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MBR1040CT

MBR1040CT

  • 厂商:

    SIRECTIFIER

  • 封装:

  • 描述:

    MBR1040CT - Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers - Sirectifier Semiconduc...

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MBR1040CT 数据手册
MBR1030CT thru MBR1045CT Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers A C(TAB) A C A C A Dimensions TO-220AB Dim. A B C D E F G H J K M N Q R Inches Min. Max. 0.500 0.550 0.580 0.630 0.390 0.420 0.139 0.161 0.230 0.270 0.100 0.125 0.045 0.065 0.110 0.230 0.025 0.040 0.100 BSC 0.170 0.190 0.045 0.055 0.014 0.022 0.090 0.110 Milimeter Min. Max. 12.70 13.97 14.73 16.00 9.91 10.66 3.54 4.08 5.85 6.85 2.54 3.18 1.15 1.65 2.79 5.84 0.64 1.01 2.54 BSC 4.32 4.82 1.14 1.39 0.35 0.56 2.29 2.79 A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode VRRM V 30 35 40 45 VRMS V 21 24.5 28 31.5 VDC V 30 35 40 45 MBR1030CT MBR1035CT MBR1040CT MBR1045CT Symbol I(AV) IFSM dv/dt VF Characteristics Maximum Average Forward Rectified Current @TC=105oC Maximum Ratings 10 125 10000 IF=5A @TJ=25oC IF=5A @TJ=125oC IF=10A @TJ=125oC @TJ=25oC @TJ=125oC 0.57 0.70 0.84 0.1 15 3.0 170 -55 to +150 -55 to +175 Unit A A V/us V Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD) Voltage Rate Of Change (Rated VR) Maximum Forward Voltage (Note 1) Maximum DC Reverse Current At Rated DC Blocking Voltage Typical Thermal Resistance (Note 2) Typical Junction Capacitance Per Element (Note 3) Operating Temperature Range Storage Temperature Range IR ROJC CJ TJ TSTG mA o C/W pF o o C C NOTES: 1. 300us Pulse Width, Duty Cycle 2%. 2. Thermal Resistance Junction To Case. 3. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC. FEATURES * Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton * Guard ring for transient protection * Low power loss, high efficiency * High current capability, low VF * High surge capacity * For use in low voltage, high frequency inverters, free whelling, and polarity protection applications MECHANICAL DATA * Case: TO-220AB molded plastic * Polarity: As marked on the body * Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams * Mounting position: Any MBR1030CT thru MBR1045CT Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers 16 PEAK FORW ARD SURGE CURRENT, AMPERES FIG.1 - FORW ARD CURRENT DERATING CURVE AVERAGE FORW ARD CURRENT AMPERES FIG.2 - MAXIMUM NON-REPET ITIVE SURGE CURRENT 150 125 100 75 50 25 0 1 2 5 10 20 50 100 12 8 4 RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD 8.3ms Single Half-Sine-W ave (JEDEC METHOD) 0 25 50 75 100 125 150 175 CASE TEMPERATURE , C NUMBER OF CYCLES AT 60Hz FIG.3 - TYPICAL REVERSE CHARACTERIST ICS 100 FIG.4 - TYPICAL FORW ARD CHARACTERISTICS 100 INSTANTANEOUS FORW ARD CURRENT ,(A) INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT ,(mA) 10 TJ = 125 C 10 1.0 0.1 1.0 0.01 TJ = 25 C TJ = 25 C PULSE W IDTH 300us 2% Duty cycle 0.001 0 20 40 60 80 100 120 140 0.1 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE ,(%) INSTANTANEOUS FORW ARD VOLTAGE , VOLTS FIG.5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE 1000 MBR1030CT ~ MBR1045CT CAPACIT ANCE , (pF) 100 MBR1050CT ~ MBR1060CT TJ = 25 C, f= 1MHz 10 0.1 1 4 10 100 REVERSE VO LTAGE , VO LTS
MBR1040CT
物料型号: - MBR1030CT - MBR1035CT - MBR1040CT - MBR1045CT

器件简介: 这些是宽温度范围和高结温肖特基整流器,具有低正向电压降(VF)、高电流承受能力、高浪涌能力等特点,适用于低电压、高频逆变器、自由轮和极性保护应用。

引脚分配: 文档中提到了A(阳极)、C(阴极)和TAB(阴极),但没有提供具体的引脚图或分配表。

参数特性: - VRRM(反向击穿电压):30V至45V不等,具体取决于型号。 - VRMS(反向工作电压):21V至31.5V不等。 - VDc(最大直流电压):与VRRM相同。 - IFSM(峰值正向浪涌电流):125A,8.3ms单半正弦波叠加在额定负载上(JEDEC方法)。 - dv/dt(电压变化率):10000V/us。 - VF(正向电压):在25°C时为0.57V至0.84V不等,具体取决于电流和结温。 - IR(最大直流反向电流):在25°C和125°C时为0.1mA至15mA。 - ReJC(典型热阻):3.0°C/W。 - CJ(典型结电容):170pF,测量于1.0MHz和4.0V直流反向电压下。 - TJ(工作温度范围):-55至+150°C。 - TSTG(存储温度范围):-55至+175°C。

功能详解: 这些整流器具有金属硅芯片、保护环以防止瞬态、低功耗、高效率、高电流能力、低VF、高浪涌能力等特点。

应用信息: 适用于低电压、高频逆变器、自由轮和极性保护应用。

封装信息: - 封装类型:TO-220AB模塑塑料。 - 极性:在本体上标记。 - 重量:0.08盎司,2.24克。 - 安装位置:任意。
MBR1040CT 价格&库存

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