1. 物料型号:
- SG15N12P
- SG15N12DP
2. 器件简介:
- 这两种型号均为离散IGBT(绝缘栅双极晶体管),封装形式为TO-220AB。
3. 引脚分配:
- G:栅极(Gate)
- C:集电极(Collector)
- E:发射极(Emitter)
4. 参数特性:
- 最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
- 最大栅极-发射极电压(VGES):+20V(连续)/+30V(瞬态)
- 最大集电极电流(IC):在25°C时为30A,90°C时为15A,25°C时脉冲模式下为60A
- 最大功耗(Pc):150W
- 工作结温范围(TJ):-55°C至150°C
- 最大焊接温度:300℃,距壳体1.6mm处,持续10秒
5. 功能详解:
- 这些IGBT适用于高电压和高电流的应用,如电源转换、电机控制等。它们能够在高频率下工作,具有较低的饱和电压和较快的开关速度。
6. 应用信息:
- 适用于需要高电压、高电流处理能力的应用,如工业电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车等。
7. 封装信息:
- 封装尺寸符合TO-220AB标准,具体尺寸参数如下:
- A:0.500英寸至0.550英寸(12.70毫米至13.97毫米)
- B:0.580英寸至0.630英寸(14.73毫米至16.00毫米)
- C:0.390英寸至0.420英寸(9.91毫米至10.66毫米)
- 其他尺寸参数也在PDF中详细列出。