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创作活动
3TA80GKXXNB

3TA80GKXXNB

  • 厂商:

    SIRECTIFIER

  • 封装:

  • 描述:

    3TA80GKXXNB - Three Phase Half Bridge - Sirectifier Semiconductors

  • 数据手册
  • 价格&库存
3TA80GKXXNB 数据手册
3TA80GKxxNB Three Phase Half Bridge Dimensions in mm (1mm = 0.0394") Type 3TA80GK03NB 3TA80GK04NB VRSM V 400 500 VRRM V 300 400 Symbol IT(AV) IT(RMS) ITSM It PGM PG(AV) IFGM VFGM VRGM di/dt TVJ TVJM Tstg Ms Mt Weight to heatsink M6 to terminals M5 2 Test Conditions Single phase, half wave, 180oC conduction,TC=116oC 1/2cycle, 50Hz/60Hz, peak value, non-repetitive Maximum Ratings 80 125 2280/2500 26000 10 1 3 10 5 Unit A A A2s W A V A/us o IG=200mA, Tj=25oC, VD=1/2VDRM, dIG/dt=1A/us 50 -30...+150 150 -30...+125 3~5 2.5 ~ 5 160 C Nm g 3TA80GKxxNB Three Phase Half Bridge Symbol IDRM IRRM VTM IGT/VGT VGD tgt dv/dt IH RthJC Test Conditions at VDRM, single phase, half wave, Tj=150oC On-State Current 240A, Tj=25oC Inst. measurement Tj=25oC, IT=1A, VD=6V Tj=150 C, VD=1/2VDRM IT=80A, IG=200mA, Tj=25oC, VD=1/2VDRM, dIG/dt=1A/us Tj=150oC, VD=2/3VDRM, Exponential wave Tj=25oC Junction to case (1/3 Module) o min. typ. max. 12 12 1.20 75 Unit mA V mA/V V 0.25 10 500 100 0.35 o us V/us mA C/W 3TA80GKxxNB Three Phase Half Bridge
3TA80GKXXNB 价格&库存

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