页 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 说明书 封装外形图 单位：毫米 TO-262-3L A E SYMBOL MIN NOM MAX A 4.30 4.50 4.70 A1 2.20 --- 2.92 b 0.71 0.80 0.90 b2 1.20 --- 1.50 c 0.34 --- 0.65 c2 1.22 1.30 1.35 D 8.38 --- 9.30 E 9.80 10.16 10.54 Ll D L2 c2 2.54 BSC e b2 L L A1 b 12.80 --- 14.10 L1 --- --- 0.75 L2 1.12 --- 1.42 c e e TO-220F-3L 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 单位：毫米 版本号：2.1 共 12 页 第 8 页 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 说明书 封装外形图（续） 单位：毫米 TO-252-2L MIN NOM MAX A SYMBOL 2.10 2.30 2.50 A1 0 --- 0.127 b 0.66 0.76 0.89 b3 5.10 5.33 5.46 c 0.45 --- 0.65 c2 0.45 --- 0.65 D E 5.80 6.30 6.10 6.60 6.40 6.90 e Eject pin（note1） 2.30TYP H 9.60 10.10 10.60 L 1.40 1.50 1.70 L1 L4 2.90REF 0.60 0.80 1.00 There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin. TO-251D-3L 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 单位：毫米 版本号：2.1 共 12 页 第 9 页 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 说明书 封装外形图（续） TO-251J-3L 单位：毫米 TO-251N-3L 单位：毫米 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 12 页 第 10 页 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 说明书 声明： 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最  新。 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整  机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！ 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！  产品名称： SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 2.1 修改记录： 1. 版 删除 TO-262L-3L 封装外形图 本： 2.0 修改记录： 1. 版 更新 TO-262-3L 封装外形图 本： 1.9 修改记录： 1. 更新 TO-251J-3L 封装外形图 2. 删除 TO-220F-3L(2)封装外形图 版 本： 1.8 修改记录： 1. 更新曲线图 5 Crss 2. 更新 TO-251N-3L 封装外形图（1.1 版本） 版 本： 1.7 修改记录： 1. 版 增加 TO-262L-3L 封装信息 本： 1.6 修改记录： 1. 版 修改典型特性曲线 本： 1.5 修改记录： 1. 版 修改典型特性曲线 本： 1.4 修改记录： 1. 修改 TO-220F-3L 封装信息 2. 修改 TO-252-2L 封装信息 版 本： 1.3 修改记录： 版 1. 增加 TO-262-3L 封装 2. 修改参数 本： 1.2 修改记录： 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 12 页 第 11 页 文档类型：说明书 1. 版 增加封装 TO-251N-3L 本： 1.1 修改记录： 1. 修改产品规格分类 2. 修改热阻特性 版 本： 1.0 修改记录： 1. 正式发布版本 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.1 共 12 页 第 12 页