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SG15N12DP

SG15N12DP

  • 厂商:

    SIRECTIFIER

  • 封装:

  • 描述:

    SG15N12DP - Discrete IGBTs - Sirectifier Semiconductors

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
SG15N12DP 数据手册
SG15N12P, SG15N12DP Discrete IGBTs Dimensions TO-220AB E C G G=Gate, C=Collector, E=Emitter Dim. A B C D E F G H J K M N Q R Inches Min. Max. 0.500 0.550 0.580 0.630 0.390 0.420 0.139 0.161 0.230 0.270 0.100 0.125 0.045 0.065 0.110 0.230 0.025 0.040 0.100 BSC 0.170 0.190 0.045 0.055 0.014 0.022 0.090 0.110 Milimeter Min. Max. 12.70 13.97 14.73 16.00 9.91 10.66 3.54 4.08 5.85 6.85 2.54 3.18 1.15 1.65 2.79 5.84 0.64 1.01 2.54 BSC 4.32 4.82 1.14 1.39 0.35 0.56 2.29 2.79 SG15N12P Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA o SG15N12DP Test Conditions Maximum Ratings 1200 1200 ±20 ±30 30 15 60 ICM=40 @ 0.8 VCES 150 -55...+150 150 -55...+150 Unit V V TJ=25 C to 150 C TJ=25oC to 150oC; RGE=1 M ; Continuous Transient TC=25oC TC=90oC TC=25oC, 1 ms o A A W o VGE=15V; TVJ=125oC; RG=10 (RBSOA) Clamped inductive load PC TC=25oC TJ TJM Tstg Maximum lead temperature for soldering 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s Md Weight Mounting torque with screw M3 Mounting torque with screw M3.5 C 300 0.45/4 0.55/5 4 o C Nm/Ib.in. g (TJ=25oC, unless otherwise specified) Symbol BVCES VGE(th) ICES IGES VCE(sat) Test Conditions IC=250uA; VGE=0V IC=250uA; VCE=VGE VCE=VCES; VGE=0V; TJ=25 C TJ=125 C o o Characteristic Values min. 600 2.5 5.0 100 3.5 ±100 3.2 typ. max. Unit V V uA mA nA V VCE=0V; VGE=±20V IC=IC90; VGE=15V SG15N12P, SG15N12DP Discrete IGBTs (TJ=25oC, unless otherwise specified) Symbol Test Conditions Characteristic Values min. gts IC=IC90; VCE=10V Pulse test, t Cies Coes Cres Qg Qge Qgc td(on) tri td(off) tfi Eoff td(on) tri Eon td(off) tfi Eoff RthJC RthCK Reverse Diode (FRED) Symbol Test Conditions 0.5 Inductive load, TJ=25 C IC=IC90; VGE=15V; VCE=960V; RG=Roff=10 Remarks:Switching times may increase for VCE(Clamp) 0.8VCES' higher TJ or increased RG Inductive load, TJ=125 C IC=IC90; VGE=15V; VCE=960V; RG=Roff=10 Remarks:Switching times may increase for VCE(Clamp) increased RG 0.8VCES' higher TJ or o o Unit typ. 15 max. S 12 2% 300us, duty cycle 1720 VCE=25V; VGE=0V; f=1MHz 95 35 69 IC=IC90; VGE=15V; VCE=0.5VCES 13 26 25 15 180 160 1.75 25 18 0.60 300 360 3.5 0.83 280 320 3.0 ns ns ns ns mJ ns ns mJ ns ns mJ K/W K/W nC pF (TJ=25oC, unless otherwise specified) Characteristic Values min. typ. 2.6 2.1 max. 2.8 33 20 15 200 40 1.6 V A A ns K/W Unit VF IF IRM trr RthJC IF=20A; VGE=0V IF=20A; VGE=0V; TJ=125oC TC=25oC TC=90oC IF=20V; -diF/dt=400A/us; VR=600V VGE=0V; TJ=125oC IF=1A; -diF/dt=100A/us; VR=30V; VGE=0V
SG15N12DP
1. 物料型号: - SG15N12P - SG15N12DP

2. 器件简介: - 这两种型号均为离散IGBT(绝缘栅双极晶体管),封装形式为TO-220AB。

3. 引脚分配: - G:栅极(Gate) - C:集电极(Collector) - E:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 最大集电极-发射极电压(VCES):1200V - 最大栅极-发射极电压(VGES):+20V(连续)/+30V(瞬态) - 最大集电极电流(IC):在25°C时为30A,90°C时为15A,25°C时脉冲模式下为60A - 最大功耗(Pc):150W - 工作结温范围(TJ):-55°C至150°C - 最大焊接温度:300℃,距壳体1.6mm处,持续10秒

5. 功能详解: - 这些IGBT适用于高电压和高电流的应用,如电源转换、电机控制等。它们能够在高频率下工作,具有较低的饱和电压和较快的开关速度。

6. 应用信息: - 适用于需要高电压、高电流处理能力的应用,如工业电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车等。

7. 封装信息: - 封装尺寸符合TO-220AB标准,具体尺寸参数如下: - A:0.500英寸至0.550英寸(12.70毫米至13.97毫米) - B:0.580英寸至0.630英寸(14.73毫米至16.00毫米) - C:0.390英寸至0.420英寸(9.91毫米至10.66毫米) - 其他尺寸参数也在PDF中详细列出。
SG15N12DP 价格&库存

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