SVF4N90F

SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 士兰微电子 4A、900V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF4N90F/MJ/T/D 是 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管， 1 采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的 3 工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很 1.栅极 2.漏极 3.源极 高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高 压 H 桥 PWM 马达驱动。 1 3 特点 1 23 TO-220-3L TO-252-2L  4A，900V，RDS(on)(典型值)=2.7@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 1 1 2 3 TO-220F-3L 2 3 TO-251J-3L 命名规则 S V F X N E X X X 士兰F-Cell工艺 VDMOS产品标识 额定电流标识,采用1-2位数字； 例如:4 代表 4A,20 代表 20A, 08 代表 0.8A 封装外形标识 例如：F: TO-220F; MJ:TO-251J;T:TO-220;D:TO-252 额定耐压值，采用2位数字 例如：50表示500V,65表示650V 特殊功能、规格标识，通常省略 例如：E 表示内置了ESD保护结构 沟道极性标识，N代表N 沟道 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF4N90F TO-220F-3L SVF4N90F 无铅 料管 SVF4N90MJ TO-251J-3L SVF4N90 无卤 料管 SVF4N90T TO-220-3L SVF4N90T 无铅 料管 SVF4N90DTR TO-252-2L SVF4N90D 无卤 编带 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 10 页 第 1 页 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 士兰微电子 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名称 符号 参数范围 SVF4N90F SVF4N90MJ/D SVF4N90T 单位 漏源电压 VDS 900 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流 TC=25C TC=100C 漏极脉冲电流 - 大于 25C 每摄氏度减少 （注 1） L=30mH L=10mH PD A 2.5 IDM 耗散功率（TC=25C） 单脉冲雪崩能量 4 ID 16 A 44 132 150 W 0.35 1.06 1.20 W/C EAS 344 mJ 84 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 热阻特性 参 数 名 称 符号 参数范围 SVF4N90F SVF4N9MJ/D SVF4N90T 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 2.84 0.95 0.83 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.0 62.0 C/W 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 10 页 第 2 页 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 士兰微电子 电气参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称 漏源击穿电压 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 900 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=900V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=2A -- 2.7 3.5  输入电容 Ciss -- 707 -- -- 68 -- 输出电容 VDS=25V，VGS=0V， Coss f=1.0MHz pF 反向传输电容 Crss -- 3.0 -- 开启延迟时间 td(on) -- 15 -- 开启上升时间 tr -- 26 -- 关断延迟时间 td(off) -- 39 -- 关断下降时间 tf -- 28 -- -- 17 -- -- 4.1 -- -- 7.6 -- -- 4.2 --  单位 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 VDD=450V，RG=25Ω，ID =4V Qg VDD=720V，ID=4A， VGS=10V Qgs 栅极-漏极电荷量 Qgd 栅极电阻 RG (注 2，3) (注 2，3) f=1MHz ns nC 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 -- -- 4 源极脉冲电流 ISM P-N 结 -- -- 16 源-漏二极管压降 VSD IS=4A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=4A，VGS=0V， -- 535 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs -- 2.5 -- µC (注 2) A 注： 1. VDD=50V，RG=25，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 10 页 第 3 页 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 士兰微电子 典型特性曲线 图1. 输出特性 图2. 传输特性 100 变量 VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V -55°C 25°C 150°C 漏极电流 – ID(A) 漏极电流 – ID(A) 10 VGS=8V 1 VGS=10V VGS=15V 注： 1.250µS 脉冲测 试 2.TC=25°C 0.1 0.1 1 10 10 1 注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 0.1 100 0 1 2 漏源电压 – VDS(V) 图3. 导通电阻vs.漏极电流 反向漏极电流 – IDR(A) 漏源导通电阻 – RDS(ON)(Ω) VGS=10V VGS=20V 3.5 3.0 2.5 9 10 10 注： 1.250µS脉冲测试 2.VGS=0V 1 0.1 2 1 3 4 5 6 7 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 源漏电压 – VSD(V) 图5. 电容特性 图6. 电荷量特性 12 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 1400 栅源电压 – VGS(V) 1000 Ciss Coss Crss 注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz 400 VDS=720V VDS=450V VDS=180V 10 1200 电容(pF) 8 注：TJ=25°C 1600 8 6 4 2 200 注：ID=4.0A 0 1 10 漏源电压 – VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 7 -55°C 25°C 150°C 漏极电流 – ID(A) 0 0.1 6 图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度 4.0 600 5 100 4.5 800 4 栅源电压 – VGS(V) 5.0 2.0 0 3 100 0 3 6 9 12 15 18 总栅极电荷 – Qg(nC) 版本号：2.1 共 10 页 第 4 页 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图8. 