SFF801R2

物料型号： - 型号为SFF801R2，由SSDI公司生产。

器件简介： - SFF801R2是一款N-CHANNEL POWER MOSFET，具有8安培的连续漏极电流和800伏特的漏源电压。

引脚分配： - PIN 1: DRAIN（漏极） - PIN 2: SOURCE（源极） - PIN 3: GATE（栅极）

参数特性： - 最大漏源电压（VDS）：800伏特 - 最大栅源电压（VGS）：+30伏特 - 连续漏极电流（ID）：8安培 - 工作和存储温度范围：-55至+150摄氏度 - 热阻（RθJC）：1.25摄氏度/瓦特 - 总器件功耗（PD）：在25摄氏度时为100瓦特，在55摄氏度时为76瓦特 - 单脉冲雪崩能量（EAS）：未提供具体数值 - 重复雪崩能量（EAR）：未提供具体数值

功能详解： - 具有多硅栅结构，低RDS(on)和高跨导 - 优秀的高温稳定性和快速开关速度 - 快速恢复和优越的dv/dt性能 - 增加的反向能量能力 - 低输入和转移电容，便于并联 - 密封表面贴装封装 - 提供TX, TXV和太空级筛选

应用信息： - 该器件适用于需要高电压、大电流和快速开关的应用场合，如电源管理、电机控制等。

封装信息： - 封装类型为MILPACK，具体尺寸和形状见提供的图片链接。