SVF6N60DTR

士兰微电子 SVF6N60MJ/F/D 说明书 6A、600V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF6N60MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体 管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电 1 1 阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 3 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 1.栅极 2.漏极 3.源极 2 3 TO-251J-3L 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 ∗ 6A，600V，RDS(on)(典型值)=1.35Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力 1 3 TO-252-2L 1 2 3 TO-220F-3L 命名规则 S V F X N E X X X 士兰F-Cell工艺 VDMOS产品标识 封装外形标识,例如：MJ:TO-251J; F:TO-220F; D:TO-252 额定电流标识,采用1-2位数字； 例如:4 代表 4A,10 代表 10A, 08 代表 0.8A 额定耐压值，采用2位数字 例如：60表示600V,65表示650V 特殊功能、规格标识，通常省略 例如：E 表示内置了ESD保护结构 沟道极性标识，N代表N 沟道 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装 SVF6N60MJ TO-251J-3L SVF6N60MJ 无卤 料管 SVF6N60F TO-220F-3L SVF6N60F 无卤 料管 SVF6N60D TO-252-2L SVF6N60D 无卤 料管 SVF6N60DTR TO-252-2L SVF6N60D 无卤 编带 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：2.0 2015.02.13 共9页 第1页 士兰微电子 SVF6N60MJ/F/D 说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 名 称 参数范围 符号 SVF6N60F 单位 SVF6N60MJ/D 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25°C 漏极电流 6 ID TC=100°C 漏极冲击电流 A 3.8 IDM 24 耗散功率（TC=25°C） PD - 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 42 125 W 0.34 1.00 W/°C EAS 343 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 °C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 °C 热阻特性 参 数 名 称 符号 参数范围 SVF6N60F SVF6N60D SVF6N60MJ 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 2.98 1.00 0.95 °C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.0 62.0 °C/W 电性参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 名 称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 600 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=600V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=3A -- 1.35 1.5 Ω 输入电容 Ciss -- 690.7 -- -- 83.6 -- -- 2.7 -- -- 18.53 -- -- 42.67 -- -- 33.20 -- -- 28.13 -- -- 13.32 -- -- 4.13 -- -- 4.19 -- 漏源击穿电压 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss 开启延迟时间 td(on) 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 栅极电荷量 Qg 栅极-源极电荷量 Qgs 栅极-漏极电荷量 Qgd 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ VDD=300V，ID=6A， RG=25Ω pF ns (注 2,3) VDS=480V，ID=6A，VGS=10V (注 2,3) 版本号：2.0 nC 2015.02.13 共9页 第2页 士兰微电子 SVF6N60MJ/F/D 说明书 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的 -- -- 6 源极脉冲电流 ISM 反偏 P-N 结 -- -- 24 源-漏二极管压降 VSD IS=6A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=6A，VGS=0V， -- 488 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs -- 3 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=4.40A，VDD=105V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：2.0 2015.02.13 共9页 第3页 士兰微电子 SVF6N60MJ/F/D 说明书 典型特性曲线 图1. 输出特性 10 图2. 传输特性 100 变量 VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V -55°C 25°C 150°C 漏极电流 – ID(A) 漏极电流 – ID(A) 100 VGS=8V VGS=10V VGS=15V 1 10 1 注： 1.250µS 脉冲测试 2.TC=25°C 注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 0.1 0.1 0.1 1 10 100 0 1 2 漏源电压 – VDS(V) 图3. 