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7R6S

7R6S

  • 厂商:

    SSDI

  • 封装:

  • 描述:

    7R6S - 50 AMP 50-150 VOLTS 50nsec RECTIFIER - Solid States Devices, Inc

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7R6S 数据手册
7R6S
1. 物料型号: - 型号为5R6S至15R6S。

2. 器件简介: - 该器件是50安培50-150伏特50纳秒的EPICON整流器,具有抗辐射、超快速恢复功能,最大反向电压可达150伏特,非常低的正向电压降,低反向漏电流,采用密封单芯片结构,工作温度可达175°C。

3. 引脚分配: - 封装为DO-5。

4. 参数特性: - 最大重复反向电压和直流阻断电压:5R6S为50伏特,7R6S为70伏特,10R6S为100伏特,12R6S为125伏特,15R6S为150伏特。 - 半波整流正向电流,全周期平均值(电阻负载60Hz,正弦波,TC=55°C):10安培至50安培。 - 最大重复正向电流(TC=55°C,8.3毫秒脉冲,允许结点在脉冲间达到平衡):150安培。 - 最大浪涌电流(TC=55°C,叠加在额定电流上的额定电压,8.3毫秒脉冲):450安培。 - 工作和储存温度:-65至+175°C。 - 最大热阻(结点至外壳):1.0°C/W。

5. 功能详解: - 最大瞬时正向电压降(IF=50A,TC=25°C,300-500微秒脉冲):0.95Vdc。 - 最大瞬时正向电压降(IF=50A,TC=-55°C,300-500微秒脉冲):1.05Vdc。 - 最大反向漏电流(额定VR,TC=25°C):250μA。 - 最大反向漏电流(额定VR,TC=100°C):20μA。 - 最大结电容(VR=10Vdc,TA=25°C):400pf。 - 反向恢复时间(IF=500mA,IR=1A,IRR=250mA):50纳秒。

6. 应用信息: - 该器件适用于需要高电流、高电压和快速恢复的应用场合。

7. 封装信息: - 封装类型为DO-5。

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