SDR1210HBUFUBS

厂商：
SSDI
封装：
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SDR1210HBUFUBS - 12 AMP 1000 - 1200 VOLTS 75 nsec ULTRA FAST RECTIFIER - Solid States Devices, Inc

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SOLID STATE DEVICES, INC. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com SDR1210UF / SDR1212UF SERIES 12 AMP 1000 - 1200 VOLTS 75 nsec ULTRA FAST RECTIFIER FEATURES: DESIGNER'S DATA SHEET Part Number /Ordering Information SDR12 12 J UF UB TX 1/ Screening: 2/ _ = Not Screened TX = TX Level TXV= TXV Level S = Space Level Lead Bending: 3/ 4/ _ UB DB Package: 3/ J S.5 HB HE Voltage: 10 12 = Straight = Up Bend = Down Bend = TO-257 = SMD .5 = SedPack I (Leadless) = SepPack I (Leaded) = 1000V = 1200V • • • • • • • • Ultra Fast Recovery: 75nsec Maximum High Surge Rating Low Reverse Leakage Current Low Junction Capacitance Hermetically Sealed Package Custom Lead Forming Available Eutectic Die Attach TX, TXV and S Level Screening Available Maximum Ratings 3/ Peak Repetitive Reverse and DC Blocking Voltage Average Rectified Forward Current. (Resistive load, 60Hz, Sine Wave, TA = 25oC) SYMBOL SDR1210 SDR1212 VRRM VRWM VR Io IFSM TOP & Tstg RΘJC VALUE 1000 1200 12 125 -65 TO +175 1.4 0.8 0.8 SedPack I (HE) UNITS Volts Amps Amps o Peak Surge Current (8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, TA = 25oC) Operating and Storage Temperature Maximum Thermal Resistance Junction to Case C TO-257 (J) SMD.5 (S.5) SedPack I (HB & HE) o C/W TO-257 (J) SMD.5 (S.5) SedPack I (HB) 2 1 2 1 NOTE: All specifications are subject to change without notification. SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release. DATA SHEET #: RC0066A SDR1210UF / SDR1212UF SERIES SOLID STATE DEVICES, INC. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com Electrical Characteristics 5/ SYMBOL IF = 8A IF = 12A TA = -55oC TA = 100oC TA = 25oC TA = 100oC VF1 VF2 VF3 VF4 IR1 IR2 CJ tRR MIN --------- MAX 1.50 1.60 1.60 1.40 30 500 50 75 UNITS VDC VDC µA pF nsec Instantaneous Forward Voltage Drop (TA = 25oC, 300 - 500µsec Pulse ) Instantaneous Forward Voltage Drop (IF = 8A, 300 - 500µsec pulse ) Reverse Leakage Current (80% of Rated VR, 300µs pulse min.) Junction Capacitance (VR = 10VDC, TA = 25oC, f = 1MHz) Reverse Recovery Time (IF = 0.5A, IR = 1A, IRR = 0.25A, TA = 25oC) NOTES: 1/ For Ordering Information, Price, and Availability Contact Factory. 2/ Screening per MIL-PRF-19500. 3/ For Package Outlines Contact Factory. 4/ Up and Down Bend Configurations Available for M and Z (TO-254 and TO-254Z) Packages Only. 5/ All Electrical Characteristics @25oC, Unless Otherwise Specified. Available Part Numbers: SDR1210JUF SDR1210JUFDB SDR1210JUFUB SDR1210S.5UF SDR1210HBUF SDR1210HEUF SDR1212JUF SDR1212JUFDB SDR1212JUFUB SDR1212S.5UF SDR1212HBUF SDR1212HEUF PIN ASSIGNMENT PACKAGE TO-257 (J) SMD.5 (S.5) SedPack 1 (HB) SedPack 1 (HE) Pin 1 Cathode Cathode Cathode Cathode Pin 2 Anode Anode Anode Anode Pin 3 Anode Anode N/A N/A

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SDR1210HBUFUBS

1. 物料型号： - SDR1210UF/SDR1212UF系列

2. 器件简介： - 这是一个12安培的超快速整流器，具有1000-1200伏特的反向重复峰值电压和75纳秒的最大超快速恢复时间。产品特点包括高浪涌额定值、低反向漏电流、低结电容和密封封装等。

3. 引脚分配： - TO-257 (J)：Pin 1为阴极（Cathode），Pin 2和Pin 3为阳极（Anode）。 - SMD.5 (S.5)：Pin 1为阴极（Cathode），Pin 2为阳极（Anode），没有Pin 3。 - SedPack 1 (HB) 和 SedPack 1 (HE)：Pin 1为阴极（Cathode），Pin 2为阳极（Anode），没有Pin 3。

4. 参数特性： - 峰值重复反向和直流阻断电压：SDR1210为1000伏特，SDR1212为1200伏特。 - 平均整流前向电流（60Hz正弦波，TA=25°C）：12安培。 - 峰值浪涌电流（8.3毫秒半正弦波，TA=25°C）：125安培。 - 最大热阻（结到外壳）：TO-257(J)为1.4°C/W，SMD.5(S.5)和SedPack I (HB & HE)为0.8°C/W。

5. 功能详解： - 超快速恢复：最大75纳秒。 - 高浪涌额定值。 - 低反向漏电流。 - 低结电容。 - 密封封装。 - 可定制引脚成型。 - 共晶芯片连接。 - 提供TX, TXV和S级筛选。

6. 应用信息： - 该系列产品适用于需要高浪涌能力和快速恢复的应用场合，如电源整流、电机控制和变频器等。

7. 封装信息： - 提供TO-257(J)、SMD.5(S.5)、SedPack I (HB)和SedPack I (HE)等多种封装选项。

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