SG12N06DP

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SIRECTIFIER
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SG12N06DP - Discrete IGBTs - Sirectifier Semiconductors

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SG12N06P, SG12N06DP Discrete IGBTs Dimensions TO-220AB E C G G=Gate, C=Collector, E=Emitter Dim. A B C D E F G H J K M N Q R Inches Min. Max. 0.500 0.550 0.580 0.630 0.390 0.420 0.139 0.161 0.230 0.270 0.100 0.125 0.045 0.065 0.110 0.230 0.025 0.040 0.100 BSC 0.170 0.190 0.045 0.055 0.014 0.022 0.090 0.110 Milimeter Min. Max. 12.70 13.97 14.73 16.00 9.91 10.66 3.54 4.08 5.85 6.85 2.54 3.18 1.15 1.65 2.79 5.84 0.64 1.01 2.54 BSC 4.32 4.82 1.14 1.39 0.35 0.56 2.29 2.79 SG12N06P Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA o SG12N06DP Test Conditions Maximum Ratings 600 600 ±20 ±30 24 12 48 ICM=24 @ 0.8 VCES 100 -55...+150 150 -55...+150 Unit V V TJ=25 C to 150 C TJ=25oC to 150oC; RGE=1 M ; Continuous Transient TC=25oC TC=90oC TC=25oC, 1 ms o A A W o VGE=15V; TVJ=125oC; RG=33 (RBSOA) Clamped inductive load, L=300uH PC TC=25oC TJ TJM Tstg Maximum lead temperature for soldering 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s Md Weight Mounting torque with screw M3 Mounting torque with screw M3.5 C 300 0.45/4 0.55/5 4 o C Nm/Ib.in. g (TJ=25oC, unless otherwise specified) Symbol BVCES VGE(th) ICES IGES VCE(sat) Test Conditions IC=250uA; VGE=0V IC=250uA; VCE=VGE VCE=0.8VCES; VGE=0V; TJ=25 C TJ=125 C o o Characteristic Values min. 600 2.5 5.0 200 1.5 ±100 2.1 typ. max. Unit V V uA mA nA V VCE=0V; VGE=±20V IC=IC90; VGE=15V SG12N06P, SG12N06DP Discrete IGBTs (TJ=25oC, unless otherwise specified) Symbol Test Conditions Characteristic Values min. gts IC=IC90; VCE=10V Pulse test, t Cies Coes Cres Qg Qge Qgc td(on) tri td(off) tfi Eoff td(on) tri Eon td(off) tfi Eoff RthJC RthCK Inductive load, TJ=25 C IC=IC90; VGE=15V; L=300uH VCE=0.8VCES; RG=Roff=18 Remarks:Switching times may increase for VCE(Clamp) 0.8VCES' higher TJ or increased RG Inductive load, TJ=25 C IC=IC90; VGE=15V; L=300uH VCE=0.8VCES; RG=Roff=18 Remarks:Switching times may increase for VCE(Clamp) increased RG IGBT 0.25 0.8VCES' higher TJ or o o Unit typ. 11 max. S 5 2% 300us, duty cycle 860 VCE=25V; VGE=0V; f=1MHz 100 15 32 IC=IC90; VGE=15V; VCE=0.5VCES 10 10 20 20 150 120 0.5 20 20 0.15 200 200 0.8 1.25 250 270 0.8 ns ns ns ns mJ ns ns mJ ns ns mJ K/W K/W nC pF Reverse Diode (FRED) Symbol Test Conditions o (TJ=25oC, unless otherwise specified) Characteristic Values min. typ. 1.3 2.5 2 35 1.6 2.5 A ns K/W max. V Unit VF IF=15A; TVJ=150 C TVJ=25 C o IRM trr RthJC VR=100V; IF=25A; -diF/dt=100A/us L 0.05uH; TVJ=100oC IF=1A; -di/dt=50A/us; VR=30V; TJ=25oC Diode

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SG12N06DP

### 物料型号 - SG12N06P - SG12N06DP

### 器件简介 SG12N06P和SG12N06DP是离散IGBT（绝缘栅双极晶体管），封装为TO-220AB。

### 引脚分配 - G：Gate（栅极） - C：Collector（集电极） - E：Emitter（发射极）

### 参数特性 #### 最大额定值 | 符号 | 测试条件 | 最大额定值 | 单位 | | --- | --- | --- | --- | | VCES VCGR | TJ=25°C to 150°C TJ=25°C to 150°C;RGE=1 M; | 600 | V | | VGES VGEM | 连续瞬态 | +20 +30 | V | | Ic25 Ic90 ICM | Tc=25°C Tc=90°C Tc=25°C, 1 ms | 24 12 48 | A | | SSOA (RBSOA) | VGE=15V; TVJ=125°C;RG=33 钳制感性负载，L=300uH | IcM=24 @0.8 VcES | A | | Pc | Tc=25°C | 100 | W | | TJ TJM Tstg | | -55...+150 150 -55...+150 | |

#### 特性值 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | BVCES | Ic=250uA; VGE=0V | 600 | | | V | | VGE(th) | Ic=250uA; VcE=VGE | 2.5 | | 5.0 | V | | ICES | TJ=25°C VCE=0.8VCES; TJ=125°C VGE=0V; | | | 200 1.5 | uA mA | | IGES | VcE=0V; VGE=+20V | | | +100 | nA | | VCE(sat) | Ic=lc90;VGE=15V | | | 2.1 | V |

### 功能详解 - Ic25：25°C时的集电极电流 - Ic90：90°C时的集电极电流 - ICM：1ms脉冲测试时的最大集电极电流 - SSOA：安全工作区（RBSOA）：在特定条件下的最大集电极电流 - Pc：最大功耗 - TJ、TJM、Tstg：最大结温、最大工作结温和最大存储温度

### 应用信息 这些IGBT适用于需要高电流和高电压的应用，如电源转换、电机控制和工业自动化。

### 封装信息 - 封装类型：TO-220AB - 尺寸参数：PDF中提供了详细的英寸和毫米尺寸数据。

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