MUR30120

MUR30120

  • 厂商:

    SIRECTIFIER

  • 封装:

  • 描述:

    MUR30120 - Ultra Fast Recovery Diodes - Sirectifier Semiconductors

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  • 数据手册
  • 价格&库存
MUR30120 数据手册
MUR30120 Ultra Fast Recovery Diodes Dimensions TO-247AC A C(TAB) C A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode A C Dim. A B C D E F G H J K L M N Millimeter Min. Max. 19.81 20.32 20.80 21.46 15.75 16.26 3.55 3.65 4.32 5.4 1.65 1.0 10.8 4.7 0.4 1.5 5.49 6.2 2.13 4.5 1.4 11.0 5.3 0.8 2.49 Inches Min. Max. 0.780 0.819 0.610 0.140 0.170 0.212 0.065 0.040 0.426 0.185 0.016 0.087 0.800 0.845 0.640 0.144 0.216 0.244 0.084 0.177 0.055 0.433 0.209 0.031 0.102 MUR30120 VRSM V 1200 VRRM V 1200 Symbol IFRMS IFAVM IFRM Test Conditions TVJ=TVJM TC=85oC; rectangular, d=0.5 tp
MUR30120
### 物料型号 - 型号:MUR30120

### 器件简介 - MUR30120是一款超快速回复二极管,采用TO-247AC封装,具有平面钝化芯片,非常短的回复时间,极低的开关损耗,低IRM值和软回复特性。

### 引脚分配 - A=阳极,C=阴极,TAB=阴极

### 参数特性 - 最大额定值: - VRSM(最大反向峰值电压):1200V - VRRM(最大反向工作电压):1200V - 电气特性: - IFRMS(RMS正向电流):70A - IFAVG(平均正向电流):26A - IFRM(正向重复峰值电流):375A - IFSM(正向浪涌电流):200A(50Hz),210A(60Hz) - IR(反向电流):750uA(25°C时VR=VRRM),250uA(25°C时VR=0.8VRRM),7mA(125°C时VR=0.8VRRM) - VF(正向电压):2.2V(IF=30A,TVJ=150°C),2.55V(IF=30A,TVJ=25°C) - VTO(开启电压):1.65V - rT(存储时间):18.2ms - RthJC(结到外壳热阻):0.25K/W - RthCK(结到环境热阻):0.9K/W - RthJA(结到环境热阻):35K/W - trr(反向恢复时间):40ns(IF=1A,-di/dt=100A/us,VR=30V,TVJ=25°C),60ns(其他条件) - IRM(最大反向电流):16A(VR=540V,IF=30A,-diF/dt=240A/us,L<0.05uH,TV=100°C),18A(其他条件)

### 功能详解 - MUR30120具有非常短的回复时间和极低的开关损耗,使其适合高频开关设备中的反并联二极管、抗饱和二极管、缓冲二极管、转换器和电机控制电路中的自由轮二极管、开关模式电源(SMPS)中的整流器、感应加热和熔化、不间断电源(UPS)、超声波清洗器和焊接机等应用。

### 应用信息 - 应用包括高频开关设备的反并联二极管、抗饱和二极管、缓冲二极管、转换器和电机控制电路中的自由轮二极管、开关模式电源(SMPS)中的整流器、感应加热和熔化、不间断电源(UPS)、超声波清洗器和焊接机等。

### 封装信息 - 封装类型:TO-247AC,符合JEDEC国际标准封装。
MUR30120 价格&库存

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