SVF5N60DTR

士兰微电子 SVF5N60T/F/D/MJ/K 说明书 5A、600V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF5N60T/F/D/MJ/K N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应 晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制 1 1 3 造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 TO-252-2L 3 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 1.栅极 2.漏极 3.源极 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 1 2 特点 ∗ 5A，600V，RDS(on)(典型值)= 1.88Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力 1 3 2 TO-251J-3L 1 1 2 3 TO-220F-3L 3 2 TO-262-3L 3 TO-220-3L 命名规则 S V F X N E X X X 封装外形标识 例如：T:TO-220; F:TO-220F; D:TO-252; MJ:TO-251J; K:TO-262 额定耐压值，采用2位数字 例如：60表示600V,65表示650V 特殊功能、规格标识，通常省略 例如：E 表示内置了ESD保护结构 士兰F-Cell工艺 VDMOS产品标识 额定电流标识,采用1-2位数字； 例如:4 代表 4A,10 代表 10A, 08 代表 0.8A 沟道极性标识，N代表N 沟道 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF5N60T TO-220-3L SVF5N60T 无铅 料管 SVF5N60F TO-220F-3L SVF5N60F 无卤 料管 SVF5N60D TO-252-2L SVF5N60D 无卤 料管 SVF5N60DTR TO-252-2L SVF5N60D 无卤 编带 SVF5N60MJ TO-251J-3L SVF5N60MJ 无卤 料管 SVF5N60K TO-262-3L SVF5N60K 无卤 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：2.0 2015.02.12 共10页 第1页 士兰微电子 SVF5N60T/F/D/MJ/K 说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参数名称 参数范围 符号 SVF5N60T/D/MJ SVF5N60F SVF5N60K 单位 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25°C 漏极电流 TC=100°C 漏极浪涌电流 5 ID A 3.1 IDM 20 耗散功率（TC=25°C） PD - 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 120 40 110 W 0.96 0.32 0.88 W/°C EAS 242 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 °C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 °C 热阻特性 参数范围 参数名称 符号 SVF5N SVF5N SVF5N SVF5N SVF5N 60T 60D 60MJ 60F 60K 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 1.04 1.04 1.00 3.13 1.14 °C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.0 62.0 62.5 62.5 °C/W 最小值 典型值 最大值 单位 关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参数名称 符号 测试条件 BVDSS VGS=0V， ID=250µA 600 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=600V，VGS=0V -- -- 10 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=2.5A -- 1.88 2.15 Ω 输入电容 Ciss -- 479.8 -- -- 62.7 -- -- 2.1 -- VDD=300V，ID=5.0A， -- 14.93 -- RG=25Ω -- 28.40 -- -- 28.27 -- -- 21.73 -- 漏源击穿电压 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss 开启延迟时间 td(on) 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ (注 2，3) 栅极电荷量 Qg VDS=480V，ID=5.0A， -- 9.27 -- 栅极-源极电荷量 Qgs VGS=10V -- 2.79 -- 栅极-漏极电荷量 Qgd -- 3.37 -- 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn (注 2，3) 版本号：2.0 pF ns nC 2015.02.12 共10页 第2页 士兰微电子 SVF5N60T/F/D/MJ/K 说明书 源-漏二极管特性参数 参数名称 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 -- -- 5 源极脉冲电流 ISM P-N 结 -- -- 20 源-漏二极管压降 VSD IS=5.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=5.0A，VGS=0V， -- 459.99 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs -- 2.3 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=3.78A，VDD=70V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：2.0 2015.02.12 共10页 第3页 士兰微电子 SVF5N60T/F/D/MJ/K 说明书 典型特性曲线 图1. 输出特性 图2. 传输特性 100 变量 VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V -55°C 25°C 150°C 漏极电流 – ID(A) 漏极电流 – ID(A) 10 VGS=8V 1 VGS=10V VGS=15V 10 1 注： 1.250µS 脉冲测试 2.TC=25°C 注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 0.1 0.1 0.1 1 10 100 0 1 2 漏源电压 – VDS(V) 图3. 导通电阻vs.漏极电流 VGS=10V VGS=20V 2.4 2.2 2.0 1.8 8 9 10 10 注： 1.250µS脉冲测试 2.VGS=0V 1 注：TJ=25°C 0.1 4 2 6 8 10 0 0.2 0.4 1.0 0.8 0.6 1.2 源漏电压 – VSD(V) 图5. 电容特性 图6. 