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SDR527SMS

SDR527SMS

  • 厂商:

    SSDI

  • 封装:

  • 描述:

    SDR527SMS - 3 AMPS 600 - 900 VOLTS 35 nsec HYPER FAST RECTIFIER - Solid States Devices, Inc

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
SDR527SMS 数据手册
Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com SDR526 thru SDR529 SDR526SMS thru SDR529SMS 3 A MPS 600 – 900 VOLTS 35 nsec HYPER FAST RECTIFIER Axial Surface Mount Square Tab (SMS) Designer’s Data Sheet • • • • • • • • FEATURES: Hyper Fast Recovery: 35 nsec maximum PIV up to 900 Volts Avalanche Breakdown Hermetically Sealed For High Efficiency High Voltage Applications Single Chip Construction Metallurgically Bonded TX, TXV, and Space Level Screening Available MAXIMUM RATINGS Peak Repetitive Reverse Voltage and DC Blocking Voltage @ 50µA SDR526 SDR527 SDR528 SDR529 Symbol V RRM V RWM VR IO IFSM TOP & Tstg Rθ JL Rθ JE Value 600 700 800 900 3 Units Volts Average Rectified Forward Current (Resistive Load, 60 Hz, Sine Wave, T A=25oC) Peak Surge Current (8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, Superimposed on IO, allow junction to reach equilibrium between pulses, T A=25oC) Operating and Storage Temperature Maximum Thermal Resistance Junction to Lead, L = 0.125” (Axial Lead) Junction to End Tab (Surface Mount) Amps 75 -65 to +175 20 10 Amps o C o C/W NOTE: All specifications are subject to change without notification. SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release. DATA SHEET #: RC0049D DOC Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com SDR526 thru SDR529 SDR526SMS thru SDR529SMS ELECTRICAL CHARACTERISTICS Instantaneous Forward Voltage Drop (IF = 3 ADC, 300 - 500µsec Pulse) Reverse Leakage Current (Rated VR, 300µsec minimum pulse) Junction Capacitance (VR = 10 VDC, T A = 25oC, f = 1 MHz) Reverse Recovery Time (IF = 500 mA, IR = 1 A, IRR = 250 mA, T A = 25oC) Case Outline: (Axial) T A = 25o C T A = -55oC T A = 25o C T A = 100oC Symbol V F1 V F2 IR1 IR2 CJ Min –– –– –– –– –– Max 2.50 2.50 50 250 50 Unit Volts Volts µA µA pF trr –– 35 ns DIM A B C D MIN 0.140” 0.170” 0.046” 1.00” MAX 0.180” 0.230” 0.053” –– Case Outline: (SMS) DIM A B C D MIN 0.170” 0.220” 0.020” 0.002” MAX 0.180” 0.280” 0.030” –– Note: Dimensions prior to soldering. NOTES: Consult manufacturing for operating curves.
SDR527SMS
1. 物料型号: - SDR526、SDR527、SDR528、SDR529 - SDR526SMS、SDR527SMS、SDR528SMS、SDR529SMS

2. 器件简介: - 3安培600至900伏超快速整流器。 - 特点包括超快恢复时间(35纳秒)、最大反向击穿电压高达900伏特、雪崩击穿、适合高效率高压应用、单芯片结构、冶金级绑定、TX、TXV和太空级筛选可供选择。

3. 引脚分配: - 轴向引脚(Axial Lead)和表面贴装方形端子(Surface Mount Square Tab, SMS)。

4. 参数特性: - 最大重复反向电压和直流阻断电压:600伏至900伏。 - 平均整流前向电流(60赫兹正弦波,负载为电阻,环境温度25°C):3安培。 - 峰值浪涌电流(8.3毫秒脉冲,半正弦波,叠加在Io上,允许结在脉冲间达到平衡,环境温度25°C):75安培。 - 工作和存储温度:-65到+175摄氏度。 - 最大热阻:轴向引脚为20°C/W,表面贴装端子为10°C/W。

5. 功能详解: - 瞬态前向电压降(IF=3Ap,300-500微秒脉冲):在25°C和-55°C时均为2.50伏特。 - 反向漏电流(额定VR,300微秒最小脉冲):在25°C时为50纳安培,在100°C时为250纳安培。 - 结电容(VR=10Vdc,TA=25°C,f=1MHz):50皮法。 - 反向恢复时间(IF=500毫安,Ik=1安培,lRR=250毫安,TA=25°C):35纳秒。

6. 应用信息: - 适用于高效率高压应用。

7. 封装信息: - 轴向封装和表面贴装方形端子封装的尺寸信息。
SDR527SMS 价格&库存

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