导通电阻vs.温度特性 漏源导通电阻（标准化） – RDS(ON) 漏源击穿电压（标准化）– BVDSS 图7. 击穿电压vs.温度特性 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 150 100 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 注： 1. VGS=10V 2. ID=2.0A 0.5 0.0 -100 200 -50 结温 – TJ(°C) 图9-1. 最大安全工作区域(SVF4N90F) 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 101 10ms 100 DC 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-1 100 101 102 10ms 100 DC 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-1 10-2 103 100µs 1ms 100 101 漏源电压 - VDS(V) 图9-3. 最大安全工作区域(SVF4N90T) 图10. 最大漏极电流vs. 壳温 3.5 101 3.0 漏极电流 - ID(A) 100µs 1ms 10ms 0 DC 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 101 http: //www.silan.com.cn 2.0 1.5 0.5 102 漏源电压 - VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 2.5 1.0 -2 100 103 4.0 此区域工作受限于RDS(ON) -1 102 漏源电压 - VDS(V) 102 漏极电流 - ID(A) 200 图9-2. 最大安全工作区域(SVF4N90MJ/D) 100µs 1ms 10 150 此区域工作受限于RDS(ON) 101 10 100 102 此区域工作受限于RDS(ON) 10 50 结温 – TJ(°C) 102 10-2 0 103 0 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 版本号：2.1 共 10 页 第 5 页 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 士兰微电子 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS 12V Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V tr ton td(on) td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS- VDD BVDSS ID IAS RG VDD 10V ID(t) 待测器件 VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：2.1 共 10 页 第 6 页 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 士兰微电子 封装外形图 TO-251J-3L 单位：毫米 MIN NOM MAX A SYMBOL 2.18 2.30 2.39 4 A1 0.89 1.00 1.14 b 0.56 --- 0.89 b4 4.95 5.33 5.46 b5 --- --- 1.05 c 0.46 --- 0.61 D 5.97 6.10 6.27 E 6.35 6.60 6.73 e 2.29 BCS L 8.89 9.30 9.65 L1 0.95 --- 1.50 L2 0.89 --- 1.27 TO-220F-3L 单位：毫米 1 4.42 4.70 5.02 2.30 2.54 2.80 2.50 2.76 3.10 0.70 0.80 0.90 0.35 0.50 0.65 15.25 15.87 16.25 15.30 15.75 16.30 9.30 9.80 10.30 9.73 10.16 10.36 1 1.47 2.54BCS 6.40 6.68 7.00 12.48 12.98 13.48 / / 3.50 3.00 3.18 3.40 3.05 3.30 3.55 3 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 10 页 第 7 页 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 士兰微电子 封装外形图(续) TO-220-3L 单位：毫米 4.30 4.50 4.70 1.00 1.30 1.50 1.80 2.40 2.80 0.60 0.80 1.00 1.00 1.60 0.30 0.70 15.10 15.70 16.10 8.10 9.20 10.00 9.60 9.90 10.40 2.54BSC 6.10 6.50 7.00 12.60 13.08 13.60 3.40 3.70 3.95 2.60 3.90 3.20 TO-252-2L 单位：毫米 MIN NOM MAX A SYMBOL 2.10 2.30 2.50 A1 0 --- 0.127 b 0.66 0.76 0.89 b3 5.10 5.33 5.46 c 0.45 --- 0.65 c2 0.45 --- 0.65 D E 5.80 6.30 6.10 6.60 6.40 6.90 e Eject pin（note1） 2.30TYP H 9.60 10.10 10.60 L 1.40 1.50 1.70 L1 2.90REF 0.60 0.80 1.00 L4 L4 NOTE1：There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin. 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 10 页 第 8 页 士兰微电子 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 产品名称： SVF4N90F/MJ/T/D 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 2.1 修改记录： 1. 版 添加 L=10mH 下的 EAS 值 本： 2.0 修改记录： 1. 版 增加 TO-252-2L 封装 本： 1.9 修改记录： 1. 版 增加 TO-220-3L 带缺口的立体图 本： 1.8 修改记录： 1. 版 增加 TO-220-3L 本： 1.7 修改记录： 1. 版 更新 TO-251J-3L 封装外形图 本： 1.6 修改记录： 1. 版 修改 TO-220F-3L 封装信息 本： 1.5 修改记录： 1. 版 修改热阻特性 本： 1.4 修改记录： 1. 版 增加 TO-251J-3L 封装 本： 1.3 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 1.2 修改记录： 1. 版 修改 MOS 管符号的示意图 本： 1.1 修改记录： 1. 修改“封装外形图” 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 10 页 第 9 页 士兰微电子 版 本： 文档类型：说明书 1.0 修改记录： 1. 原版 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.0 共 10 页 第 10 页