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SG50N06T

SG50N06T

  • 厂商:

    SIRECT

  • 封装:

  • 描述:

    SG50N06T - Discrete IGBTs - Sirectifier Global Corp.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
SG50N06T 数据手册
SG50N06T, SG50N06DT Discrete IGBTs Dimensions TO-247AD Dim. A B Millimeter Min. Max. 19.81 20.32 20.80 21.46 15.75 16.26 3.55 3.65 4.32 5.4 1.65 1.0 10.8 4.7 0.4 1.5 5.49 6.2 2.13 4.5 1.4 11.0 5.3 0.8 2.49 Inches Min. Max. 0.780 0.819 0.610 0.140 0.170 0.212 0.065 0.040 0.426 0.185 0.016 0.087 0.800 0.845 0.640 0.144 0.216 0.244 0.084 0.177 0.055 0.433 0.209 0.031 0.102 C(TAB) E C G G=Gate, C=Collector, E=Emitter,TAB=Collector C D E F G H J K L M N SG50N06T SG50N06DT Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA o o Test Conditions TJ=25 C to 150 C TJ=25oC to 150oC; RGE=1 M ; Continuous Transient TC=25oC TC=90oC TC=25oC, 1 ms Maximum Ratings 600 600 ±20 ±30 75 50 200 ICM=100 @ 0.8 VCES 300 -55...+150 150 -55...+150 Unit V V A A W o VGE=15V; TVJ=125oC; RG=10 (RBSOA) Clamped inductive load PC TC=25oC TJ TJM Tstg Maximum lead temperature for soldering 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s Md Weight Mounting torque C 300 o C 1.13/10 6 Nm/Ib.in. g (TJ=25oC, unless otherwise specified) Symbol BVCES VGE(th) ICES IGES VCE(sat) Test Conditions IC=250uA; VGE=0V IC=250uA; VCE=VGE VCE=0.8VCES; VGE=0V; IC=IC90; VGE=15 TJ=25 C TJ=125 C o o Characteristic Values min. 600 2.5 5.0 200 1 ±100 2.5 typ. max. Unit V V uA mA nA V VCE=0V; VGE=±20V SG50N06T, SG50N06DT Discrete IGBTs (TJ=25oC, unless otherwise specified) Symbol Test Conditions Characteristic Values min. gts IC=IC90; VCE=10V Pulse test, t Cies Coes Cres Qg Qge Qgc td(on) tri td(off) tfi Eoff td(on) tri Eon td(off) tfi Eoff RthJC RthCK 0.25 Inductive load, TJ=25 C IC=IC90; VGE=15V VCE=0.8VCES; RG=Roff=2.7 Remarks:Switching times may increase for VCE(Clamp) 0.8VCES' higher TJ or increased RG Inductive load, TJ=25 C IC=IC90; VGE=15V VCE=0.8VCES; RG=Roff=2.7 Remarks:Switching times may increase for VCE(Clamp) increased RG 0.8VCES' higher TJ or o o Unit typ. 35 max. S 25 2% 300us, duty cycle 4000 VCE=25V; VGE=0V; f=1MHz 340 100 110 IC=IC90; VGE=15V; VCE=0.5VCES 30 40 50 50 200 150 3.0 50 50 2 280 250 4.2 0.62 300 270 6.0 180 50 100 ns ns ns ns mJ ns ns mJ ns ns mJ K/W K/W nC pF Reverse Diode (FRED) Symbol Test Conditions (TJ=25oC, unless otherwise specified) Characteristic Values min. typ. max. 2.5 22% 2 35 2.5 175 50 0.65 A ns ns K/W V Unit VF IF=IC90; VGE=0V; Pulse test; t 300ms, duty cycle IRM trr RthJC IF=IC90; VGE=0V; -diF/dt=100A/ms VR=100V; IF=1A; -di/dt=200A/ms; VR=30V
SG50N06T
### 物料型号 - 型号:SG50N06T 和 SG50N06DT

### 器件简介 - 这两款器件是离散IGBT,封装为TO-247AD。

### 引脚分配 - G:Gate(栅极) - C:Collector(集电极) - E:Emitter(发射极) - TAB:Collector(集电极)

### 参数特性 - 最大额定值: - VCES(集电极-发射极电压):600V - VGES(栅极-发射极电压):+20V(连续)/+30V(瞬态) - IC25(25°C时的集电极电流):75A - IC90(90°C时的集电极电流):50A - ICM(最大集电极电流):200A - Pc(最大功耗):300W - TJ(最大结温):150°C - Tstg(最大存储温度):-55...+150°C - 特性值: - BVCES(集电极-发射极击穿电压):600V - VGE(th)(阈值电压):2.5V(最小)/5.0V(最大) - ICES(集电极-发射极饱和电流):200uA - VCE(sat)(饱和压降):2.5V

### 功能详解 - 这些IGBT具有高耐压和大电流特性,适用于高功率应用,如变频器、电源转换器等。

### 应用信息 - 适用于需要高电压和大电流处理能力的应用,如工业控制、电动汽车、可再生能源系统等。

### 封装信息 - 封装类型:TO-247AD - 尺寸参数详细列出了各个维度的最小值和最大值,以毫米和英寸为单位。
SG50N06T 价格&库存

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