SVF740T

SVF740T/MJ 说明书 10A、400V N沟道增强型场效应管 描述 2 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士 SVF740T/MJ 兰微电子的 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及 12 3 1 元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪 崩击穿耐量。 TO-251J-3L 3 1.栅极 2.漏极 3.源极 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高 压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点  10A，400V，RDS(on)(典型值)=0.45@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 12 3 TO-220-3L 12 3 TO-220-3L 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF740T TO-220-3L SVF740T 无铅 料管 SVF740MJ TO-251J-3L SVF740MJ 无卤 料管 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名称 参数范围 符号 SVF740T 单位 SVF740MJ 漏源电压 VDS 400 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25C 漏极电流 TC=100C 漏极脉冲电流 耗散功率（TC=25C） - 大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） 10 ID IDM PD A 6.3 40 A 130 98 W 1.04 0.78 W/C EAS 517 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.0 共7页 第1页 SVF740T/MJ 说明书 热阻特性 参 数 名 称 参数范围 符号 单位 SVF740T SVF740MJ 芯片对管壳热阻 RθJC 0.96 1.28 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.0 C/W 电气参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称 漏源击穿电压 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 400 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=400V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=5.0A -- 0.45 0.60  输入电容 Ciss -- 801 -- -- 118.5 -- 输出电容 Coss VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz 反向传输电容 Crss -- 5.06 -- 开启延迟时间 td(on) -- 15.44 -- 开启上升时间 tr -- 38.60 -- -- 35.12 -- -- 28.16 -- -- 16.18 -- -- 4.77 -- -- 7.18 -- 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 Qg Qgs VDD=200V，RG=25Ω，ID =10A (注 2，3) VDD=320V，ID=10A， VGS=10V (注 2，3) Qgd pF ns nC 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 -- -- 10 源极脉冲电流 ISM P-N 结 -- -- 40 源-漏二极管压降 VSD IS=10A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=10A，VGS=0V， -- 255.6 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs (注 2) -- 2.15 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=5.30A，VDD=100V，RG=25，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.0 共7页 第2页 SVF740T/MJ 说明书 典型特性曲线 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.0 共7页 第3页 SVF740T/MJ 说明书 典型特性曲线（续） 图8. 导通电阻vs.温度特性 漏源导通电阻（标准化） – RDS(ON) 漏源击穿电压（标准化）– BVDSS 图7. 击穿电压vs.温度特性 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 150 100 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 注： 1. VGS=10V 2. ID=5A 0.5 0.0 -100 200 结温 – TJ(°C) -50 0 50 102 100µs 100µs 101 101 1ms 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 200 图9-2. 最大安全工作区域(SVF740MJ) 图9-1. 最大安全工作区域(SVF740T) 102 10ms DC 100 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 10-2 150 100 结温 – TJ(°C) 注： 1.TC=25°C 2.TJ=150°C 3.RDS(ON)=0.6Ω 100 101 10ms 103 DC 100 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 10-2 102 1ms 100 注： 1.TC=25°C 2.TJ=150°C 3.RDS(ON)=0.6Ω 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 漏源电压 - VDS(V) 图10. 最大漏极电流vs. 壳温 10 漏极电流 - ID(A) 8 6 4 2 0 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.0 共7页 第4页 SVF740T/MJ 说明书 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V tr ton td(on) td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：2.0 共7页 第5页 SVF740T/MJ 说明书 封装外形图 单位：毫米 TO-220-3L 4.30 4.50 1.00 1.30 1.80 2.40 0.80 0.60 1.00 4.70 1.50 2.80 1.00 1.60 0.30 15.10 15.70 0.70 16.10 8.10 9.60 9.20 9.90 10.40 10.00 2.54BSC 6.10 6.50 12.60 13.08 3.40 2.60 3.70 7.00 13.60 3.95 TO-251J-3L 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 3.90 3.20 单位：毫米 版本号：2.0 共7页 第6页 SVF740T/MJ 说明书 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 产品名称： SVF740T/MJ 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 2.0 修改记录： 1. 删除 TO-220F-3L 封装外形图 版 本： 1.9 修改记录： 1. 更新 TO-251J-3L 封装外形图 版 本： 1.8 修改记录： 1. 修改曲线注解 版 本： 1.7 修改记录： 1. 修改产品规格分类 版 本： 1.6 修改记录： 1. 修改产品规格分类 版 本： 1.5 修改记录： 1. 增加 TO-251J-3L 封装信息 版 本： 1.4 修改记录： 1. 修改 TO-220F-3L 封装信息 2. 修改 TO-220-3L 封装信息 版 本： 1.3 修改记录： 1. 修改热阻特性 版 本： 1.2 修改记录： 1. 修改产品规格分类 版 本： 1.1 修改记录： 1. 版 修改 MOS 管符号的示意图 本： 1.0 修改记录： 1. 原版 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.0 共7页 第7页