SVF7N65F

SVF7N65T/F/S 说明书 7A、650V N沟道增强型场效应管 描述 SVF7N65T/F/S N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士 兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞 结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击 穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点  7A，650V，RDS(on)(典型值)=1.1@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF7N65F TO-220F-3L SVF7N65F 无铅 料管 SVF7N65S TO-263-2L SVF7N65S 无卤 料管 SVF7N65STR TO-263-2L SVF7N65S 无卤 编带 SVF7N65T TO-220-3L SVF7N65T 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.8 共 10 页 第 1 页 SVF7N65T/F/S 说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 参数范围 符 号 SVF7N65T 单位 SVF7N65F SVF7N65S 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V TC = 25C 漏极电流 7.0 ID TC = 100C 漏极脉冲电流 IDM 耗散功率（TC=25C） PD - 大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 4.4 28.0 A 145 46 120 W 1.16 0.37 0.96 W/C EAS 435 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 热阻特性 参 数 符 参数范围 号 单位 SVF7N65T SVF7N65F SVF7N65S 芯片对管壳热阻 RθJC 0.86 2.7 1.04 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.5 62.5 C/W 电性参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 漏源击穿电压 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V， ID=250µA 650 -- -- V IDSS VDS=650V，VGS=0V -- -- 1.0 µA IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=3.5A -- 1.1 1.4  输入电容 Ciss -- 789 -- 输出电容 Coss -- 98 -- 反向传输电容 Crss -- 9.0 -- 开启延迟时间 td(on) -- 15.0 -- -- 32.0 -- -- 51.0 -- -- 32.5 -- -- 21.2 -- -- 4.53 -- -- 10.2 -- 漏源漏电流 栅源漏电流 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 栅极电荷量 Qg 栅极-源极电荷量 Qgs 栅极-漏极电荷量 Qgd 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn VDS=25V，VGS=0V，f=1.0MHz VDD=325V，RG=25Ω，ID=7.0A (注 2，3) VDS=520V，ID=7.0A，VGS=10V (注 2，3) pF ns nC 版本号：2.8 共 10 页 第 2 页 SVF7N65T/F/S 说明书 源-漏二极管特性参数 参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N -- -- 7.0 源极脉冲电流 ISM 结 -- -- 28.0 源-漏二极管压降 VSD IS=7.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=7.0A，VGS=0V， -- 499 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs（注 2） -- 3.0 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=5.0A，VDD=100V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.8 共 10 页 第 3 页 SVF7N65T/F/S 说明书 典型特性曲线 图 1. 输出特性 图2. 传输特性 100 -55°C 25°C 150°C VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V VGS=8V VGS=10V VGS=15V 10 漏极电流– ID(A) 漏极电流 – ID(A) 100 1 1 10 1 注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 注： 1.250µS脉冲测试t 2.VDS=50V 0.1 0.1 10 0.1 100 0 1 2 漏源电压 – VDS(V) 1.4 1.3 1.2 1.1 1.0 0.9 6 7 8 9 10 注： 1.250µS 脉冲测试 2.VGS=0V -55°C 25°C 150°C VGS=10V VGS=20V 反向漏极电流 – IDR(A) 漏源导通电阻 – RDS(ON)(Ω) 100 1.5 5 图 4. 体二极管压降 vs. 源极电流、温度 图3. 导通电阻 vs. 漏极电流、栅极电压 10 1 注： TJ=25°C 0 2 4 8 0.1 0.2 10 0.4 图5. 电容特性 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 栅源电压– VGS(V) Ciss Coss Crss 600 注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz 400 8 6 4 2 200 注：ID=7A 1 10 漏源电压 – VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 1.2 VDS=520V VDS=325V VDS=130V 10 1200 0 0.1 1.0 12 1400 800 0.8 图6. 电荷量特性 1600 1000 0.6 漏源电压– VSD(V) 漏极电流– ID(A) 电容(pF) 4 栅源电压– VGS(V) 1.6 0.8 3 100 0 0 5 10 15 20 25 总栅极电荷 – Qg(nC) 版本号：2.8 共 10 页 第 4 页 SVF7N65T/F/S 说明书 典型特性曲线（续） 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.8 共 10 页 第 5 页 SVF7N65T/F/S 说明书 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：2.8 共 10 页 第 6 页 SVF7N65T/F/S 说明书 封装外形图 单位：毫米 TO-220-3L 4.30 4.50 1.00 1.30 1.80 2.40 0.80 0.60 1.00 4.70 1.50 2.80 1.00 1.60 0.30 15.10 15.70 0.70 16.10 8.10 9.60 9.20 9.90 10.40 10.00 2.54BSC 6.10 6.50 12.60 13.08 3.40 2.60 3.70 7.00 13.60 3.95 TO-220F-3L 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 3.90 3.20 单位：毫米 版本号：2.8 共 10 页 第 7 页 SVF7N65T/F/S 说明书 封装外形图(续) 单位：毫米 L L2 H D L1 TO-263-2L 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.8 共 10 页 第 8 页 SVF7N65T/F/S 说明书 产品名称： SVF7N65T/F/S 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 2.8 修改记录： 1. 版 删除 TO-263-2L 封装外形图 本： 2.7 修改记录： 1. 更新 TO-262-3L 封装外形图 2. 增加 TO-220-3L 带缺口立体图 版 本： 2.6 修改记录： 1. 版 更新 TO-262-3L 封装外形图 本： 2.5 修改记录： 1. 版 更新电气参数 本： 2.4 修改记录： 1. 更新说明书模板 2. 更新 TO-262-3L（1.1 版本）和 TO-263-2L（1.2 版本）封装外形图 3. 更新 TO-220-3L 立体图和 TO-262-3L 的环保等级 版 本： 2.3 修改记录： 1. 版 修改 TO-220F-3L 封装信息；修改 TO-220-3L 封装信息 本： 2.2 修改记录： 1. 版 修改热阻特性 本： 2.1 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 2.0 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 1.9 修改记录： 1. 版 修改 MOS 管符号的示意图 本： 1.8 修改记录： 1. 版 修改“封装外形图” 本： 1.7 修改记录： 1. 增加 TO-263-2L 封装 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.8 共 10 页 第 9 页 文档类型：说明书 版 本： 1.6 修改记录： 1. 版 增加 TO-262-3L 封装 本： 1.5 修改记录： 1. 版 修改 Trr 和 Qrr 的值；修改图 1 本： 1.4 修改记录： 1. 版 增加 SVF7N65F 的无卤信息 本： 1.3 修改记录： 1. 版 修改“电性参数” 、电容特性曲线 本： 1.2 修改记录： 1. 版 修改“封装外形图” 本： 1.1 修改记录： 1. 版 修改“极限参数” 、“电性参数” 本： 1.0 修改记录： 1. 正式版本发布 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.6 共 10 页 第 10 页