SVF4N65RMJ

SVF4N65RD/M/MJ/F/T 说明书 士兰微电子 4A、650V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF4N65RD/M/MJ/F/T N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体 管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的 1 1 工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很 3 TO-252-2L 高的雪崩击穿耐量. 3 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 1.栅极 2.漏极 3.源极 H 桥 PWM 马达驱动. 1 特点 23 1 TO-251D-3L  4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 12 3 TO-220F-3L 2 3 TO-251J-3L 12 3 TO-220-3L 命名规则 S V F X N X X R X 士兰F-Cell工艺VDMOS产品标识 额定电流标识,采用1-2位数字； 例如:4代表 4A 封装外形标识 例如：FJH:TO-220FJH; F:TO-220F 版本 额定耐压值，采用2位数字 例如：60表示600V 沟道极性标识，N代表N 沟道 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 TO-252-2L 4N65RD 无卤 编带 SVF4N65RM TO-251D-3L 4N65RM 无卤 料管 SVF4N65RMJ TO-251J-3L 4N65RMJ 无卤 料管 SVF4N65RF TO-220F-3L SVF4N65RF 无卤 料管 SVF4N65RT TO-220-3L SVF4N65RT 无铅 料管 SVF4N65RDTR 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共 10 页 第 1 页 SVF4N65RD/M/MJ/F/T 说明书 士兰微电子 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参数名称 符号 参数范围 SVF4N65RM/D/MJ SVF4N65RF SVF4N65RT 单位 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25C 漏极电流 TC=100C 漏极脉冲电流 耗散功率（TC=25C） - 大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） 4.0 ID IDM PD A 2.5 16 A 77 30 100 W 0.62 0.24 0.80 W/C EAS 215 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 热阻特性 参数名称 符号 参数范围 SVF4N65RM/D/MJ SVF4N65RF SVF4N65RT 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 1.62 4.17 1.25 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.0 62.5 62.5 C/W 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共 10 页 第 2 页 SVF4N65RD/M/MJ/F/T 说明书 士兰微电子 关键特性参数(除非特殊说明，TC=25C) 参数名称 漏源击穿电压 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 650 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=650V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=2.0A -- 2.3 2.7  输入电容 Ciss -- 440 -- -- 50 -- -- 4.0 -- -- 10 -- -- 26 -- -- 25 -- -- 26 -- -- 13 -- -- 3.0 -- -- 6.3 -- 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss 开启延迟时间 td(on) 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 Qg Qgs VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz VDD=325V，VGS=10V， RG=25Ω，ID=4A (注 2，3) VDD=520V，VGS=10V，ID=4A (注 2，3) Qgd pF ns nC 源-漏二极管特性参数 参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N -- -- 4.0 源极脉冲电流 ISM 结 -- -- 16 源-漏二极管压降 VSD IS=4.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=4.0A ， VGS=0V ， dIF/dt=100A/µs -- 450 -- ns 反向恢复电荷 Qrr (注 2) -- 1.9 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=3.6A，VDD=100V，RG=25，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共 10 页 第 3 页 SVF4N65RD/M/MJ/F/T 说明书 士兰微电子 典型特性曲线 图1. 输出特性 图2. 传输特性 100 VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V 1 -55°C 25°C 150°C 漏极电流 – ID(A) 漏极电流 – ID(A) 10 VGS=8V VGS=10V VGS=15V 0.1 10 1 注： 1.250µS 脉冲测试 2.TC=25°C 注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 0.1 0.01 0.1 1 10 100 0 1 2 漏源电压 – VDS(V) 图3. 导通电阻vs.漏极电流 6 7 8 9 10 图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度 4.50 VGS=10V VGS=20V 反向漏极电流 – IDR(A) 漏源导通电阻 – RDS(ON)(Ω) 5 100 4.00 3.50 3.00 2.50 2.00 -55°C 25°C 150°C 10 1 注： 1.250µS脉冲测试 2.VGS=0V 注：TJ=25°C 0 1 2 3 4 5 6 7 0.1 0.2 8 0.4 0.6 图5. 电容特性 1.4 1.6 图6. 电荷量特性 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 700 栅源电压 – VGS(V) 500 Ciss Coss Crss 注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz 200 6 4 注：ID=4.0A 0 1 10 漏源电压 – VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 8 2 100 0 0.1 VDS=520V VDS=325V VDS=130V 10 600 300 1.2 1.0 12 800 400 0.8 源漏电压 – VSD(V) 漏极电流 – ID(A) 电容(pF) 4 栅源电压 – VGS(V) 5.00 1.50 3 100 0 3 6 12 9 15 总栅极电荷 – Qg(nC) 版本号：1.2 共 10 页 第 4 页 SVF4N65RD/M/MJ/F/T 说明书 士兰微电子 典型特性曲线(续) 图8. 导通电阻vs.温度特性 漏源导通电阻（标准化） – RDS(ON) 漏源击穿电压（标准化）– BVDSS 图7. 