物料型号:
- MBM29DL16XTD/BD:16M位闪存,3.0V供电,双操作模式,提供不同的存储区配置。
器件简介:
- 该器件是一款16M位CMOS闪存,采用0.33微米工艺技术,支持同时读写操作(双银行模式),允许在一个银行编程或擦除时立即从另一个银行读取数据,实现零延迟读写操作。
引脚分配:
- 48脚塑料FBGA封装和48脚塑料TSOP封装,具体引脚功能包括地址输入、数据输入输出、芯片使能(CE)、输出使能(OE)、写使能(WE)、就绪/忙输出(RY/BY)等。
参数特性:
- 工作电压:单3.0V读写擦除
- 访问时间:70ns和90ns两种规格
- 擦除架构:支持扇区擦除和全芯片擦除
- 编程/擦除周期:至少100,000次
功能详解:
- 支持JEDEC标准命令和引脚配置
- 支持快速编程和擦除操作
- 支持硬件扇区保护功能
- 支持自动睡眠模式以降低功耗
- 支持CFI(通用闪存内存接口)
应用信息:
- 设计用于系统内编程,无需额外的12V VPP和5V VCC供电
- 适用于需要快速读写操作的应用场合
封装信息:
- 提供48脚塑料TSOP和48球塑料FBGA封装选项