SVF5N65F

SVF5N65D/F 说明书 士兰微电子 5A、650V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF5N65D/F 兰微电子的 F-Cell TM N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原 1 胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩 3 击穿耐量。 1.栅极 2.漏极 3.源极 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 1  5A，650V，RDS(on)(典型值)= 2.1@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 3 TO-252-2L 1 2 3 TO-220F-3L 产品规格分类 产 品 名 称 SVF5N65DTR SVF5N65F 封装形式 打印名称 环保等级 包装形式 TO-252-2L SVF5N65D 无卤 编带 TO-220F-3L SVF5N65F 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.1 共8页 第1页 SVF5N65D/F 说明书 士兰微电子 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称 参数范围 符号 SVF5N65D 单位 SVF5N65F 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25C 漏极电流 TC=100C 漏极冲击电流 5.0 ID IDM 耗散功率（TC=25C） -大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 3.1 20 PD A 79 30 W 0.53 0.24 W/C EAS 242 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 热阻特性 参 数 名 称 参数范围 符 号 SVF5N65D SVF5N65F 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 1.90 4.17 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.0 62.5 C/W 电气参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称 漏源击穿电压 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V， ID=250µA 650 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=650V，VGS=0V -- -- 1 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=2.5A -- 2.1 2.5  输入电容 Ciss -- 471 -- 输出电容 Coss -- 58 -- -- 5.5 -- -- 13.87 -- -- 31.93 -- -- 43.53 -- -- 33.73 -- -- 13.63 -- -- 2.96 -- -- 6.86 -- 反向传输电容 开启延迟时间 Crss td(on) 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 Qg Qgs Qgd 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn VDS=25V，VGS=0V，f=1.0MHZ VDD=325V，ID=5.0A，RG=24 (注 2，3) VDS=520V，ID=5.0A， VGS=10V (注 2，3) pF ns nC 版本号：1.1 共8页 第2页 SVF5N65D/F 说明书 士兰微电子 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 -- -- 5 源极脉冲电流 ISM P-N 结 -- -- 20 源-漏二极管压降 VSD IS=5.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=5.0A，VGS=0V， -- 476 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs -- 2.3 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=3.78A，VDD=100V，RG=25，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.1 共8页 第3页 SVF5N65D/F 说明书 士兰微电子 典型特性曲线 图1. 输出特性 图2. 传输特性 100 VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V 1 -55°C 25°C 150°C 漏极电流 – ID(A) 漏极电流 – ID(A) 10 0.1 VGS=8V 0.01 0.1 VGS=15V 1 10 1 注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 注： 1.250µS 脉冲测试 2.TC=25°C VGS=10V 10 0.1 100 0 1 2 漏源电压 – VDS(V) 图3. 导通电阻vs.漏极电流 6 7 8 9 10 图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度 VGS=10V VGS=20V 3.50 反向漏极电流 – IDR(A) 漏源导通电阻 – RDS(ON)(Ω) 5 100 3.00 2.50 2.00 1.50 -55°C 25°C 150°C 10 注： 1.250µS脉冲测试 2.VGS=0V 1 注：TJ=25°C 0.1 0 4 2 6 8 0 0.2 图5. 电容特性 栅源电压 – VGS(V) Ciss Coss Crss 400 300 注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz 200 8 6 4 2 100 注：ID=5A 0 1 10 漏源电压 – VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 1.2 VDS=480V VDS=300V VDS=120V 10 700 0 0.1 1.0 图6. 电荷量特性 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 800 500 0.8 0.6 12 900 600 0.4 源漏电压 – VSD(V) 漏极电流 – ID(A) 电容(pF) 4 栅源电压 – VGS(V) 4.00 1.00 3 100 0 3 6 9 12 15 总栅极电荷 – Qg(nC) 版本号：1.1 共8页 第4页 SVF5N65D/F 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图8. 导通电阻vs.温度特性 漏源导通电阻（标准化） – RDS(ON) 漏源击穿电压（标准化）– BVDSS 图7. 击穿电压vs.温度特性 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 150 100 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 注： 1. VGS=10V 2. ID=2.5A 0.5 0.0 -100 200 结温 – TJ(°C) 图9-1. 最大安全工作区域（SVF5N65D） 50 100 150 200 图9-2. 最大安全工作区域（SVF5N65F） 102 此区域工作受限于RDS(ON) 此区域工作受限于RDS(ON) 100µs 1ms 10ms 100 DC 10-1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.RDS(ON)[max]=2.5Ω 100 101 102 100µs 101 漏极电流 - ID(A) 101 漏极电流 - ID(A) 0 结温 – TJ(°C) 102 10-2 -50 103 漏源电压 - VDS(V) 1ms 10ms 100 DC 10-1 10-2 100 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.RDS(ON)[max]=2.5Ω 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 图10. 最大漏极电流vs. 壳温 5 漏极电流 - ID(A) 4 3 2 1 0 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.1 共8页 第5页 SVF5N65D/F 说明书 士兰微电子 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：1.1 共8页 第6页 SVF5N65D/F 说明书 士兰微电子 封装外形图 TO-252--2L 单位：毫米 MIN NOM MAX A SYMBOL 2.10 2.30 2.50 A1 0 --- 0.127 b 0.66 0.76 0.89 b3 5.10 5.33 5.46 c 0.45 --- 0.65 c2 0.45 --- 0.65 D E 5.80 6.30 6.10 6.60 6.40 6.90 e Eject pin（note1） 2.30TYP H 9.60 10.10 10.60 L 1.40 1.50 1.70 L1 2.90REF 0.60 0.80 1.00 L4 L4 NOTE1：There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin. TO-220F-3L 单位：毫米 1 4.42 4.70 5.02 2.30 2.54 2.80 2.50 2.76 3.10 0.70 0.80 0.90 0.35 0.50 0.65 15.25 15.87 16.25 15.30 15.75 16.30 9.30 9.80 10.30 9.73 10.16 10.36 1 1.47 2.54BCS 6.40 6.68 7.00 12.48 12.98 13.48 / / 3.50 3.00 3.18 3.40 3.05 3.30 3.55 3 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.1 共8页 第7页 SVF5N65D/F 说明书 士兰微电子 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 产品名称： SVF5N65D/F 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 1.1 修改记录： 1. 版 增加 TO-220F-3L 本： 1.0 修改记录： 1. 正式版本发布 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.1 共8页 第8页