SVF7N65CF

士兰微电子 SVF7N65CF/D/MJ/K/T 说明书 7A、650V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF7N65CF/D/MJ/K/T N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管 采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺 1 1 及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的 2 3 3 雪崩击穿耐量。 TO-262-3L 1.栅极 2.漏极 3.源极 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 12 特点 1 3 TO-220-3L  7A，650V，RDS(on)(典型值)=1.1@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 1 23 1 23 3 TO-252-2L TO-251J-3L 12 TO-220F-3L 3 TO-220-3L 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 TO-220F-3L SVF7N65CF 无卤 料管 SVF7N65CDTR TO-252-2L SVF7N65C 无卤 编带 SVF7N65CMJ TO-251J-3L SVF7N65C 无卤 料管 SVF7N65CK TO-262-3L SVF7N65CK 无卤 料管 SVF7N65CT TO-220-3L SVF7N65CT 无卤 料管 SVF7N65CF 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 12 页 第 1 页 SVF7N65CF/D/MJ/K/T 说明书 士兰微电子 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参数范围 参 数 符 号 SVF7N6 SVF7N6 SVF7N6 SVF7N6 SVF7N6 5CF 5CD 5CMJ 5CK 5CT 单位 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V TC = 25C 漏极电流 TC = 100C 漏极脉冲电流 7.0 ID IDM 耗散功率（TC=25C） - 大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 4.4 PD 28.0 A 46 89 90 120 145 W 0.37 0.71 0.72 0.96 1.16 W/C EAS 435 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 热阻特性 参数范围 参 数 符 号 SVF7N6 SVF7N6 SVF7N6 SVF7N65 SVF7N6 5CF 5CD 5CMJ CK 5CT 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 2.7 1.4 1.39 1.04 0.86 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.0 62.0 62.5 62.5 C/W 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 12 页 第 2 页 SVF7N65CF/D/MJ/K/T 说明书 士兰微电子 电性参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 漏源击穿电压 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V， ID=250µA 650 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=650V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=3.5A -- 1.1 1.4  输入电容 Ciss -- 789 -- 输出电容 Coss -- 98 -- 反向传输电容 Crss -- 9.0 -- 开启延迟时间 td(on) -- 15 -- -- 32 -- -- 51 -- -- 33 -- -- 21 -- -- 4.5 -- -- 10 -- 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 栅极电荷量 Qg 栅极-源极电荷量 Qgs 栅极-漏极电荷量 Qgd VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz VDD=325V， RG=25Ω，ID=7.0A (注 2，3) VDS=520V，ID=7.0A，VGS=10V (注 2，3) pF ns nC 源-漏二极管特性参数 参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N -- -- 7.0 源极脉冲电流 ISM 结 -- -- 28.0 源-漏二极管压降 VSD IS=7.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=7.0A，VGS=0V， -- 499 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs（注 2） -- 3.0 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=5.0A，VDD=100V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 12 页 第 3 页 SVF7N65CF/D/MJ/K/T 说明书 士兰微电子 典型特性曲线 图 1. 输出特性 图2. 传输特性 100 -55°C 25°C 150°C VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V VGS=8V VGS=10V VGS=15V 10 漏极电流– ID(A) 漏极电流 – ID(A) 100 1 10 1 1 注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 注： 1.250µS脉冲测试t 2.VDS=50V 0.1 0.1 10 0.1 100 0 1 2 漏源电压 – VDS(V) 反向漏极电流 – IDR(A) 漏源导通电阻 – RDS(ON)(Ω) 100 1.4 1.3 1.2 1.1 1.0 0.9 6 7 8 9 10 注： 1.250µS 脉冲测试 2.VGS=0V -55°C 25°C 150°C VGS=10V VGS=20V 1.5 5 图 4. 体二极管压降 vs. 源极电流、温度 1.6 10 1 注： TJ=25°C 0 2 4 8 0.1 0.2 10 0.4 图5. 电容特性 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 栅源电压– VGS(V) Ciss Coss Crss 600 注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz 400 8 6 4 2 200 注：ID=7A 1 10 漏源电压 – VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 1.2 VDS=520V VDS=325V VDS=130V 10 1200 0 0.1 1.0 12 1400 800 0.8 图6. 电荷量特性 1600 1000 0.6 漏源电压– VSD(V) 漏极电流– ID(A) 电容(pF) 4 栅源电压– VGS(V) 图3. 导通电阻 vs. 漏极电流、栅极电压 0.8 3 100 0 0 5 10 15 20 25 总栅极电荷 – Qg(nC) 版本号：2.6 共 12 页 第 4 页 SVF7N65CF/D/MJ/K/T 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图8. 导通电阻vs.温度特性 漏源导通电阻– RDS(ON)（标准化） 漏源击穿电压 – BVDSS（标准化） 图7. 击穿电压vs.温度特性 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 100 150 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 注： 1. VGS=10V 2. ID=3.5A 0.5 0.0 -100 200 结温 – TJ(°C) -50 0 50 100 150 结温 – TJ(°C) 图9-2. 最大安全工作区域(SVF7N65CD) 图9-1. 