电荷量特性 12 1200 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 800 600 Ciss Coss Crss 注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz 200 VDS=480V VDS=300V VDS=120V 10 栅源电压 – VGS(V) 1000 电容(pF) 7 -55°C 25°C 150°C 漏极电流 – ID(A) 400 6 图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度 2.6 1.6 0 5 100 反向漏极电流 – IDR(A) 漏源导通电阻 – RDS(ON)(Ω) 2.8 4 栅源电压 – VGS(V) 3.2 3.0 3 8 6 4 2 注：ID=5A 0 0.1 0 1 10 漏源电压 – VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 100 0 2 4 6 8 10 总栅极电荷 – Qg(nC) 版本号：2.0 2015.02.12 共10页 第4页 士兰微电子 SVF5N60T/F/D/MJ/K 说明书 典型特性曲线（续） 图8. 导通电阻vs.温度特性 漏源导通电阻（标准化） – RDS(ON) 漏源击穿电压（标准化）– BVDSS 图7. 击穿电压vs.温度特性 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 150 100 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 注： 1. VGS=10V 2. ID=2.5A 0.5 0.0 -100 200 -50 结温 – TJ(°C) 图9-2. 最大安全工作区域（SVF5N60F） 图9-1. 最大安全工作区域（SVF5N60T/D/MJ） 102 此区域工作受限于RDS(ON) 此区域工作受限于RDS(ON) 100µs 10ms DC 0 10-1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 100 101 1ms 10ms 100 DC 10-1 10-2 102 100µs 101 1ms 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 101 10-2 103 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 100 103 102 101 漏源电压 - VDS(V) 漏源电压 - VDS(V) 图10. 最大漏极电流vs. 壳温 图9-3. 最大安全工作区域（SVF5N60K） 10 200 结温 – TJ(°C) 102 10 150 100 50 0 5 2 此区域工作受限于RDS(ON) 1ms 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 4 100µs 101 10ms 10 0 10-1 10-2 100 DC 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 2 1 0 101 102 漏源电压 - VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 3 103 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 版本号：2.0 2015.02.12 共10页 第5页 士兰微电子 SVF5N60T/F/D/MJ/K 说明书 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn Time 版本号：2.0 2015.02.12 共10页 第6页 士兰微电子 SVF5N60T/F/D/MJ/K 说明书 封装外形图 单位: mm 3.30±0.25 TO-220F-3L 4.72±0.30 10.03±0.30 15.80±0.50 15.75±0.50 6.70±0.30 Φ3.20±0.20 2.55±0.25 2.80±0.30 9.80±0.50 1.47MAX 0.80±0.15 0.50±0.15 2.54 TYPE 单位: mm TO-220-3L 4.5±0.2 10.0±0.3 3.7±0.2 1.30±0.30 1.80~2.80 13.1±0.5 3.95MAX 15.1~16.1 6.10~7.00 1.2±0.2 0.80±0.20 0.5±0.2 2.54TYP 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：2.0 2015.02.12 共10页 第7页 士兰微电子 SVF5N60T/F/D/MJ/K 说明书 封装外形图（续） TO-252-2L 单位：mm 6.60±0.3 2.30±0.20 5.10～5.46 0.45～0.65 6.1±0.3 10.10±0.50 Eject pin（note1） 1.4～1.7 2.90REF 0.80±0.20 0.0～0.127 2.30 TYP 0.45～0.65 0.76±0.10 注： 该位置分有顶针孔和无顶针孔两种情况。 TO-251J-3L 6.35～6.73 2.18～2.39 0.46～0.89 8.89～9.65 5.97～6.22 4.95～5.46 0.89～1.27 单位：mm 2.29TYP 0.56～0.89 0.46～0.61 0.89～1.14 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：2.0 2015.02.12 共10页 第8页 士兰微电子 SVF5N60T/F/D/MJ/K 说明书 封装外形图（续） TO-262-3L 单位：mm 4.4~4.7 9.15±0.10 1.22~1.32 3.3±0.20 13.25~14.00 2.0REF 1.17~1.40 10.16±0.2 2.69±0.10 13.20±0.30 1.23~1.36 0.77~0.89 0.34~0.47 2.54TYP 5.08TYP 声明： • • • 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完 整和最新。 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统 设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情 况的发生！ 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：2.0 2015.02.12 共10页 第9页 士兰微电子 SVF5N60T/F/D/MJ/K 说明书 附： 修改记录： 日 期 版本号 描 2011.02.11 1.0 原版 2011.07.04 1.1 增加TO-251J-3L封装 2011.09.13 1.2 更新TO-220-3L尺寸图 2012.06.04 1.3 修改Trr和Qrr的值 2012.11.06 1.4 增加SVF5N60F的无卤信息 2012.12.12 1.5 修改“封装外形图” 2013.09.27 1.6 修改“封装外形图” 2013.12.11 1.7 修改MOS管符号的示意图 2014.04.23 1.8 修改产品规格分类 2014.05.21 1.9 修改TO-251J-3L尺寸图 2015.02.12 2.0 修改热阻特性 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 述 页码 版本号：2.0 2015.02.12 共10页 第10页