击穿电压vs.温度特性 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 150 100 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 注： 1. VGS=10V 2. ID=2.0A 0.5 0.0 -100 200 -50 结温 – TJ(°C) 10 10 100µs 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 此区域工作受限于RDS(ON) 1 1ms 0 10ms DC 10-1 10-2 注：TC=25°C 100 101 102 1 10ms 100 DC 10-1 10-2 103 100µs 1ms 注：TC=25°C 100 101 漏源电压 - VDS(V) 图9-3. 最大安全工作区域(SVF4N65RT) 103 图 10. 最大漏极电流vs. 壳温 4.5 4.0 此区域工作受限于RDS(ON) 3.5 101 100µs 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 102 漏源电压 - VDS(V) 102 1ms 10ms 100 DC 10-1 10 200 2 此区域工作受限于RDS(ON) 10 150 100 图9-2. 最大安全工作区域(SVF4N65RF) 2 10 50 结温 – TJ(°C) 图9-1. 最大安全工作区域(SVF4N65RD/M/MJ) 10 0 0.5 注：TC=25°C 0 101 102 漏源电压 - VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 2.5 2. 0 1.5 1.0 -2 100 3.0 103 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 版本号：1.2 共 10 页 第 5 页 SVF4N65RD/M/MJ/F/T 说明书 士兰微电子 典型测试电路 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V VDS VGS Qgs 待测 器件 Qgd Vgs(th) Ig Qg(th) Charge 栅极电荷量测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS 待测 器件 RG VDD 10% VGS VGS td(on) td(off) tr ton tf toff 开关时间测试电路及波形图 L EAS = VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS VDD BVDSS ID RG VGS IAS 待测 器件 VDD ID(t) VDS(t) VDD tp tp Time EAS测试电路及波形图 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共 10 页 第 6 页 SVF4N65RD/M/MJ/F/T 说明书 士兰微电子 封装外形图 TO-252-2L 单位：毫米 MIN NOM MAX A SYMBOL 2.10 2.30 2.50 A1 0 --- 0.127 b 0.66 0.76 0.89 b3 5.10 5.33 5.46 c 0.45 --- 0.65 c2 0.45 --- 0.65 D E 5.80 6.30 6.10 6.60 6.40 6.90 e Eject pin（note1） 2.30TYP H 9.60 10.10 10.60 L 1.40 1.50 1.70 L1 2.90REF 0.60 0.80 1.00 L4 L4 NOTE1：There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin. TO-251D-3L 单位：毫米 E SYMBOL 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn MIN NOM MAX A 2.20 2.40 b 0.66 2.30 --- b2 0.72 --- 0.86 0.90 b3 5.10 c2 0.46 --- 0.60 D 6.00 6.10 6.20 E 6.50 6.60 6.70 e 2.186 2.286 2.386 H 10.40 10.70 11.00 5.33 L1 3.50 REF L2 0.508 BSC 5.46 版本号：1.2 共 10 页 第 7 页 SVF4N65RD/M/MJ/F/T 说明书 士兰微电子 封装外形图(续) TO-251J-3L 单位：毫米 MIN NOM MAX A SYMBOL 2.18 2.30 2.39 4 A1 0.89 1.00 1.14 b 0.56 --- 0.89 b4 4.95 5.33 5.46 b5 --- --- 1.05 c 0.46 --- 0.61 D 5.97 6.10 6.27 E 6.35 6.60 6.73 e 2.29 BCS L 8.89 9.30 9.65 L1 0.95 --- 1.50 L2 0.89 --- 1.27 TO-220F-3L 单位：毫米 1 4.42 4.70 5.02 2.30 2.54 2.80 2.50 2.76 3.10 0.70 0.80 0.90 0.35 0.50 0.65 15.25 15.87 16.25 15.30 15.75 16.30 9.30 9.80 10.30 9.73 10.16 10.36 1 1.47 2.54BCS 6.40 6.68 7.00 12.48 12.98 13.48 / / 3.50 3.00 3.18 3.40 3.05 3.30 3.55 3 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共 10 页 第 8 页 士兰微电子 SVF4N65RD/M/MJ/F/T 说明书 封装外形图(续) TO-220-3L 单位：毫米 4.30 4.50 4.70 1.00 1.30 1.50 1.80 2.40 2.80 0.60 0.80 1.00 1.00 1.60 0.30 15.10 0.70 15.70 16.10 8.10 9.20 10.00 9.60 9.90 10.40 2.54BSC 6.10 6.50 7.00 12.60 13.08 13.60 3.40 3.70 3.95 2.60 3.90 3.20 重要注意事项：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新 和完整。  我司产品属于消费类和/或民用类电子产品。  在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有 一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并 采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。  购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。  转售、应用、出口时请遵守中国、美国、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！  我司网站 http: //www.silan.com.cn 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共 10 页 第 9 页 士兰微电子 SVF4N65RD/M/MJ/F/T 说明书 产品名称： SVF4N65RD/M/MJ/F/T 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 1.2 修改记录： 1. 添加 SVF4N65RT(TO-220-3L)封装 2. 修改电气图和典型电路图 3. 添加 SVF4N65RT 的 SOA 曲线见附件 4. 更新 SVF4N65RD(M)(MJ)的 SOA 曲线 5. 修改产品规格分类 6. 修改典型测试电路 7. 修改重要注意事项 版 本： 1.1 修改记录： 1. 新增 TO-220F-3L 2. 根据李敏意见优化参数 版 本： 1.0 修改记录： 1. 正式版本发布 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共 10 页 第 10 页