最大安全工作区域(SVF7N65CF) 102 102 100µs 100µs 101 1ms 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 101 10ms 10 0 DC 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 10-2 100 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.RDS(ON)[max]=1.4Ω 10 1 10 2 1ms 10ms 0 10 DC 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.RDS(ON)[max]=1.4Ω 10-2 100 3 10 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 漏源电压 - VDS(V) 图9-4. 最大安全工作区域(SVF7N65CK) 图9-3. 最大安全工作区域(SVF7N65CMJ) 102 102 100µs 100µs 101 1ms 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 101 10ms 10 200 0 DC 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.RDS(ON)[max]=1.4Ω 10-2 100 101 102 漏源电压 - VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 103 1ms 10ms 0 10 DC 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 10-2 100 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.RDS(ON)[max]=1.4Ω 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 版本号：2.6 共 12 页 第 5 页 SVF7N65CF/D/MJ/K/T 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图9-5. 最大安全工作区域(SVF7N65CT) 图 10. 最大漏极电流vs. 壳温 102 8 7 100µs 6 1ms 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 101 10ms DC 100 此区域工作受限于 RDS(ON) 10-1 101 102 漏源电压 - VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 4 3 2 1 注：TC=25°C 10-2 100 5 103 0 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 版本号：2.6 共 12 页 第 6 页 SVF7N65CF/D/MJ/K/T 说明书 士兰微电子 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：2.6 共 12 页 第 7 页 SVF7N65CF/D/MJ/K/T 说明书 士兰微电子 封装外形图 TO-220F-3L 单位：毫米 1 4.42 4.70 5.02 2.30 2.54 2.80 2.50 2.76 3.10 0.70 0.80 0.90 0.35 0.50 0.65 15.25 15.87 16.25 15.30 15.75 16.30 9.30 9.80 10.30 9.73 10.16 10.36 1 1.47 2.54BCS 6.40 6.68 7.00 12.48 12.98 13.48 / / 3.50 3.00 3.18 3.40 3.05 3.30 3.55 3 TO-252-2L 单位：毫米 MIN NOM MAX A SYMBOL 2.10 2.30 2.50 A1 0 --- 0.127 b 0.66 0.76 0.89 b3 5.10 5.33 5.46 c 0.45 --- 0.65 c2 0.45 --- 0.65 D E 5.80 6.30 6.10 6.60 6.40 6.90 e Eject pin（note1） 2.30TYP H 9.60 10.10 10.60 L 1.40 1.50 1.70 L1 2.90REF 0.60 0.80 1.00 L4 L4 NOTE1：There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin. 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 12 页 第 8 页 SVF7N65CF/D/MJ/K/T 说明书 士兰微电子 封装外形图(续) TO-251J-3L 单位：毫米 SYMBOL MIN NOM MAX A 2.18 2.30 2.39 4 A1 0.89 1.00 1.14 b 0.56 --- 0.89 b4 4.95 5.33 5.46 b5 --- --- 1.05 c 0.46 --- 0.61 D 5.97 6.10 6.27 E 6.35 6.60 6.73 e 2.29 BCS L 8.89 9.30 9.65 L1 0.95 --- 1.50 L2 0.89 --- 1.27 TO-262-3L 单位：毫米 A E MIN NOM MAX A SYMBOL 4.30 4.50 4.70 D L2 c2 A1 2.20 --- 2.92 b 0.71 0.80 0.97 b2 1.20 --- 1.50 c 0.34 --- 0.76 c2 1.22 1.30 1.35 D 8.38 --- 9.30 E 9.80 10.16 10.54 Ll e L b2 2.54 BSC L 12.80 L1 2.80 3.30 4.06 L2 1.12 --- 1.42 --- 14.10 A1 b c e e 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 12 页 第 9 页 士兰微电子 SVF7N65CF/D/MJ/K/T 说明书 封装外形图(续) TO-220-3L 单位：毫米 4.30 1.00 1.80 0.60 1.00 4.50 1.30 2.40 0.80 4.70 1.50 2.80 1.00 1.60 0.30 15.10 15.70 0.70 16.10 8.10 9.60 9.20 9.90 10.40 10.00 2.54BSC 6.10 6.50 12.60 13.08 3.40 2.60 3.70 7.00 13.60 3.95 3.90 3.20 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 12 页 第 10 页 士兰微电子 SVF7N65CF/D/MJ/K/T 说明书 产品名称： SVF7N65CF/D/MJ/K/T 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 2.6 修改记录： 1. 版 删除 TO-220FQ-3L 封装 本： 2.5 修改记录： 1. 版 更新 TO-263-2L 封装外形图 本： 2.4 修改记录： 1. 更新 TO-262-3L 封装外形图 2. 增加 TO-220-3L 带缺口的立体图 版 本： 2.3 修改记录： 1. 删除 TO-262L-3L 封装外形图 2. 更新 TO-220FQ-3L 立体图 版 本： 2.2 修改记录： 1. 版 更新 TO-262-3L 封装外形图 本： 2.1 修改记录： 1. 版 修改典型特性曲线的符号 本： 2.0 修改记录： 1. 版 更新 TO-251J-3L 封装外形图 本： 1.9 修改记录： 1. 版 增加 TO-262L-3L 封装 本： 1.8 修改记录： 1. 增加 TO-220-3L 封装 2. 修改 TO-262-3L 封装 3. 修改 TO-263-2L 封装 版 本： 1.7 修改记录： 1. 版 修改典型特性曲线 本： 1.6 修改记录： 1. 版 修改 TO-252-2L 封装 本： 1.5 修改记录： 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 12 页 第 11 页 士兰微电子 1. 增加 TO-220FQ-3L 封装 2. 修改 TO-220F-3L 封装 版 本： 文档类型：说明书 1.4 修改记录： 1. 版 增加 TO-263-2L 封装 本： 1.3 修改记录： 1. 版 增加 TO-262-3L 封装 本： 1.2 修改记录： 1. 版 修改热阻特性 本： 1.1 修改记录： 1. 版 增加 TO-251J-3L 封装 本： 1.0 修改记录： 1. 正式发布版本 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.4 共 12 页 第 12 页