BZX85-y3V9

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SSC
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BZX85-y3V9 - ZENER DIODES - Silicon Standard Corp.

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BZX85-C12 ZENER DIODES PRODUCT SUMMARY VZ range: 3.6 to 200 Volts Power dissipation: 1.3W FEATURES Silicon Planar Power Zener Diodes. For use in stabilizing and clipping circuits with high power rating. The Zener voltages are graded according to the international E 24 standard. Replace suffix "C" with "B" for ±2% tolerance. Other voltage tolerances and other Zener voltages are available upon request. MECHANICAL DATA Case: DO-41Glass Case Weight: approx. 0.35g Pb-free; RoHS-compliant MAXIMUM RATINGS AND THERMAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) Parameter Zener current (see Table "Characteristics") Power dissipation at Tamb=25oC Thermal resistance junction to ambient air Junction temperature Storage temperature range Ptot RθJA Tj TS 1.3 130 (1) o Symbol Value Unit W o (1) C/W o 175 -55 to +175 C C o Notes: 1. Valid provided that leads at a distance of 10 mm from case are kept at ambient temperature. 07/05/2007 Rev.1.00 www.SiliconStandard.com 1 BZX85-C12 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) Maximum VF=1.0V at IF=200mA Temp. coefficient of z ener voltage at IZ=IZT αvz (% / oC) at IZK (mA) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 Min. - 0.08 - 0.08 - 0.08 - 0.08 - 0.07 - 0.05 - 0.03 - 0.01 0 +0.01 +0.015 +0.02 +0.03 +0.035 +0.04 +0.045 +0.045 +0.05 +0.055 +0.055 +0.06 +0.06 +0.06 +0.06 +0.06 +0.06 +0.06 +0.06 +0.06 +0.06 +0.06 +0.06 +0.06 +0.06 0.055 0.055 0.055 0.055 0.055 0.055 0.055 0.055 0.055 0.050 0.050 0.050 Max. - 0.06 - 0.06 - 0.06 - 0.05 - 0.02 +0.01 +0.04 +0.04 +0.045 +0.055 +0.06 +0.065 +0.07 +0.075 +0.08 +0.08 +0.085 +0.085 +0.09 +0.09 +0.09 +0.09 +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 +0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 o Type number y=C for +5% y=B for +2% BZX85 - y2V7 BZX85 - y3V0 BZX85 - y3V3 BZX85 - y3V6 BZX85 - y3V9 BZX85 - y4V3 BZX85 - y4V7 BZX85 - y5V1 BZX85 - y5V6 BZX85 - y6V2 BZX85 - y6V8 BZX85 - y7V5 BZX85 - y8V2 BZX85 - y9V1 BZX85 - y10 BZX85 - y11 BZX85 - y12 BZX85 - y13 BZX85 - y15 BZX85 - y16 BZX85 - y18 BZX85 - y20 BZX85 - y22 BZX85 - y24 BZX85 - y27 BZX85 - y30 BZX85 - y33 BZX85 - y36 BZX85 - y39 BZX85 - y43 BZX85 - y47 BZX85 - y51 BZX85 - y56 BZX85 - y62 BZX85 - y68 BZX85 - y75 BZX85 - y82 BZX85 - y91 BZX85 - y100 BZX85 - y110 BZX85 - y120 BZX85 - y130 BZX85 - y150 BZX85 - y160 BZX85 - y180 BZX85 - y200 Dynamic resistance rZT (3) (Ω) < 20 < 20 < 20 < 15 < 15 < 13 < 13 < 10

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BZX85-y3V9

1. 物料型号： - BZX85-C12

2. 器件简介： - BZX85-C12是一种硅平面功率齐纳二极管，封装为DO-204AL(DO-41玻璃)。它适用于高功率额定值的稳定和限幅电路中。

3. 引脚分配： - 该器件为DO-41玻璃封装，通常这种封装为双引脚配置，一个为阳极（Anode），另一个为阴极（Cathode）。

4. 参数特性： - 齐纳电压范围：3.6至200伏特 - 功率耗散：1.3瓦特 - 齐纳电压按照国际E24标准分级。若需要±2%的容差，将后缀"C"替换为"B"。 - 其他电压容差和齐纳电压值可根据要求提供。

5. 功能详解： - 该器件主要用于电路中的电压稳定和信号限幅。通过精确控制齐纳电压，可以在电路中维持稳定的参考电压或限制电压峰值。

6. 应用信息： - 用于电压稳定和信号限幅电路，特别是在需要高功率处理的应用中。

7. 封装信息： - 封装类型：DO-41玻璃封装 - 重量：大约0.35克 - 无铅且符合RoHS标准

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