MUR8100

MUR8100

  • 厂商:

    SIRECT

  • 封装:

  • 描述:

    MUR8100 - Ultra Fast Recovery Diodes - Sirectifier Global Corp.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
MUR8100 数据手册
MUR8100 Ultra Fast Recovery Diodes C A Dimensions TO-220AC A C Dim. A B C D E F G H J K L M N Q C(TAB) A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode MUR8100 VRSM V 1000 VRRM V 1000 Inches Min. Max. 0.500 0.580 0.560 0.650 0.380 0.420 0.139 0.161 2.300 0.420 0.100 0.135 0.045 0.070 0.250 0.025 0.035 0.190 0.210 0.140 0.190 0.015 0.022 0.080 0.115 0.025 0.055 Milimeter Min. Max. 12.70 14.73 14.23 16.51 9.66 10.66 3.54 4.08 5.85 6.85 2.54 3.42 1.15 1.77 6.35 0.64 0.89 4.83 5.33 3.56 4.82 0.38 0.56 2.04 2.49 0.64 1.39 Symbol IFRMS IFAVM IFRM Test Conditions TVJ=TVJM TC=100oC; rectangular, d=0.5 tp
MUR8100
1. 物料型号: - MUR8100

2. 器件简介: - MUR8100是一种超快速回复二极管,采用国际标准的JEDEC TO-220AC封装。它具有平面钝化芯片、非常短的回复时间、极低的开关损耗、低IRM值和软回复特性。

3. 引脚分配: - A=阳极,C=阴极,TAB=阴极。

4. 参数特性: - VRSM:1000V - VRRM:1000V - IR(不同条件下的反向电流):250uA(25°C时,VRRM下),150uA(25°C时,0.8VRRM下),4mA(125°C时,0.8VRRM下) - VF(正向电压):2.1V(150°C时,12A下),2.7V(25°C时) - VTO(仅用于功耗计算):1.67V - rT(存储时间):33.6ms - RthJC(结到外壳的热阻):0.5K/W - RthCK(结到环境的热阻):1.6K/W - RthJA(结到环境的热阻):60K/W - trr(反向恢复时间):50ns(1A下,di/dt=50A/us,VR=30V,TVJ=25°C) - IRM(最大反向电流):6.5A(VR=540V,IF=12A,diF/dt=100A/us,L<0.05uH,TV=100°C)

5. 功能详解: - MUR8100适用于高频开关设备的反并联二极管、反饱和二极管、缓冲二极管、转换器和电机控制电路中的自由轮二极管、开关模式电源(SMPS)中的整流器、感应加热和熔化、不间断电源(UPS)、超声波清洗器和焊接机等。

6. 应用信息: - 应用包括高频开关设备的反并联二极管、反饱和二极管、缓冲二极管、转换器和电机控制电路中的自由轮二极管、开关模式电源(SMPS)中的整流器、感应加热和熔化、不间断电源(UPS)以及超声波清洗器和焊接机等。

7. 封装信息: - 采用TO-220AC封装,具有国际标准尺寸。
MUR8100 价格&库存

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