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STPR810D

STPR810D

  • 厂商:

    SIRECTIFIER

  • 封装:

  • 描述:

    STPR810D - Ultra Fast Recovery Diodes - Sirectifier Semiconductors

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
STPR810D 数据手册
STPR810D thru STPR820D Ultra Fast Recovery Diodes Dimensions TO-220AC A C(TAB) A C C Dim. A B C D E F G H J K L M N Q A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode STPR810D STPR820D VRRM V 100 200 VRMS V 70 140 VDC V 100 200 Inches Min. Max. 0.500 0.580 0.560 0.650 0.380 0.420 0.139 0.161 2.300 0.420 0.100 0.135 0.045 0.070 0.250 0.025 0.035 0.190 0.210 0.140 0.190 0.015 0.022 0.080 0.115 0.025 0.055 Milimeter Min. Max. 12.70 14.73 14.23 16.51 9.66 10.66 3.54 4.08 5.85 6.85 2.54 3.42 1.15 1.77 6.35 0.64 0.89 4.83 5.33 3.56 4.82 0.38 0.56 2.04 2.49 0.64 1.39 Symbol I(AV) IFSM Characteristics Maximum Average Forward Rectified Current Non Repetitive Peak Forward Surge Current Per Diode Sinusoidal (JEDEC METHOD) Maximum Forward Voltage Pulse Width=300us Duty Cycle Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage Typical Junction Capacitance (Note 1) Maximum Reverse Recovery Time (Note 2) Typical Thermal Resistance @TC=120oC TP=10ms TP=8.3ms Maximum Ratings 8.0 80 90 0.99 1.20 1.25 50 600 80 30 3.0 -55 to +150 Unit A A VF IF=8A @TJ=125oC IF=16A @TJ=125oC IF=16A @TJ=25oC @TJ=25oC @TJ=100oC V IR CJ TRR ROJC uA pF ns o C/W o TJ, TSTG Operating and Storage Temperature Range NOTES: 1. Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC. 2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A. C FEATURES * Glass passivated chip * Superfast switching time for high efficiency * Low forward voltage drop and high current capability * Low reverse leakage current * High surge capacity MECHANICAL DATA * Case: TO-220AC molded plastic * Polarity: As marked on the body * Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams * Mounting position: Any STPR810D thru STPR820D Ultra Fast Recovery Diodes 10 PEAK FORW ARD SURGE CURRENT , AMPERES FIG.1 - FORW ARD CURRENT DERATING CURVE AVERAGE FORW ARD CURRENT AMPERES FIG.2 - MAXIMUM NON-REPET ITIVE SURGE CURRENT 120 100 80 TP=8.3ms 8 6 4 60 40 20 0 1 2 5 10 20 50 100 TP=10ms 8.3ms Single Half-Sine-W ave (JEDEC METHOD) 2 RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD 0 25 50 75 100 125 150 175 CASE TEMPERATURE , C NUMBER OF CYCLES AT 60Hz FIG.3 - TYPICAL REVERSE CHARACTERIST ICS 1000 FIG.4 - TYPICAL FORW ARD CHARACTERISTICS 100 INSTANTANEOUS FORW ARD CURRENT ,(A) INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT ,(uA) 100 TJ = 150 C 10 10 TJ = 100 C TJ = 125 C TJ = 25 C 1.0 1.0 TJ = 25 C 0.1 0.01 0 20 60 100 140 0.1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (VOLTS) PULSE W IDTH 300us 2% Duty cycle 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 INSTANTANEOUS FORW ARD VOLTAGE , VOLTS FIG.5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE 1000 CAPACIT ANCE , (pF) 100 TJ = 25 C, f= 1MHz 10 0.1 1 4 10 100 REVERSE VO LTAGE , VO LTS
STPR810D
1. 物料型号: - STPR810D - STPR820D

2. 器件简介: - 这些是超快速回复二极管,具有玻璃钝化芯片、超快速开关时间、低正向电压降、高电流能力、低反向漏电流和高浪涌能力。

3. 引脚分配: - A=阳极,C=阴极,TAB=阴极。

4. 参数特性: - VRRM(反向工作电压):STPR810D为100V,STPR820D为200V。 - VRMS(反向峰值电压):STPR810D为70V,STPR820D为140V。 - VDC(直流反向阻断电压):STPR810D和STPR820D均为100V和200V。 - 最大平均正向整流电流:在120°C结温下。 - 非重复峰值正向浪涌电流:每个二极管正弦波形(JEDEC方法)。 - IR(最大直流反向电流):在额定直流阻断电压下,25°C时为50uA,100°C时为600uA。 - CJ(典型结电容):80pF,1.0MHz和4.0V反向电压下测量。 - TRR(最大反向恢复时间):30ns。 - ReJc(典型热阻):3.0°C/W。 - TJ,TSTG(工作和存储温度范围):-55至+150°C。

5. 功能详解: - 提供了正向电流降额曲线、典型反向特性、典型正向特性、最大非重复浪涌电流和典型结电容等图表。

6. 应用信息: - 适用于需要超快速回复时间和高效率的应用,如电源整流、变频器和电机控制。

7. 封装信息: - 封装类型:TO-220AC模塑塑料。 - 极性:如外壳上标记。 - 重量:0.08盎司,2.24克。 - 安装位置:任意。
STPR810D 价格&库存

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