1. 物料型号：
- SG15N12P
- SG15N12DP
2. 器件简介：
- 这两种型号均为离散IGBT（绝缘栅双极晶体管），封装形式为TO-220AB。
3. 引脚分配：
- G：栅极（Gate）
- C：集电极（Collector）
- E：发射极（Emitter）
4. 参数特性：
- 最大额定值：
- VCES、VCGR：1200V
- VGES、VGEM：分别为连续和瞬态条件下的电压，分别为+20V和+30V
- 电气特性：
- IC25（25°C时的集电极电流）：30A
- Ic90（90°C时的集电极电流）：15A
- ICM（最大集电极电流）：60A
- SSOA（安全工作区）：在特定条件下ICM为40A
- Pc（功率耗散）：150W
- TJ、TJM、Tstg（最大结温、最大存储温度、最大焊接温度）：分别为150°C、-55...+150°C、300℃
- 热阻：
- RthJC：0.83 K/W
- RthCK：0.5 K/W
5. 功能详解：
- 这些IGBT用于电力电子领域，能够处理高达1200V的电压和60A的电流。它们具有较低的导通压降和快速开关特性，适用于高频应用。
6. 应用信息：
- 适用于需要高电压和大电流处理能力的应用，如变频器、电源转换器、电机控制等。
7. 封装信息：
- 封装尺寸详细列出了各个维度的最小值和最大值，单位包括英寸和毫米，符合TO-220AB标准。
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