物料型号:
- 型号为SFF054。
器件简介:
- 这是一个45安培60伏的N沟道功率MOSFET,具有多晶硅栅结构,低RDS(on)和高跨导,优异的高温稳定性,快速开关速度,快速恢复和优越的dv/dt性能,增强的反向能量能力,低输入和转移电容,便于并联,提供密封的表面贴装封装,并通过TX、TXV和太空级筛选。
引脚分配:
- PIN 1: DRAIN(漏极)
- PIN 2: SOURCE(源极)
- PIN 3: GATE(栅极)
参数特性:
- 最大漏源电压(VDs):60伏
- 栅源电压(VGS):+20伏
- 连续漏电流(ID):45安培
- 工作和储存温度(Top & Tstg):-55至+150摄氏度
- 热阻(ROJC):0.83摄氏度/瓦特
- 在TC=25°C和TC=55°C时的总器件耗散(PD):分别为150瓦和114瓦
功能详解:
- 该器件具有快速的开关速度和恢复性能,低输入和转移电容,使其易于并联使用,适用于需要高效率和高功率密度的应用。
应用信息:
- 可替换IRF054型号。
封装信息:
- 提供MILPACK封装。