导通电阻vs.漏极电流 5 6 7 8 9 10 图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度 100 VGS=10V VGS=20V 反向漏极电流 – IDR(A) 漏源导通电阻 – RDS(ON)(Ω) 4 栅源电压 – VGS(V) 2.0 1.8 3 1.6 1.4 1.2 -55°C 25°C 150°C 10 注： 1.250µS脉冲测试 2.VGS=0V 1 注：TJ=25°C 1.0 0 0.1 2 4 6 8 10 0 0.2 0.4 图5. 电容特性 1.2 1.4 12 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 1000 800 Ciss Coss Crss 注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz 6 4 注：ID=6.0A 0 1 10 漏源电压 – VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 8 2 200 0 0.1 VDS=480V VDS=300V VDS=120V 10 栅源电压 – VGS(V) 1200 电容(pF) 1.0 图6. 电荷量特性 1400 400 0.8 源漏电压 – VSD(V) 漏极电流 – ID(A) 600 0.6 100 0 2 4 6 8 10 12 14 总栅极电荷 – Qg(nC) 版本号：2.0 2015.02.13 共9页 第4页 士兰微电子 SVF6N60MJ/F/D 说明书 典型特性曲线（续） 图8. 导通电阻vs.温度特性 漏源导通电阻 – RDS(ON)（标准化） 漏源击穿电压– BVDSS（标准化） 图7. 击穿电压vs.温度特性 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 150 100 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 注： 1. VGS=10V 2. ID=3.0A 0.5 0.0 -100 200 结温 – TJ(°C) 图9-1. 最大安全工作区域(SVF6N60F) 50 100 150 200 图9-2. 最大安全工作区域(SVF6N60MJ/D) 102 此区域工作受限于RDS(ON) 此区域工作受限于RDS(ON) 101 100µs 1ms 10ms 100 DC 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-1 100 101 102 101 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 0 结温 – TJ(°C) 102 10-2 -50 103 漏源电压 - VDS(V) 100µs 1ms 10ms 100 10-1 10-2 100 DC 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 图10. 最大漏电流vs. 壳温 6 漏极电流 - ID(A) 5 4 3 2 1 0 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：2.0 2015.02.13 共9页 第5页 士兰微电子 SVF6N60MJ/F/D 说明书 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp Time tp 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：2.0 2015.02.13 共9页 第6页 士兰微电子 SVF6N60MJ/F/D 说明书 封装外形图 单位: mm TO-251J-3L 0.89～1.27 6.35～6.73 2.18～2.39 0.46～0.89 8.89～9.65 5.97～6.22 4.95～5.46 2.29TYP 0.56～0.89 0.46～0.61 0.89～1.14 单位: mm 4.72±0.30 10.03±0.30 Φ3.20±0.20 2.55±0.25 15.80±0.50 15.75±0.50 6.70±0.30 3.30±0.25 TO-220F-3L 2.80±0.30 9.80±0.50 1.47MAX 0.80±0.15 0.50±0.15 2.54 TYPE 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：2.0 2015.02.13 共9页 第7页 士兰微电子 SVF6N60MJ/F/D 说明书 封装外形图（续） 单位: mm TO-252-2L 6.60±0.3 2.30±0.20 5.10～5.46 0.45～0.65 6.1±0.3 10.10±0.50 Eject pin（note1） 1.4～1.7 2.90REF 0.80±0.20 0.0～0.127 2.30 TYP 0.76±0.10 0.45～0.65 注： 该位置分有顶针孔和无顶针孔两种情况。 声明： • • • 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完 整和最新。 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统 设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情 况的发生！ 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：2.0 2015.02.13 共9页 第8页 士兰微电子 SVF6N60MJ/F/D 说明书 附： 修改记录： 日 期 版本号 描 述 页码 原版 2011.02.23 1.0 2011.07.04 1.1 2011.09.09 1.2 删除TO-251-3L和TO-251D-3L封装 2012.04.11 1.3 增加SVF6N60F的无卤信息 2012.05.14 1.4 修改“源-漏二极管特性参数” 2013.03.13 1.5 修改“产品规格分类” 2013.07.31 1.6 对封装立体图管脚进行编号 2013.12.11 1.7 修改MOS管符号的示意图 2014.04.23 1.8 修改产品规格分类 2014.05.19 1.9 修改TO-251J-3L尺寸图 2015.02.13 2.0 修改热阻特性 增加TO-251D-3L和TO-251J-3L封装 更新TO-220F-3L和TO-252-2L尺寸图 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：2.0 2015.02.13 共9页 第9页