### 物料型号
- 型号:SG50N06T 和 SG50N06DT
### 器件简介
- 这两款器件是离散IGBT,封装为TO-247AD。
### 引脚分配
- G:Gate(栅极)
- C:Collector(集电极)
- E:Emitter(发射极)
- TAB:Collector(集电极)
### 参数特性
- 最大额定值:
- VCES(集电极-发射极电压):600V
- VGES(栅极-发射极电压):+20V(连续)/+30V(瞬态)
- IC25(25°C时的集电极电流):75A
- IC90(90°C时的集电极电流):50A
- ICM(最大集电极电流):200A
- Pc(最大功耗):300W
- TJ(最大结温):150°C
- Tstg(最大存储温度):-55...+150°C
- 特性值:
- BVCES(集电极-发射极击穿电压):600V
- VGE(th)(阈值电压):2.5V(最小)/5.0V(最大)
- ICES(集电极-发射极饱和电流):200uA
- VCE(sat)(饱和压降):2.5V
### 功能详解
- 这些IGBT具有高耐压和大电流特性,适用于高功率应用,如变频器、电源转换器等。
### 应用信息
- 适用于需要高电压和大电流处理能力的应用,如工业控制、电动汽车、可再生能源系统等。
### 封装信息
- 封装类型:TO-247AD
- 尺寸参数详细列出了各个维度的最小值和最大值,以毫米和英寸为单位。