SVF840F

SVF840F/D/S/MJ 说明书 8A、500V N沟道增强型场效应管 描述 SVF840F/D/S/MJ N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管 采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进 的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能 及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高 压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点  8A，500V，RDS(on)（典型值）=0.68@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装形式 TO-220F-3L SVF840F 无铅 料管 SVF840DTR TO-252-2L SVF840D 无卤 编带 SVF840S TO-263-2L SVF840S 无卤 料管 SVF840STR TO-263-2L SVF840S 无卤 编带 SVF840MJ TO-251J-3L SVF840MJ 无卤 料管 SVF840F 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称 参数范围 符号 SVF840F SVF840D 单位 SVF840S SVF840MJ 漏源电压 VDS 500 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流 TC = 25°C TC = 100°C 漏极冲击电流 耗散功率（TC=25C） -大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） 8 ID IDM PD A 5 32 A 49 130 131 120 W 0.39 1.04 1.05 0.96 W/C EAS 511.6 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 10 页 第 1 页 SVF840F/D/S/MJ 说明书 热阻特性 参 数 名 称 参数范围 符 号 单位 SVF840F SVF840D SVF840S SVF840MJ 芯片对管壳热阻 RθJC 2.56 0.96 0.95 1.04 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.0 110 62 C/W 电性参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称 漏源击穿电压 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 500 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=500V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=4.0A -- 0.68 0.90  输入电容 Ciss -- 904 -- -- 120 -- -- 2.69 -- -- 29.2 -- -- 59.6 -- -- 41.3 -- -- 29.2 -- 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss 开启延迟时间 td(on) 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ VDD=250V，ID=8.0A， RG=25 (注 2，3) 栅极电荷量 Qg VDS=400V，ID=8.0A， -- 14.7 -- 栅极-源极电荷量 Qgs VGS=10V -- 5.6 -- -- 4.4 -- 栅极-漏极电荷量 (注 2，3) Qgd pF ns nC 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 IS MOS 管中源极、漏极构成的 -- -- 8.0 源极脉冲电流 ISM 反偏 P-N 结 -- -- 32.0 源-漏二极管压降 VSD IS=8.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=8.0A，VGS=0V， -- 470.91 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs (注 2) -- 3.28 -- µC 源极电流 单位 A 注： 1. L=30mH，IAS=5.3A，VDD=130V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 10 页 第 2 页 SVF840F/D/S/MJ 说明书 典型特性曲线 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 10 页 第 3 页 SVF840F/D/S/MJ 说明书 典型特性曲线（续） 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 10 页 第 4 页 SVF840F/D/S/MJ 说明书 典型特性曲线（续） 图10. 最大漏极电流vs. 壳温 8 6 4 2 0 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 10 页 第 5 页 SVF840F/D/S/MJ 说明书 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：2.6 共 10 页 第 6 页 SVF840F/D/S/MJ 说明书 封装外形图 TO-251J-3L 单位: mm TO-220F-3L 单位: mm 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 10 页 第 7 页 SVF840F/D/S/MJ 说明书 封装外形图（续） 单位: mm TO-252-2L MIN NOM MAX A SYMBOL 2.10 2.30 2.50 A1 0 --- 0.127 b 0.66 0.76 0.89 b3 5.10 5.33 5.46 c 0.45 --- 0.65 c2 0.45 --- 0.65 D E 5.80 6.30 6.10 6.60 6.40 6.90 e Eject pin（note1） 2.30TYP H 9.60 10.10 10.60 L 1.40 1.50 1.70 L1 L4 2.90REF 0.60 0.80 1.00 There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin. TO-263-2L 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 单位: mm 版本号：2.6 共 10 页 第 8 页 SVF840F/D/S/MJ 说明书 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 产品名称： SVF840F/D/S/MJ 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 2.6 修改记录： 1. 版 删除 TO-220-3L 本： 2.5 修改记录： 1. 版 增加 TO-220-3L 带缺口立体图 本： 2.4 修改记录： 1. 版 更新 TO-251J-3L 封装外形图 本： 2.3 修改记录： 1. 版 修改典型特性曲线 本： 2.2 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 2.1 修改记录： 1. 版 增加 TO-251J-3L 封装 本： 2.0 修改记录： 1. 修改 TO-220F-3L 封装信息； 2. 修改 TO-252-2L 封装信息； 3. 修改 TO-220-3L 封装信息 版 本： 1.9 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 1.8 修改记录： 1. 版 修改热阻特性 本： 1.7 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 1.6 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.6 共 10 页 第 9 页 文档类型：说明书 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 1.5 修改记录： 1. 版 修改 MOS 管符号的示意图 本： 1.4 修改记录： 1. 版 修改 Trr 和 Qrr 的值 本： 1.3 修改记录： 1. 版 增加 TO-263-2L 封装 本： 1.2 修改记录： 1. 版 增加 TO-252-2L 封装 本： 1.1 修改记录： 1. 版 修改“封装外形图” 本： 1.0 修改记录： 1. 原版 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.5 共 10 页 第 10 页